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简勋，张希军，杨洁（军械工程学院静电与电磁防护研究所）.小电流晶闸管静电放电损伤特性研究[J].半导体技术,2016,第3期张滨¹，杨柳²，谢媛媛²，李富强²，魏洪涛¹，方园²（中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室；中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于GaAs E/D PHEMT工艺的6～10 GHz多功能MMIC[J].半导体技术,2016,第3期周志文，叶剑锋，李世国（深圳信息职业技术学院电子与通信学院）.界面层对金属与n型Ge接触的影响[J].半导体技术,2016,第3期李理（深圳方正微电子）.一种新型高压功率器件终端结构的实现[J].半导体技术,2016,第3期付兴中，赵金霞，崔玉兴，付兴昌（中国电子科技集团公司第十三研究所）.AlGaN/GaN HEMT器件结构退化影响因素的研究现状[J].半导体技术,2016,第3期赵润，宁吉丰，车相辉，蒋红旺，陈宏泰（中国电子科技集团公司第十三研究所）.低阈值980nm单模半导体激光器[J].半导体技术,2016,第3期李晋，陈君涛，黎敏强，蒋永红，赵瑞华（中国电子科技集团第十三研究所）.一款基于CMOS工艺的可编程VCXO芯片设计[J].半导体技术,2016,第3期袁凤坡，王波，潘鹏，王静辉，唐景庭（中国电子科技集团公司第十三研究所）.变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响[J].半导体技术,2016,第3期袁配^1,2，吴远大²，王玥²，安俊明²，胡雄伟²（河南仕佳光子科技有限公司；中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室）.SOI基亚微米级光功率可调波分复用/解复用器[J].半导体技术,2016,第3期（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2016,第3期胡帅帅，周玉梅，张锋（中国科学院微电子研究所）.基于E-TSPC技术的10 GHz低功耗多模分频器的设计[J].半导体技术,2016,第2期周志文，沈晓霞，李世国（深圳信息职业技术学院电子与通信学院）.硅衬底上锗外延层的生长[J].半导体技术,2016,第2期李哲¹，胡冬青¹，金锐²，贾云鹏¹，谭健¹，周璇¹，赵豹¹（北京工业大学电子信息与控制工程学院；国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所）.电荷耦合内透明集电极IGBT设计与仿真[J].半导体技术,2016,第2期穆继亮^1,2，何剑^1,2，张鹏¹，马宗敏^1,2，丑修建^1,2，熊继军^1,2（中北大学仪器与电子学院；中北大学中北大学国防科技重点实验室）.溅射功率对HfO₂薄膜结构及电学性能的影响[J].半导体技术,2016,第2期王坤^1,2，程新红²，王林军¹，徐大伟²，张专²，李新昌²（上海大学材料科学与工程学院；中国科学院上海微系统与信息技术研究所汽车电子工程中心）.0.13 μm CMOS Stacked-FET两级功率放大器设计[J].半导体技术,2016,第2期周才能，岳瑞峰，王燕（清华大学微电子学研究所）.碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展[J].半导体技术,2016,第2期赵润，张晓光，曹晨涛，车相辉（中国电子科技集团公司第十三研究所）.均匀光栅DFB激光器光电特性研究[J].半导体技术,2016,第2期林丽艳，李用兵（中国电子科技集团第十三研究所）.GaAs PHEMT低噪声放大器氢效应机理分析[J].半导体技术,2016,第2期周春锋，兰天平，周传新（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.p型Ge单晶VGF生长位错抑制研究[J].半导体技术,2016,第2期杨洪星，陈晨，王云彪，何远东，耿莉（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.一种高效的锗单晶抛光片清洗液[J].半导体技术,2016,第2期房玉龙¹，王现彬¹，吕元杰¹，王英民²，顾国栋¹，宋旭波¹，尹甲运¹，冯志红¹，蔡树军¹，赵正平¹（中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室；中国电子科技集团公司第二研究所）.N极性GaN/AlGaN异质结和场效应晶体管[J].半导体技术,2016,第2期马金龙，卢礼兵（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.用于反熔丝FPGA的内建测试电路[J].半导体技术,2016,第2期赵正平（中国电子科技集团公司；中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室）.GaN高频开关电力电子学的新进展(续)[J].半导体技术,2016,第2期（SEMI中国）.安徽省首家半导体行业协会在池州成立[J].半导体技术,2016,第2期贾美思，张素娟，陈政平（北京航空航天大学可靠性与系统工程学院）.超声扫描技术在倒装焊器件中的应用[J].半导体技术,2016,第2期潘辉，王胜利，张乐，王辰伟，高娇娇（河北工业大学微电子研究所）.H₂O₂基的碱性阻挡层抛光液对Co CMP的影响[J].半导体技术,2016,第1期首页上一页 4 5 6 7 下一页尾页共有7页，转到页

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