期刊的影响因子--文章列表

期刊文章列表
隆万洪^1,2，黄文韬³，吴振川^1,2，徐宽茂¹，蒋凯旋¹（中国科学院上海高等研究院；中国科学院大学；展讯通信有限公司）.基于集成无源器件工艺的射频功率分配器设计[J].半导体技术,2016,第5期王维¹，顾国栋¹，敦少博²，吕元杰²（河北半导体研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室）.AlGaN背势垒对SiC衬底AlN/GaN HEMT器件的影响[J].半导体技术,2016,第5期任俊华，李用兵，刘晓峰，余若祺，黄雒光（中国电子科技集团公司第十三研究所）.S波段GaN微波功率管脉冲射频加速寿命试验[J].半导体技术,2016,第5期陈君涛，王绍权，廖余立（中国电子科技集团公司第十三研究所）.X波段SiGe BiCMOS功率放大器设计[J].半导体技术,2016,第5期（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2016,第5期刘翔凯¹，李泽华²，张发焕²，皮孝东¹（浙江大学材料科学与工程学院；夷陵中学）.具有优异发光性能的钙钛矿量子点研究进展[J].半导体技术,2016,第4期朱智勇，段吉海，邓进丽，韦雪明，赵洪飞（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室）.一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源[J].半导体技术,2016,第4期陆晓东，赵洋，王泽来，张鹏，吴元庆，张宇峰，周涛（渤海大学新能源学院）.施主型杂质对单晶硅中少子衰减过程的影响[J].半导体技术,2016,第4期唐琰，王颖（哈尔滨工程大学）.无结器件的单粒子辐射效应[J].半导体技术,2016,第4期王柳敏¹，金锐²，徐晓轶³，谢刚¹，盛况¹（浙江大学电气工程学院；国网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所；国家电网公司南通供电公司）.带有p型柱体的三维阳极短路LIGBT结构[J].半导体技术,2016,第4期李丹阳，蔡金燕，孟亚峰，朱赛（军械工程学院电子与光学工程系）.基因循环存储模块的SEU自检[J].半导体技术,2016,第4期赵欣¹，朱世富²，李梦¹（中国民用航空飞行学院；四川大学材料科学与工程学院）.磷锗锌晶体生长技术研究进展[J].半导体技术,2016,第4期樊欣欣¹，禹旺明²，陈晓娟^1,3（东北电力大学信息工程学院；中国烟草总公司湖南省公司；长春理工大学电子信息工程学院）.随机电报信号噪声时间参数的提取方法[J].半导体技术,2016,第4期梁勃¹，王文基²（中国电子科技集团公司第十三研究所；空军驻石家庄地区军代室）.百兆瓦级RSD脉冲功率组件及其在岩石爆破中的应用[J].半导体技术,2016,第4期李远鹏，魏洪涛，刘永强（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一款超宽带低噪声放大器MMIC[J].半导体技术,2016,第4期冯威，刘如青，胡志富，魏碧华（中国电子科技集团公司第十三研究所）.W波段InP HEMT MMIC功率放大器[J].半导体技术,2016,第4期王会智¹，吴洪江²，张力江²，冯志红¹，崔玉兴²（中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室；中国电子科技集团公司第十三研究所）.S波段GaN功率放大器MMIC[J].半导体技术,2016,第4期杜光伟¹，李佳²，胡志富¹，冯志红²，宋旭波¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室）.石墨烯场效应晶体管的非线性模型[J].半导体技术,2016,第4期陈晓娟^1,2，樊欣欣²，吴洁³（长春理工大学电子信息工程学院；东北电力大学信息工程学院；北华大学电气信息工程学院）.短沟道MOS器件随机电报信号噪声的检测与分析[J].半导体技术,2016,第3期林长龙，郭振义，孙欣茁，梁科，王锦，李国峰（南开大学电子信息与光学工程学院）.应用于TCXO的高性能温度传感器设计[J].半导体技术,2016,第3期刘立滨¹，张伟¹，周伟²，王全²，许军¹，梁仁荣¹（清华大学微电子研究所信息科学学院国家重点实验室；上海集成电路研发中心有限公司）.绿色激光退火对多晶锗硅薄膜特性的影响[J].半导体技术,2016,第3期井红旗，赵懿昊，吴霞，王鑫，刘素平，马骁宇（中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心）.Parylene膜对半导体激光器性能的影响[J].半导体技术,2016,第3期陶庆斌^1,2，宋贺伦¹，茹占强¹，张耀辉^1,2（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；中国科学院大学）.无刷直流电机中霍尔传感器芯片设计[J].半导体技术,2016,第3期首页上一页 3 4 5 6 7 下一页尾页共有7页，转到页

期刊文章列表