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蔚翠（中国电子科技集团公司第十三研究所）.中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路[J].半导体技术,2016,第11期闫伟（中国电子科技集团公司第十三研究所）.13PG1821M型高重频窄脉冲输出模块[J].半导体技术,2016,第11期沈千行¹，张须坤¹，张广银¹，杨飞^2,3，谭骥^2,3，田晓丽^2,3，卢烁今^1,2,3，朱阳军¹（江苏物联网研究发展中心；中国科学院中国科学院大学；中国科学院微电子研究所硅器件技术重点实验室）.IGBT载流子增强技术发展概述[J].半导体技术,2016,第10期曹世华，张慧熙，安康（杭州师范大学钱江学院）.高效低开启电压CMOS整流电路设计[J].半导体技术,2016,第10期马奎^1,2，杨发顺^1,2（贵州大学电子科学系；贵州省微纳电子技术与软件技术重点实验室）.一种新型硅基衬底半绝缘结构的研究[J].半导体技术,2016,第10期殷晓文，严利民，龚露鸣（上海大学微电子研究与开发中心）.基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取[J].半导体技术,2016,第10期黄琳¹，孟祥隆²，张嘉伟¹，程晶晶²（中海油田服务股份有限公司测井技术研究院；华中科技大学自动化学院）.一种基于SiP的高温测井仪器高速数据采集系统[J].半导体技术,2016,第10期张广银^1,2，沈千行³，张须坤³，田晓丽^1,2，卢烁今³，朱阳军³（中国科学院中国科学院大学；中国科学院微电子研究所硅器件技术重点实验室；江苏物联网研究发展中心）.逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展[J].半导体技术,2016,第10期满亮，杜占坤，马骁，刘珂，庞晓敏，熊利伟（中国科学院微电子研究所）.28 nm CMOS工艺下800 MS/s 10 bit DAC的设计[J].半导体技术,2016,第10期王博，杨建国，林殷茵（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室）.不同工艺下操作算法对阻变存储器可靠性的影响[J].半导体技术,2016,第10期许晓燕，陈文杰，刘兴龙（北京大学微电子学研究院）.预非晶化和碳共注入在超浅结工艺中的应用[J].半导体技术,2016,第10期金锐¹，任云翔²，郭春生²，冯士维²，苏雅²（国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所；北京工业大学电子信息与控制工程学院）.非开关式电学法实时测量快恢复二极管瞬态温升[J].半导体技术,2016,第10期王乔¹，于宗光^1,2，周昱²，王林¹，雷淑岚²（江南大学物联网工程学院；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.基于自比较方法的硬件木马检测技术[J].半导体技术,2016,第10期尹顺政，齐利芳，赵永林，张豫黔，车向辉，张宇（中国电子科技集团公司第十三研究所）.光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管[J].半导体技术,2016,第10期洪海燕，徐立，周浩，徐海涛（无锡华润上华科技有限公司）.一种新型硅片电学测试图形的失效分析方法[J].半导体技术,2016,第10期刘小文（中国电子科技集团公司第十三研究所）.中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介[J].半导体技术,2016,第10期高岭（中国电子科技集团公司第十三研究所）.中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法获美国专利[J].半导体技术,2016,第10期沈越明，薛晓勇，林殷茵（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室）.IR压降实时多点检测的两种方法[J].半导体技术,2016,第10期周彪（中国电子科技集团公司第十三研究所）.3D微封装射频/微波模块[J].半导体技术,2016,第10期崔克楠，张志鹏，朱彤，唐普英，刘爽（电子科技大学光电信息学院）.基于蛙跳算法优化SVM的小功率LED寿命预测模型[J].半导体技术,2016,第9期刘云燕，赵栋，魏功祥，孙艳（山东理工大学理学院）.无空穴传输层钙钛矿太阳电池的研究进展[J].半导体技术,2016,第9期黄旸¹，邓世桂¹，郭伟玲¹，孙捷^1,2（北京工业大学电子信息与控制工程学院；瑞典查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系）.使用密闭空腔阻挡层的CVD石墨烯鼓泡法转移[J].半导体技术,2016,第9期冯洋^1,2，虞致国^1,2，孙益洲^1,2，顾晓峰^1,2（江南大学电子工程系；物联网技术应用教育部工程研究中心）.基于GUI和PXI总线的IC功能验证平台设计[J].半导体技术,2016,第9期董紫淼，梁科，林长龙，李国峰（南开大学电子信息与光学工程学院IC设计与系统集成实验室）.ATCXO数字数据修调电路设计[J].半导体技术,2016,第9期李相敏¹，贾亮²，康壮¹（长江大学文理学院；电子科技大学微电子与固体电子学院）.一种新型低相位噪声低功耗Colpitts QVCO设计[J].半导体技术,2016,第9期刘敏¹，何志¹，钮应喜²，王晓峰¹，杨霏²，杨富华¹（中国科学院半导体研究所；全球能源互联网研究院功率半导体研究所）.激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触[J].半导体技术,2016,第9期刘冰杰¹，顾杰斌²，杨恒²（上海大学机电工程与自动化学院；中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合国家重点实验室）.一种基于表面张力的硅通孔互连快速填充技术[J].半导体技术,2016,第9期刘建明（三安光电股份有限公司）.InGaN/GaN多量子阱中的深能级表征分析[J].半导体技术,2016,第9期于佳弘¹，李涵悦¹，谢刚¹，王柳敏¹，金锐²，盛况¹（浙江大学电气工程学院；国家电网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所）.一种带有p型阻挡层的新型阳极短路IGBT结构[J].半导体技术,2016,第9期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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