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李晋，齐贺飞，王硕，蒋永红，赵瑞华（中国电子科技集团公司第十三研究所）.18GHz整数频率合成芯片[J].半导体技术,2016,第7期李新霞，杨楠，王磊（中国电子科技集团公司第十三研究所）.2～20GHz宽带单片集成双向放大器[J].半导体技术,2016,第7期孟煜晗，何庆国（中国电子科技集团公司第十三研究所）.SiGe HBT小信号和大信号建模与分析[J].半导体技术,2016,第7期罗光明，陈彦翔（湘潭大学信息工程学院）.软件调控的三极管放大倍数脉冲测试方法[J].半导体技术,2016,第7期姚芳，王少杰，李志刚（河北工业大学电气工程学院）.逆变器中IGBT功率模块的电热联合仿真模型[J].半导体技术,2016,第6期宋从政，陈俊芳，张有鹏，王燕，熊文文（华南师范大学物理与电信工程学院）.磁控溅射ZnO薄膜及其微观结构与光电特性[J].半导体技术,2016,第6期周祥标，许鹏，付超超，吴东平（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室）.微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节[J].半导体技术,2016,第6期吴会丛¹，李斌²（河北科技大学信息科学与工程学院；中国电子科技集团公司第五十四研究所）.基于遗传算法的宽带低噪声放大器设计[J].半导体技术,2016,第6期谢海情，肖正，唐俊龙，周斌腾，曾承伟，陈希贤（长沙理工大学物理与电子科学学院）.高稳定性高瞬态响应无片外电容LDO的设计[J].半导体技术,2016,第6期任敬川，刘超，崔利杰，曾一平（中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室）.ZnSeTe薄膜的分子束外延生长[J].半导体技术,2016,第6期冯威，刘帅，张斌（中国电子科技集团公司第十三研究所）.2~18 GHz 10 W GaN HEMT非均匀分布式功率放大器[J].半导体技术,2016,第6期张敬维，许明，赵丹，曾瑞雪，吴东平（复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室）.用于离子敏场效应晶体管的生化参比电极研究进展[J].半导体技术,2016,第6期陈君涛，李世峰（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于InGaP/GaAs HBT工艺X波段低相噪压控振荡器[J].半导体技术,2016,第6期王天质¹，仲莉²（中国电子技术标准化研究院；中国科学院半导体研究所）.大功率半导体激光二极管阵列加速寿命试验方法[J].半导体技术,2016,第6期刘亚男，杜光伟，胡志富，孙希国，崔玉兴（中国电子科技集团公司第十三研究所）.GaAs HEMT开关器件的大信号模型[J].半导体技术,2016,第6期邬佳晟，徐守利，刘英坤，刘秀博（中国电子科技集团公司第十三研究所）.宽脉冲大占空比L波段500W内匹配GaN HEMT器件[J].半导体技术,2016,第6期（上海技美科技股份有限公司）.技美科技发布通用协作机器人手臂[J].半导体技术,2016,第6期吕俊盛，邵刚，田泽（中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所集成电路与微系统设计航空科技重点实验室）.一种基于相位插值器的低抖动串行链路接收器[J].半导体技术,2016,第6期李远鹏¹，赵炳忠²，魏洪涛¹，刘永强¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；渤海石油职业学院）.6~18 GHz宽带驱动放大器的研制[J].半导体技术,2016,第6期（泰科电子(上海)有限公司）.TE推出新型5A薄型电池连接器[J].半导体技术,2016,第6期张硕，刘立莉，杨华，段瑞飞（中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心）.白光LED的光生物安全性[J].半导体技术,2016,第5期谢勇，来强涛，陈华，郭江飞，郭桂良，阎跃鹏（中国科学院微电子研究所）.应用于MEMS谐振器的跨阻放大器设计及实现[J].半导体技术,2016,第5期王艳福，王红茹，王颖（哈尔滨工程大学信息与通信工程学院）.一种新型非对称栅隧穿场效应晶体管[J].半导体技术,2016,第5期於广军，杨彦涛，闻永祥，李志栓，方佼，马志坚（杭州士兰集成电路有限公司）.深槽刻蚀侧壁平坦化技术[J].半导体技术,2016,第5期郭立建，韩军，邢艳辉，王凯，赵康康，于保宁（北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室）.反应离子刻蚀损伤对4H-SiC肖特基二极管性能的影响[J].半导体技术,2016,第5期李雨霏，晏长岭，史建伟（长春理工大学高功率半导体激光器国家重点实验室）.半导体微盘激光器特性及研究进展[J].半导体技术,2016,第5期孙静，李立，施晓蓉（湖南工程学院电气信息学院）.考虑界面捕获效应的MIFIS结构电学性能[J].半导体技术,2016,第5期王元佳，要志宏，王乔楠，高长征（中国电子科技集团公司第十三研究所）.S波段接收通道的小型化研究[J].半导体技术,2016,第5期冯威，倪帅（中国电子科技集团公司第十三研究所）.X波段12W GaAs功率放大器MMIC[J].半导体技术,2016,第5期吴佳，林长龙，郭振义，李国峰（南开大学IC设计与系统集成实验室）.一款用于TCXO的三次方函数补偿电路[J].半导体技术,2016,第5期首页上一页 2 3 4 5 6 下一页尾页共有7页，转到页

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