期刊的影响因子--文章列表

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胡思聪，吴丰顺，莫丽萍，刘辉，周政（华中科技大学材料科学与工程学院）.聚合物基热界面材料的研究现状[J].电子元件与材料,2018,第12期郑艳，熊祥正，张彦婷，高飞龙（西南交通大学物理科学与技术学院）.用于探地雷达的超宽带介质埋藏天线设计[J].电子元件与材料,2018,第12期王之哲，陈思，唐莎，孙宇，王小强（工业和信息化部电子第五研究所）.固态微波器件防自激测试夹具研究[J].电子元件与材料,2018,第12期鲍婕^1,2，宁仁霞²，许媛²，徐文艺³（黄山学院机电工程学院；黄山学院半导体技术与微系统研究所；黄山宝霓二维新材科技有限公司）.二维材料在电力电子器件中的散热应用[J].电子元件与材料,2018,第12期周国云，吴涛，朱颖，何为，王守绪（电子科技大学材料与能源学院）.印制电路板铜线路化学沉积NiCr合金表面结合力增强研究[J].电子元件与材料,2018,第12期邵辉，邱明龙，全永强，许超胜（江苏科技大学材料科学与工程学院）.B₂O₃添加剂对Ti_1-_xCu_x_/3Nb₂_x_/3O₂(x=0.23)微波介质陶瓷结构与性能的影响[J].电子元件与材料,2018,第12期屈婧婧^1,2，魏星¹，马莉³，刘飞²，袁昌来⁴（桂林航天工业学院科技处；桂林电子科技大学机电工程学院；桂林航天工业学院计算机科学与工程学院；桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室）.Li₂O 添加对 Sr_0.24La_0.18Na_0.18Nd_0.4Ti_0.6Al_0.4O₃微波陶瓷烧结及介电性能的影响[J].电子元件与材料,2018,第12期牛利刚^1,2，王玉林^1,2，滕鹤松^1,2，李聪成^1,2（中国电子科技集团公司第五十五研究所；扬州国扬电子有限公司）.叠层双面冷却功率模块封装性能研究[J].电子元件与材料,2018,第12期杨治安^1,2，艾亮^1,2，陶艳军^1,2，肖威^1,2（湖南艾华集团股份有限公司；湖南省特种电容器工程技术中心）.450 V低温、长寿命仪器仪表用铝电解电容器研究[J].电子元件与材料,2018,第12期杜国芳，杨海燕，杨海涛，刘杰，单嵛琼，李旋（昭通学院物理与信息工程学院）.稀土Ce掺杂花状SnO₂分级结构的制备与气敏性能[J].电子元件与材料,2018,第12期代鲲鹏，张凯，林罡（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.GaN太赫兹肖特基变容二极管倍频效率的研究[J].电子元件与材料,2018,第12期董健¹，庄鑫¹，谭顺余¹，姜泽锋²，邓联文²（中南大学信息科学与工程学院；中南大学物理与电子学院）.一种旋转圆极化阵元产生OAM波束的圆形阵设计方法[J].电子元件与材料,2018,第12期李慧¹，王荔田¹，季鲁¹，何明^1,2，赵新杰¹（南开大学电子信息与光学工程学院；天津市光电传感器与传感网络技术重点实验室）.基于多模谐振器的三通带与四通带滤波器设计[J].电子元件与材料,2018,第12期任舰，苏丽娜，李文佳（淮阴师范学院计算机科学与技术学院）.高场应力下晶格匹配 In_0.17Al_0.83N/GaN HEMT退化研究[J].电子元件与材料,2018,第12期史书刚^1,2，张秀¹，陈天磊¹，周瑞山¹（中国振华集团云科电子有限公司；贵州振华电子信息产业有限公司）.片式合金箔电阻高精度加工技术的研究[J].电子元件与材料,2018,第12期王爽，吕宝占（河南理工大学机械与动力工程学院）.典型压电俘能器的发展现状与俘能机理分析[J].电子元件与材料,2018,第11期王可，张文聪，詹益昌，谢辉，王悦辉（电子科技大学中山学院材料与食品学院）.纳米银导电墨水的制备及导电性研究[J].电子元件与材料,2018,第11期熊明月¹，张亮^1,2，刘志权²，龙伟民³，钟素娟³（江苏师范大学机电工程学院；中国科学院金属研究所；郑州机械研究所新型钎焊材料与技术国家重点实验室）.微量元素对SnAgCu/Cu界面金属间化合物的影响研究综述[J].电子元件与材料,2018,第11期李鑫，罗洁，任丁（四川大学原子核科学技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室）.电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列[J].电子元件与材料,2018,第11期郑雨佳¹，王柏予¹，汪晗¹，曹宏^1,2，薛俊^1,2（武汉工程大学材料科学与工程学院；国家磷资源开发利用工程技术研究中心）.以沉淀白炭黑为硅源合成钐掺杂碳化硅的研究[J].电子元件与材料,2018,第11期王月¹，李雪¹，李超¹，王春杰²（渤海大学新能源学院；渤海大学工学院）.不同合成方法对纳米 La2(Zr0.7Ce0.3)2O7晶体生长活化能的影响[J].电子元件与材料,2018,第11期雷涛^1,2,3，张铎²，向天宇³，周瑞山²，朱晓维¹（东南大学信息科学与工程学院毫米波国家重点实验室；中国振华集团云科电子有限公司；贵州师范大学机械与电气工程学院）.基于工字型双模谐振器的双阶带通滤波器设计[J].电子元件与材料,2018,第11期刘晓倩，孙岩洲，赵铁英（河南理工大学电气工程与自动化学院）.改进窗函数下的忆阻器特性分析和研究[J].电子元件与材料,2018,第11期何茗（成都工业学院电子工程学院）.复合陶瓷(Ba1-xSrx)5Nb4O15-B2O3的结构和微波介电性能[J].电子元件与材料,2018,第11期刘丹丹，马铭磷，蔡兴龙（湘潭大学信息工程学院）.基于三谐振网络的超宽带低噪声放大器[J].电子元件与材料,2018,第11期王放，曾慧中，张万里（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.Ar+轰击SrTiO3表面缺陷的模拟计算方法研究[J].电子元件与材料,2018,第11期席国喜，张烨，赵婷婷，敦长伟，衡晓莹（河南师范大学化学化工学院）.以废旧锂电池为原料制备双稀土掺杂的CoFe2O4[J].电子元件与材料,2018,第11期胡建东¹，S.TOSTO²，程春明³，王红海⁴（吉林大学材料科学与工程学院；欧洲核能开发署先进物理技术和新材料研究部；江西嘉陶无机材料有限公司；苏州均海镀膜科技有限公司）.渗硼镀膜法制备TiBN薄膜的电子导电性及其潜在应用前景[J].电子元件与材料,2018,第11期朱涤非，钟世昌（南京电子器件研究所）.S波段40 W GaN高效率内匹配功率放大器的设计[J].电子元件与材料,2018,第11期首页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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