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钟军，张忠强，程广贵，丁建宁（江苏大学微纳米科学技术研究中心）.基于分支结构碳纳米管纳米销的安装性能[J].微纳电子技术,2017,第6期刘卫兵^1,2，明安杰²，谭秋林¹，孟莹²，孙西龙²，毛海央²，王玮冰^2,3，熊继军¹（中北大学电子测试技术重点实验室；中国科学院微电子研究所智能感知研发中心；昆山光微电子有限公司）.面向红外光源的辐射自增强非晶碳薄膜性能[J].微纳电子技术,2017,第6期李倩¹，汪蔚²，杨拥军²，杨志¹（专用集成电路重点实验室；中国电子科技集团公司第十三研究所）.硅腔体MEMS环行器的设计与制作[J].微纳电子技术,2017,第6期王森，蔡理，杨晓阔，冯朝文，齐凯（空军工程大学理学院）.全自旋逻辑电路的仿真模型[J].微纳电子技术,2017,第6期殷敏琪，孙洪文，王海滨（河海大学物联网工程学院）.紫外纳米压印技术的研究进展[J].微纳电子技术,2017,第5期龙煌^1,2，田敏^1,2，钟汇才¹（中国科学院微电子研究所；中国科学院大学）.一种MTM反熔丝器件的击穿特性[J].微纳电子技术,2017,第5期康强^1,2，石云波^1,2，王艳阳^1,2，冯恒振^1,2，任建军^1,2（中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室；中北大学电子测试技术重点实验室）.灌封胶对高量程微机械加速度计封装的影响[J].微纳电子技术,2017,第5期赵亚东¹，张伟^1,2，李亚¹，柴永志¹（华北电力大学能源动力与机械工程学院；低品位能源多相流与传热北京市重点实验室）.微纳米复合结构强化微通道内沸腾换热的研究进展[J].微纳电子技术,2017,第5期钱坤，唐军，刘俊，张成飞，郭慧婷，潘梓文（中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室）.高Q平面集成光波导谐振腔[J].微纳电子技术,2017,第5期陈俊^1,2，王学毅^1,2，谭琦²，杜金生²，吴建^1,2（中国电子科技集团公司第二十四研究所；重庆中科渝芯电子有限公司）.键合SOI材料应力的控制技术[J].微纳电子技术,2017,第5期白琼，张斌珍，段俊萍，黄成远，王颖（中北大学电子测试技术重点实验室）.基于新型谐振柱的高频波导滤波器的设计[J].微纳电子技术,2017,第5期王飞^1,2，陈俊^1,2，王学毅^1,2，常小宇²，冉明^1,2，杨永晖^1,2，杨伟²（中国电子科技集团公司第二十四研究所；重庆中科渝芯电子有限公司）.低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺[J].微纳电子技术,2017,第5期肖咸盛，杨拥军，卞玉民，张旭辉（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种汽车碰撞试验用低阻尼宽频响加速度传感器[J].微纳电子技术,2017,第5期仇睿煌，蔡理，冯朝文，杨晓阔，张波，危波（空军工程大学理学院）.基于忆阻振荡电路元胞耦合的图灵斑图[J].微纳电子技术,2017,第5期任建军^1,2，石云波^1,2，孙亚楠^1,2，冯恒振^1,2，康强^1,2（中北大学电子测试技术重点实验室；中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室）.基于压阻式加速度计的金属掩膜层图形化[J].微纳电子技术,2017,第5期李倩¹，汪蔚²，杨拥军²，杨志¹（专用集成电路重点实验室；中国电子科技集团公司第十三研究所）.MEMS微波/毫米波TaN薄膜负载电阻的设计与实现[J].微纳电子技术,2017,第5期陈亚男^1,2,3，张烨^1,2,3，郁万成^1,2,3，龚猛^1,2,3，杨霏⁴，刘瑞⁴，王嘉铭⁴，李玲⁴，金鹏^1,2,3，王占国^1,2,3（中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室；中国科学院半导体研究所低维半导体材料与器件北京市重点实验室；中国科学院大学材料科学与光电技术学院；全球能源互联网研究院）.金刚石半导体材料和器件的研究现状[J].微纳电子技术,2017,第4期黄洛俊^1,2，康恒^1,2，程嵩^1,2，李勇滔^1,3，夏洋^1,3，景玉鹏^1,3（中国科学院微电子研究所；中国科学院大学；集成电路测试技术北京市重点实验室）.超临界CO₂清洗技术在CMOS图像传感器中的应用[J].微纳电子技术,2017,第4期回海生，刘建霞，梁军（太原理工大学信息工程学院）.基于改进PSO算法优化RF MEMS功分器设计[J].微纳电子技术,2017,第4期杨博，白一鸣，程泰，吴高，陈诺夫，谭占鳌（华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室）.全固态量子点太阳电池的研究进展[J].微纳电子技术,2017,第4期黄求来，罗海东（湖南中移通信技术工程有限公司）.空心碳纳米球在锂离子电池中的性能[J].微纳电子技术,2017,第4期战俊^1,2，粟雅娟¹，罗军¹，贾昆鹏¹，段宁远^1,2，闫祥宇^1,2（中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室；中国科学院大学）.用于FET的PECVD SiN_x掺杂MoS₂的有效性与可控性[J].微纳电子技术,2017,第4期郑柳，潘艳，夏经华，刘瑞，杨霏（全球能源互联网研究院功率半导体研究所）.4H-SiC中Al离子注入及其二次高温退火技术[J].微纳电子技术,2017,第4期邢博¹，左春柽^1,2，黄风立¹，鹿业波¹，胡光山¹，汤成莉¹，张礼兵¹（嘉兴学院机电工程学院；浙江工业大学特种装备制造与先进加工技术教育部/浙江省重点实验室）.直流电压对无颗粒纳米银墨水EHD微喷行为的影响[J].微纳电子技术,2017,第4期肖咸盛，卞玉民（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种高g值压阻式加速度传感器[J].微纳电子技术,2017,第4期陈猛，钱坤，唐军，刘文耀，郑永秋（中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室）.利用光波导谐振腔替代长光纤的光电振荡器[J].微纳电子技术,2017,第4期史月增，金雷，齐海涛，张丽，程红娟，徐永宽（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.衬底温度对PVT法生长AlN晶体自发形核的影响[J].微纳电子技术,2017,第4期首页上一页 2 3 4 5 6 下一页尾页共有6页，转到页

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