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徐海铭，王印权，郑若成，洪根深（中国电子科技集团公司第58研究所）.应用于OTP单元的高可靠性MTM反熔丝特性[J].电子与封装,2017,第3期
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陆锋1,2，葛兴杰1（江南大学物联网工程学院；中国电子科技集团公司第58研究所）.超低温漂带隙基准电压源设计[J].电子与封装,2017,第3期
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姜汝栋1，蔡依林2，李小亮1（中国电子科技集团公司第58研究所；中国电子技术标准化研究院）.多电源域集成电路静电放电试验方法研究[J].电子与封装,2017,第3期
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赵博.硼烯朝电子器件应用迈进一大步[J].电子与封装,2017,第3期
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姜颖洁（上海交通大学；中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.Overlay chart 管控方法的研究[J].电子与封装,2017,第3期
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李星悦.Navitas发布首个半桥氮化镓功率集成电路[J].电子与封装,2017,第3期
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李星悦.LG公布世界首个70 mWUV-C LED[J].电子与封装,2017,第3期
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常乾，朱媛，曹玉媛，丁荣峥（中国电子科技集团公司第58研究所）.夹层式叠层芯片引线键合技术及其可靠性[J].电子与封装,2017,第2期
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李燕妃，吴建伟，谢儒彬，洪根深（中国电子科技集团公司第58研究所）.0.18 μm CMOS器件SEL仿真和设计[J].电子与封装,2017,第2期
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顾晓雪，顾定富（中国电子科技集团公司第58研究所）.电源完整性分析及应用[J].电子与封装,2017,第2期
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戴立新1，冯立康1，洪国东1，陈珍海2，叶爱民3（黄山市七七七电子有限公司；中国电子科技集团公司第58研究所；江西省电力公司）.用于高速流水线ADC的低抖动多相时钟产生电路[J].电子与封装,2017,第2期
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吉兵，陈振娇，王兆尹，范炯（中国电子科技集团公司第58研究所）.基于FPGA的Rijndael-Ecc 加密系统的实现[J].电子与封装,2017,第2期
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赵丹，邹嘉佳，范晓春，管美章（中国电子科技集团公司第38研究所）.一种新型PTFE 覆铜板的精细图形制作前处理工艺优化[J].电子与封装,2017,第2期
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欧熠1，王尧1，冉龙明2，张怡1（重庆声光电技术研究所；中国人民解放军空军驻重庆地区军事代表室）.一种航天用光电耦合器内部气氛含量优化控制[J].电子与封装,2017,第2期
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周昊，刘世超，申艳艳，程凯（中国电子科技集团公司第55研究所）.大尺寸CMC外壳的平面度研究[J].电子与封装,2017,第2期
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徐海铭，顾祥（中国电子科技集团公司第58研究所）.编程MTM反熔丝的特征电压研究[J].电子与封装,2017,第2期
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宋长庚（上海交通大学）.SADP工艺中一类特殊二维图形的分解处理[J].电子与封装,2017,第2期
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胡成煜，顾益俊，李富华（苏州大学）.一种低功耗带隙基准电压源的设计[J].电子与封装,2017,第2期
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李星悦.LED供应商将在2017年大举进军利基市场[J].电子与封装,2017,第2期
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李江达，薛培，魏斌（中国电子科技集团公司第58研究所）.一种高功率密度T/R组件的设计[J].电子与封装,2017,第2期
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赵博.密歇根大学推进毫米级计算机研制，搭载深度学习神经网络芯片[J].电子与封装,2017,第2期
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董宜平，谢文虎，李光（中国电子科技集团公司第58研究所）.基于Virtex 4 FPGA的全覆盖二倍线内建自测试[J].电子与封装,2017,第1期
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徐玉婷1，耿杨1，董宜平2，胡凯2（无锡中微亿芯有限公司；中国电子科技集团公司第58研究所）.一种用于FPGA存储单元的上电复位状态机设计[J].电子与封装,2017,第1期
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王兴宏1，涂波1，闫华2，张艳飞1（中国电子科技集团公司第58研究所；无锡中微亿芯有限公司）.基于FPGA可配置任意整数半整数50%占空比时钟分频的实现[J].电子与封装,2017,第1期
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时璇，马其琪（中国电子科技集团公司第二研究所）.用于雷达的LTCC基板过载加速度的小波分析[J].电子与封装,2017,第1期
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