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邓小社¹，梁亚楠²，贾利芳²，樊中朝²，何志²，张韵²，张大成¹（北京大学软件与微电子学院；中国科学院半导体研究所）.AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法[J].半导体技术,2016,第9期王琦，孙朋朋，张蓉，耿苗，刘辉，罗卫军（中国科学院微电子研究所）.X波段大相位高低通移相器MMIC的设计与实现[J].半导体技术,2016,第9期王子青，廖斌（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现[J].半导体技术,2016,第9期周彪（中国电子科技集团公司第十三研究所）.3D微封装射频/微波模块[J].半导体技术,2016,第9期王聪^1,2，刘玉荣³（汕尾职业技术学院电子信息系；华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究开发中心；华南理工大学电子与信息学院）.基于石墨烯场效应晶体管的研究进展[J].半导体技术,2016,第8期王建超^1,2，牛新环^1,2，李睿琦^1,2，赵欣^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.pH调节剂对蓝宝石衬底CMP的影响[J].半导体技术,2016,第8期郭家荣¹，冉峰²（上海电机学院电子信息学院；上海大学机电工程与自动化学院）.适用于闪存的高速灵敏放大器[J].半导体技术,2016,第8期刘林杰¹，崔朝探²，高岭¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；河北中瓷电子科技有限公司）.一种新型封装材料的热耗散能力分析与验证[J].半导体技术,2016,第8期熊丝纬，孙清清（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室）.1T’-MoTe₂原位生长关键工艺技术[J].半导体技术,2016,第8期张甘英，陈珍海，魏敬和，于宗光（中国电子科技集团公司第五十八研究所；黄山学院信息工程学院）.14 bit 250 MS/s电荷域流水线ADC的全定制版图设计[J].半导体技术,2016,第8期周勇涛¹，凡守涛¹，许春良²，魏绍仁¹（北京遥感设备研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所）.Ka波段高隔离单刀单掷开关设计[J].半导体技术,2016,第8期刘亚男，杜光伟，胡志富，孙希国，崔玉兴（中国电子科技集团公司第十三研究所）.太赫兹InP HEMT器件的研究[J].半导体技术,2016,第8期袁凤坡，刘波，尹甲运，王波，王静辉，唐景庭（中国电子科技集团公司第十三研究所）.4英寸硅衬底GaN发光二极管[J].半导体技术,2016,第8期武永超，林健，刘春香，王云彪，赵权（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.外延生长用磷化铟单晶片清洗技术[J].半导体技术,2016,第8期孙高勇，要志宏，郭文胜，张加程（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种新型微波宽带压控振荡器的设计[J].半导体技术,2016,第8期朱峰¹，方家兴¹，吴洪江¹，郝朝辉²（中国电子科技集团公司第十三研究所；装甲兵工程学院）.模拟预失真功率放大器的研制[J].半导体技术,2016,第8期何放¹，董若岩²，徐跃杭²（成都亚光电子股份有限公司；电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室）.毫米波AlGaN/GaN HEMT热电物理模型[J].半导体技术,2016,第8期郭春生¹，任云翔¹，高立²，冯士维¹，李世伟¹（北京工业大学电子信息与控制工程学院；中国电子技术标准化研究所）.AlGaN/GaN HEMT在不同温度下的退化规律及退化机理[J].半导体技术,2016,第8期谢媛媛，陈凤霞，高学邦（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种超小型DC~18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器[J].半导体技术,2016,第8期蔚翠（中国电子科技集团公司第十三研究所）.中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路[J].半导体技术,2016,第8期商庆杰，王敬松，高渊，么锦强，张力江（中国电子科技集团公司第十三研究所）.SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究[J].半导体技术,2016,第7期张彩珍¹，陈永刚²，刘肃³，王永顺¹（兰州交通大学电子与信息工程学院；兰州交通大学自动化与电气工程学院；兰州大学物理科学与技术学院）.Na/Mg共掺ZnO薄膜的溶胶-凝胶法制备及特性研究[J].半导体技术,2016,第7期金林¹，王菲菲²（中国电子科技集团公司第三十八研究所；合肥师范学院电子信息工程学院）.FinFET工艺对MOS器件辐射效应的影响[J].半导体技术,2016,第7期程远垚，蒋品群，宋树祥（广西师范大学电子工程学院）.2～5GHz宽带CMOS低噪声放大器设计[J].半导体技术,2016,第7期顾俊^1,2,3，吴渊渊³，杨文献³，陆书龙³，罗向东^1,2（南通大学理学院；南通大学江苏ASIC设计重点实验室；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室）.与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能[J].半导体技术,2016,第7期王晶晶¹，江瑶瑶¹，黎燕¹，莫德清²，朱义年³，钟福新¹（桂林理工大学化学与生物工程学院；桂林电子科技大学生命与环境科学学院；桂林理工大学环境科学与工程学院）.棒状纳米Cu₂O薄膜的制备及其光电性能[J].半导体技术,2016,第7期张滨¹，李富强²，杨柳²，魏洪涛¹，方园²（中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室；中国电子科技集团公司第十三研究所）.带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计[J].半导体技术,2016,第7期陈文锁^1,2，张培建²，钟怡¹（重庆中科渝芯电子有限公司；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.超薄顶硅层SOI基新颖阳极快速LIGBT[J].半导体技术,2016,第7期米多斌，王绍东，倪涛（中国电子科技集团公司第十三研究所）.功率MMIC封装的热分析[J].半导体技术,2016,第7期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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