期刊的影响因子--文章列表

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邓二平^1,2，赵志斌¹，张朋²，黄永章¹，李金元²（华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室；国家电网全球能源互联网研究院）.温度对压接型IGBT器件内部接触热阻的影响[J].半导体技术,2016,第12期段淑卿，虞勤琴，陈柳，赵燕丽，李明，张启华，简维廷（中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.纳米尺寸芯片的透射电镜样品制备方法[J].半导体技术,2016,第12期潘祎雯，白雪，赵文祥，徐雷钧（江苏大学电气信息工程学院）.基于环境微弱能量收集的低阈值CMOS电路设计[J].半导体技术,2016,第12期顾磊¹，熊德平²，周守利³，彭银生³（杭州萧山技师学院；广东工业大学物理与光电工程学院；浙江工业大学信息工程学院）.发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响[J].半导体技术,2016,第12期罗志聪¹，黄世震²，叶大鹏¹（福建农林大学机电工程学院；福州大学物理与信息工程学院）.基于低压CMOS工艺的新型负电压型电荷泵电路[J].半导体技术,2016,第12期高显，何庆国，白银超，王凯（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计[J].半导体技术,2016,第12期吕晓华，严金梅，李吉，张进臣，赵朋松（晶澳太阳能有限公司）.管式炉扩散法制备20%效率的n型双面电池[J].半导体技术,2016,第12期李志栓，汤光洪，於广军，杨新刚，杨富宝（杭州士兰集成电路有限公司）.沟槽肖特基器件Si深槽刻蚀工艺[J].半导体技术,2016,第12期蔚翠（中国电子科技集团公司第十三研究所）.石墨烯晶体管工艺新方法获美国专利授权[J].半导体技术,2016,第12期刘涵雪¹，谢劲松¹，吕镇邦²，喻宏²（北京航空航天大学可靠性与系统工程学院；中航工业西安航空计算技术研究所）.FPGA准实时寿命损耗评价系统的验证试验设计[J].半导体技术,2016,第12期聂丛伟（河北立德电子有限公司）.LED灯具照亮人民大会堂宴会厅[J].半导体技术,2016,第12期杨俊，刘洪涛，谷勋（中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制[J].半导体技术,2016,第12期姜德鹏¹，张杨²，彭娜³，郑贵忠³，毛明明³，张小宾³，杨翠柏³（上海空间电源研究所；北京工业大学激光工程研究院；中山德华芯片技术有限公司）.用于四结太阳电池的多对TiO₂/SiO₂减反膜系的研究[J].半导体技术,2016,第12期（河北美泰电子科技有限公司）.河北美泰电子科技有限公司申报国家重点研发计划获准立项[J].半导体技术,2016,第12期（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2016,第12期邓二平^1,2，张经纬¹，李尧圣²，金锐²，赵志斌¹，黄永章¹（华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室；国家电网全球能源互联网研究院）.焊接式IGBT模块与压接型IGBT器件可靠性差异分析[J].半导体技术,2016,第11期李耀东，库黎明，刘斌，王新，郑琪，刘红艳（北京有色金属研究总院有研半导体材料有限公司）.大尺寸硅片边缘抛光技术[J].半导体技术,2016,第11期罗剑生，柴广跃，刘文，刘志慧（深圳大学光电工程学院）.GaN基LED电流分布的芯片结构优化设计[J].半导体技术,2016,第11期黄瑾¹，郑清洪²（中国科学院福建物质结构研究所；福建农林大学材料工程学院）.DLTS测试条件对不同位置深能级表征的影响[J].半导体技术,2016,第11期贺章擎¹，任志雄²，万相奎²，李风从²（湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心；湖北工业大学电气与电子工程学院）.基于可变全差分电感的宽带压控振荡器设计[J].半导体技术,2016,第11期牛晓龙^1,2，乔松^1,2，张莉沫^1,2，夏新中^1,2，高文宽^1,2，倪建雄^1,2（光伏材料与技术国家重点实验室；英利能源(中国)有限公司）.高纯SiO₂隔离层对多晶硅锭和组件光衰的影响[J].半导体技术,2016,第11期周朝旭^1,2，张保国^1,2，王静辉³，甄珍珍³，李晓波³，潘柏臣^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室；河北同辉电子科技股份有限公司）.LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺[J].半导体技术,2016,第11期滕宇，陈洁，冯晓敏，刘伟，刘效岩，吴仪（北京七星华创电子股份有限公司）.无损伤单晶圆兆声波清洗装置的研发[J].半导体技术,2016,第11期都平，景为平（南通大学江苏省集成电路设计重点实验室）.一种低频RFID晶圆并行测试系统设计[J].半导体技术,2016,第11期陈礼清¹，赵瑞豪¹，孙明圣¹，林光启¹，苏科¹，胡启誉¹，贾辉²（中芯国际集成电路制造有限公司；北京大学软件与微电子学院）.激光电压探测及成像技术在失效分析中的应用[J].半导体技术,2016,第11期梁龙学¹，史亚盼¹，谷江²，卢东旭²（兰州交通大学电子信息工程学院；中国电子科技集团公司第十三研究所）.用于低相位噪声LC VCO的低噪声可调LDO的设计[J].半导体技术,2016,第11期张晓光，赵润，曹晨涛，车相辉，李庆伟（中国电子科技集团公司第十三研究所）.10 Gbit/s-FP激光二极管芯片的设计及制备[J].半导体技术,2016,第11期刘庆彬¹，蔚翠²，何泽召¹，王晶晶²，李佳²，芦伟立¹，冯志红²（中国电子科技集团公司第十三研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室）.温度对硅衬底上生长石墨烯的影响[J].半导体技术,2016,第11期首页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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