期刊的影响因子--文章列表

期刊文章列表
靳闪闪^1,2，禹益善^1,2，郝洪顺^1,2，田庭燕³，朱唐龙^1,2，秦磊⁴，高文元^1,2，刘贵山^1,2（大连工业大学无机非金属材料工程系；大连工业大学新材料与材料改性省高校重点实验室；北京中材人工晶体研究院有限公司；大连工业大学国家海洋食品工程技术研究中心）.SrSnO₃∶Sm³⁺/TiO₂复合光阳极的制备及其光电性能[J].发光学报,2016,第7期翟永清，韩英，张弯，殷艳杰，赵鑫，王莉莉（河北大学化学与环境科学学院）.CaMoO₄∶Dy黄绿色荧光粉的微波合成及掺杂PO₄^3-的荧光增强效应[J].发光学报,2016,第7期雷珺，郭伟玲，李松宇，谭祖雄（北京工业大学电控学院光电子技术省部共建教育部重点实验室）.功率高压LED模组在不同应力下的老化实验[J].发光学报,2016,第7期牛萍娟^1,2，吴英蕾¹，于莉媛^1,2，朱文睿¹，刘超¹，杨洁¹（天津工业大学电子与信息工程学院；天津工业大学电气工程与自动化学院）.电子辐照GaN基LED的缺陷光学性能研究[J].发光学报,2016,第7期胡守重，侯尚林，刘延君，王道斌，雷景丽（兰州理工大学理学院）.双包层太赫兹光子晶体光纤的传输特性[J].发光学报,2016,第7期李小芳¹，冯小强¹，杨声²，朱元成¹（天水师范学院化工学院；定西师专化学系）.席夫碱稀土配合物与DNA的作用方式[J].发光学报,2016,第7期刘保生，李彤彤，张秋菊，崔萌萌，段韶彤（河北大学化学与环境科学学院河北省分析科学技术重点实验室）.不同光谱法用于药物与蛋白相互作用的比较研究[J].发光学报,2016,第7期胡晓龙^1,2，齐赵毅^1,3，黄华茂^1,2，王洪^1,2,3（华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心；华南理工大学物理与光电学院；华南理工大学电子与信息学院）.基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化[J].发光学报,2016,第7期董丽娟¹，石泰侠²，邓富胜¹，刘丽想¹，石云龙¹，刘艳红¹（山西大同大学微结构电磁功能材料省市共建山西省重点实验室；太原理工大学材料科学与工程学院）.损耗型单负材料双层异质结构的反常场局域[J].发光学报,2016,第7期孙鹏^1,2，王超²，元光¹，李俊杰²，顾长志²（中国海洋大学信息科学与工程学院物理系；中国科学院物理研究所北京凝聚态国家实验室）.金刚石锥阵列的无掩膜刻蚀制备及其形貌演变机制[J].发光学报,2016,第7期徐昌一（发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所）.石墨烯应用于GaN基材料的研究进展[J].发光学报,2016,第7期刘丽杰¹，吴远大¹，王玥¹，安俊明¹，胡雄伟¹，王佐²（中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室；河南仕佳光子科技有限公司）.1 310 nm垂直腔面发射激光器芯片制备技术的研究进展[J].发光学报,2016,第7期刘青明^1,2，卢太平^1,2，朱亚丹^1,2，韩丹^1,2，董海亮^1,2，尚林^1,2，赵广洲^1,2，赵晨^1,2，周小润^1,2，翟光美^1,2，贾志刚^1,2，梁建^1,2，马淑芳^1,2，薛晋波^1,2，李学敏^1,2，许并社^1,2（太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室；太原理工大学新材料工程技术研究中心）.中高温GaN插入层厚度对蓝光LED光电性能的影响[J].发光学报,2016,第7期申继伟¹，罗为¹，杜锦丽²（南京理工大学紫金学院电子工程与光电技术学院；中国药科大学理学院）.非晶态Si/SiN_x超晶格材料的发光与非线性光学特性[J].发光学报,2016,第7期刘泽明，徐建萍，李霖霖，张旭光，董晓菲，任鹏飞，李岚（天津理工大学材料物理研究所光电器件与显示材料教育部重点实验室天津市光电显示材料与器件重点实验室）.