期刊的影响因子--文章列表

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臧剑栋^1,2，杨卫东^1,2，李静²，张世莉²，刘军^1,2（模拟集成电路国家级重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种基于SiGe工艺的高速宽带D/A转换器[J].微电子学,2023,第3期袁波¹，吴秀龙²，谢卓恒²，赵强¹，秦谋³（重庆西南集成电路设计有限责任公司；安徽大学集成电路学院；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种100 MHz～12 GHz高功率SPDT射频开关[J].微电子学,2023,第3期万佳龙，何进（武汉大学物理科学与技术学院）.一种CMOS毫米波双宽带可重构低噪声放大器[J].微电子学,2023,第3期崔华锐¹，蒲林¹，唐光庆²，李涛²，陈浩¹，廖鹏飞¹（中国电子科技集团公司第二十四研究所；中国人民解放军93147部队）.一种基于开关电容的高精度低温度系数振荡器[J].微电子学,2023,第3期张俊安，肖怡，徐金贵，李新星，李铁虎（重庆理工大学两江人工智能学院）.一种电阻串加内插结构的16位D/A转换器[J].微电子学,2023,第3期康彦鑫¹，徐卫林²，李海鸥¹（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室；桂林电子科技大学广西高校微电子器件与集成电路重点实验室）.一种用于极性反转热电能量收集的升降压转换器[J].微电子学,2023,第3期陈凯让¹，王冰¹，王友华²，杨毓军¹（重庆电子工程职业学院；模拟集成电路国家级重点实验室）.一种14 bit异步时序两级Pipelined-SAR 模数转换器技术[J].微电子学,2023,第3期王旭，刘涛，邓民明（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种抗辐射16位80 MSPS A/D转换器设计[J].微电子学,2023,第3期王志宽¹，冯治华²，陈容²，燕子鹏³，崔伟²，陆科²，廖希异³（中科渝芯电子有限公司；集成电路与微系统全国重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.碳化硅功率器件高密度互连技术研究进展[J].微电子学,2023,第3期洪敏，陈仙，徐学良，唐新悦，张正元，张培健（模拟集成电路国家级重点实验室）.硅基超薄柔性芯片的力学和电学特性研究进展[J].微电子学,2023,第3期葛彬杰^1,2，李琰¹，俞航¹，马四光³，谢庆国^4,5（深圳大学计算机与软件学院；深圳北理莫斯科大学电子与计算机工程系；季华实验室；中国科学技术大学电子工程和信息科学学院；华中科技大学生物医学工程学院）.一种具有采样时间扩展功能的异步SAR ADC[J].微电子学,2023,第3期樊元东，李晖，王英民，高鹏程，王磊，高飞（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究[J].微电子学,2023,第3期杜浩毓，檀柏梅，王晓龙，王方圆，王歌（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.柠檬酸在钴基铜互连CMP及后清洗的研究进展[J].微电子学,2023,第3期刘清远，王宗民，张铁良，柳博，霍淼（北京微电子技术研究所）.一种用于预放大器的平均电阻网络设计[J].微电子学,2023,第3期许雅妹，张万荣，那伟聪，金冬月，谢红云，梁岩，蔡梓腾（北京工业大学信息学部微电子学院）.一种低压低功耗有源电感[J].微电子学,2023,第3期高文静，张万荣，王晓雪，李楠星，任衍贵，吴银烽（北京工业大学信息学部微电子学院）.一种Q-f 与L-f 特性增强的高线性有源电感[J].微电子学,2023,第3期李伟业^1,2，李文昌^1,2，鉴海防^1,2，阮为²，吴鸿昊^1,2，刘剑^1,2，尹韬^1,2（中国科学院大学；中国科学院半导体研究所）.一种电流型温度传感芯片设计[J].微电子学,2023,第3期郭仲杰¹，郭优美¹，李晨¹，苏昌勖¹，王杨乐¹，王彬¹，吴龙胜²（西安理工大学；西安电子科技大学）.基于同步自适应匹配的模拟前端暗电流补偿方法研究[J].微电子学,2023,第3期杨永晖，张金龙，张广胜，黄东，朱坤峰（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种低失调CMOS轨到轨运算放大器研究[J].微电子学,2023,第3期欧宏旗，刘玉奎，付晓伟，黄磊，朱煜开，殷万军，汪璐（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种高压低功耗比较器电路的设计[J].微电子学,2023,第3期梁涛^1,2，肖添^1,2，刘勇^1,2，裴颍^1,2，胡镜影²，冉卫²（中国电子科技集团公司第二十四研究所；重庆中科渝芯电子有限公司）.表面掺杂浓度对低压TVS的影响研究[J].微电子学,2023,第3期万凯^1,2，高洁³，牛睿⁴（南京大学产业技术研究苏州总院；南京大学金陵学院；上海航天电子技术研究所；上海航天控制技术研究所）.OP604光敏管质子位移损伤效应研究[J].微电子学,2023,第3期马羽¹，张培健²，徐学良²，陈仙²，易孝辉²（中电科芯片技术(集团)有限公司；模拟集成电路国家级重点实验室）.新一代超高速SiGe BiCMOS工艺研究进展[J].微电子学,2023,第2期杨可¹，左石凯¹，王尘¹，蒋见花²，陈铖颖¹（厦门理工学院光电与通信工程学院；北京大学电子学院）.碳纳米管场效应晶体管紧凑模型研究进展[J].微电子学,2023,第2期张顺毅，吉新村，王德波（南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.高性能激光诱导石墨烯压力传感器的研究[J].微电子学,2023,第2期袁恺¹，闵成彧¹，陈鹏堃¹，胡欢¹，黄俊¹，杨帆¹，唐昭焕^1,2（联合微电子中心有限责任公司；模拟集成电路国家级重点实验室）.新型范德华绝缘体封装的MoS₂ 晶体管性能研究[J].微电子学,2023,第2期陈玉，吴倩楠，湛永鑫，李晓琪，郭宏磊，李孟委（中北大学仪器与电子学院；中北大学前沿交叉科学研究院；中北大学半导体与物理学院）.一种L～Ka波段的双边多触点型RF MEMS单刀六掷开关[J].微电子学,2023,第2期刘保军，陈名华（空军工程大学航空机务士官学校）.纳米FinFET的单粒子瞬态与Fin结构的相关性研究[J].微电子学,2023,第2期邱宗玉，张万荣（北京工业大学信息学部微电子学院）.一种改进型共源-共栅-共漏有源电感[J].微电子学,2023,第2期熊化兵，李金龙，胡琼，赵光辉，张文烽，谈侃侃（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.引线键合在温度循环下的键合强度衰减研究[J].微电子学,2023,第2期首页上一页 2 3 4 5 6 下一页尾页共有6页，转到页

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