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牛晓勤^1,2，吴迪尘³，李燕²，尉梅梅³，陈玉红¹（兰州理工大学石油化工学院；甘肃中医药大学信息工程学院；兰州理工大学材料科学与工程学院）.铁掺杂槟榔衍生炭材料的电化学性能研究[J].电子元件与材料,2021,第9期范羚羚^1,2，颜亮亮²，方文英²，安仲勋²，陈益钢¹（上海大学材料科学与工程学院；上海奥威科技开发有限公司国家车用超级电容器系统工程技术研究中心）.不同活性炭对双电层电容器电荷存储的影响[J].电子元件与材料,2021,第9期王书宁¹，王子兰²，曹暾^1,2（大连理工大学生物医学工程学院；大连理工大学光电工程与仪器科学学院）.基于柔性超材料的太赫兹超高灵敏度生物传感器设计[J].电子元件与材料,2021,第9期胡振欣¹，李华成¹，李云楷¹，叶亮华²（广东工业大学自动化学院；广东工业大学物理与光电工程学院）.具有蛇形结构的全向圆极化螺旋天线[J].电子元件与材料,2021,第9期唐克勤¹，杨飘云^1,2，李志伟^1,2，张翔晖^1,2，王钊^1,2（湖北大学物理与电子科学学院；湖北省氢能源安全检测与控制工程技术研究中心）.正交相Nb₂ O₅ 纳米棒的室温氢气传感特性研究[J].电子元件与材料,2021,第9期许建蓉，汪西虎，刘伟，李晶（西安邮电大学电子工程学院）.片上多通道低电容系统级静电防护电路设计[J].电子元件与材料,2021,第9期何涛^1,2，闫磊¹，吕文辉²，王行柱¹（湘潭大学物理与光电工程学院；湖州师范学院理学院应用物理系）.晶体硅/氧化钨背异质结太阳电池的制备及性能研究[J].电子元件与材料,2021,第9期姜玉德¹，甘新慧²，赵琳娜¹，顾晓峰¹（江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心；华润微电子有限公司）.一种基于4H-SiC JBS 二极管的Boost 型PFC 电路[J].电子元件与材料,2021,第9期崔志慧^1,2，王辰伟^1,2，刘玉岭^1,2，赵红东^1,2，李红亮³（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室；天津市计量监督检测科学研究院）.抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP 后碟形坑及蚀坑的影响[J].电子元件与材料,2021,第8期郭镕硕¹，金灵华¹，王伟科²（南华大学化学化工学院；湖南师范大学物理与电子科学学院）.有机酸共掺杂聚苯胺的制备及其电化学性能[J].电子元件与材料,2021,第8期白海龙¹，顾鑫²，赵玲彦¹，严继康²，郭胜惠³（云南锡业锡材有限公司；昆明理工大学材料科学与工程学院；昆明理工大学冶金与能源工程学院）.Sb₂ SnO₅纳米颗粒对Sn30Bi0.3Ag 合金拉伸与熔化特性的影响[J].电子元件与材料,2021,第8期宋丽红^1,2，张敏刚¹，闫晓燕¹（太原科技大学材料科学与工程学院；山西经济管理干部学院）.科琴黑在锂硫电池中的应用进展[J].电子元件与材料,2021,第8期卜德刚，张宇，洪梅，王宝鑫，宋溪明（辽宁大学化学院绿色合成与先进材料制备化学辽宁省重点实验室）.温度条件下光催化甲醇燃料电池的光电化学性质[J].电子元件与材料,2021,第8期陈开远，韦小利，梁燕文，雷秀云，刘来君（桂林理工大学材料科学与工程学院）.SrZrO₃ 掺杂K_0.5 Na_0.5 NbO₃ 陶瓷介电弛豫的研究[J].电子元件与材料,2021,第8期王坤，杨云霞，袁晓，李红波，仝华（华东理工大学材料科学与工程学院）.含铜玻璃对金属化银浆电极焊接性能的影响[J].电子元件与材料,2021,第8期张佳伟，杨云霞，袁晓，李红波，仝华（华东理工大学材料科学与工程学院）.碲系玻璃组成对晶硅电池金属化接触界面的作用机制[J].电子元件与材料,2021,第8期第五健健，张健穹，王庆峰，李相强（西南交通大学物理科学与技术学院）.应用于毫米波车地通信的小型化间隙波导缝隙阵列天线设计[J].电子元件与材料,2021,第8期唐显琴，苏晓磊，刘毅，马晨，李盼涛（西安工程大学材料工程学院）.表面活性剂对银包铝粉的微观结构及性能影响[J].电子元件与材料,2021,第8期何敏，邓梦，庄成波（中国电子科技集团公司第十研究所）.焊点形态对表贴引脚元器件振动应力的影响[J].电子元件与材料,2021,第8期姜涛（长春大学电子信息工程学院）.基于硫化镉修饰泡沫镍的可穿戴式压阻传感器[J].电子元件与材料,2021,第8期何勇杰，孙江，叶文霞，陈宁锴，刘炳（西南交通大学信息科学与技术学院）.一种数模混合的低频锯齿波电路设计[J].电子元件与材料,2021,第8期杨帆，赵睿鹏，陈曦，黄涛，陶伯万（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.沉积速率对MOCVD-Y(Gd)BCO超导薄膜结构与性能的影响研究[J].电子元件与材料,2021,第8期张骁，孙久勋，陈鹏斌，樊安琪（电子科技大学物理学院）.多物理效应的钙钛矿太阳能电池模型研究[J].电子元件与材料,2021,第8期郑良川，王军（西南科技大学信息工程学院）.基于粒子群优化算法提取GaN HEMTs 外部寄生参数[J].电子元件与材料,2021,第8期韩茵¹，朱归胜¹，徐华蕊¹，沓世我²，付振晓²（桂林电子科技大学材料科学与工程学院广西信息材料重点实验室；广东风华高新科技股份有限公司新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室）.高分散纳米钛酸钡粉体的常压水热制备及性能研究[J].电子元件与材料,2021,第7期吕涛涛，方贺男，吕杰，孙星宇（南京邮电大学电子与光学工程学院）.单晶二维材料势垒层磁性隧道结的偏压效应[J].电子元件与材料,2021,第7期黄子鹏¹，杨瑞霞¹，孙聂枫^2,3，王书杰^2,3，陈春梅¹（河北工业大学电子信息工程学院；中国电子科技集团公司第十三研究所；中国电子科技南湖研究院）.化学配比对掺铁InP 中铁激活效率的影响[J].电子元件与材料,2021,第7期马天兵^1,2，尹梦涵²，胡伟康²，贾世盛²（安徽理工大学深部煤矿采动响应与灾害防控国家重点实验室；安徽理工大学机械工程学院）.等强度梁式压-磁耦合振动俘能器的性能分析[J].电子元件与材料,2021,第7期李鹏¹，赵鲁燕¹，潘开林²（桂林电子科技大学海洋工程学院；桂林电子科技大学机电工程学院）.埋置空气隙柔性凸点结构随机振动应力应变分析[J].电子元件与材料,2021,第7期刘兰，朱玮，文常保，周荣荣，郭恬恬（长安大学电子与控制工程学院）.氧空位含量对铝基薄膜忆阻器的影响及稳定性研究[J].电子元件与材料,2021,第7期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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