聚合物/碳量子点复合EL器件及光谱移动机理[J].发光学报,2016,第7期王子儒，张光华，郭明媛（陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室）.N掺杂碳量子点光稳定剂的制备及光学性能[J].发光学报,2016,第6期黄波^1,2，童玉珍²，李成明²，胡西多³，何苗^1,4，郑树文⁴，李述体⁴（华南师范大学光电子材料与技术研究所广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室；北京大学东莞光电研究院；东莞理工学院电子工程学院；华南师范大学广东省光电功能材料与器件工程技术研究中心）.基于荧光玻璃的高效LED白光技术[J].发光学报,2016,第6期戚伟^1,2，邵海峰²，余辉²，江晓清²（浙江大学城市学院信息与电气工程学院；浙江大学信息与电子工程学院）.基于侧向PN结和交趾型PN结的硅基Mach-Zehnder调制器的二阶谐波失真特性[J].发光学报,2016,第6期肖林久，耿艳丽，谢颖，姜新东，崔永强，汪书东（沈阳化工大学辽宁省稀土化学及应用重点实验室）.紫外激发Ba₂SiO₄:Gd³⁺，Tb³⁺的发光性能[J].发光学报,2016,第6期张奇灵¹，尧舜¹，杨翠柏²，张杨²，陈丙振¹，常晓阳¹，王智勇¹（北京工业大学激光工程研究院；瑞德兴阳新能源技术有限公司）.不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池[J].发光学报,2016,第6期唐远菊¹，庄锦勇²，苏文明²，张东煜²，崔铮²，郝健¹（上海大学理学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所印刷电子技术研究中心）.溶液法制备基于新型热交联主体材料OLED器件的研究[J].发光学报,2016,第6期鲁麟^1,2，李明潮^1,2，许福军³，江明^1,2，陈其工^1,2（安徽工程大学电气工程学院；安徽工程大学检测技术与节能装置安徽省重点实验室；北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心）.In组分梯度渐变的n-i-p结构InGaN太阳能电池性能研究[J].发光学报,2016,第6期熊小莉¹，薛康¹，尤超¹，纪煜垚¹，肖丹²（四川师范大学化学学院；四川大学化学学院）.化学腐蚀法制备荧光多孔硅及对Ag⁺的检测[J].发光学报,2016,第6期阿依吐尔逊·阿布都热依穆^1,2，何久洋^1,2，艾尔肯·斯地克^1,2（新疆师范大学物理与电子工程学院；新疆矿物发光材料及其微结构实验室）.Tb³⁺掺杂方钠石荧光粉的制备及发光性质研究[J].发光学报,2016,第6期武大猷^1,2，文林¹，汪朝敏³，何承发¹，郭旗¹，李豫东¹，曾俊哲^1,2，汪波^1,2，刘元^1,2（中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院大学；重庆光电技术研究所）.电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究[J].发光学报,2016,第6期王启超¹，汪家春¹，王科伟²，苗雷¹，赵大鹏¹，刘洋¹（电子工程学院脉冲功率激光技术国家重点实验室；中国人民解放军陆航部驻西安地区军事代表室）.布料的太赫兹波透射特性研究[J].发光学报,2016,第6期黄逸峰，李潇，高培丽，高淑梅（江南大学理学院江苏省轻工光电工程技术研究中心）.侧入式导光板网点全自动优化设计研究[J].发光学报,2016,第6期郑亚开¹，韦一¹，孙磊²，陈真¹，彭应全^1,2，唐莹¹（中国计量学院光学与电子科技学院；兰州大学物理科学与技术学院）.衬底温度对TiOPc光敏有机场效应管的影响[J].发光学报,2016,第6期首页上一页 3 4 5 6 7 下一页尾页共有10页，转到页

期刊文章列表