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田胜骏^1,2，王胜利^1,2，王辰伟^1,2，王彦^1,2，田骐源^1,2，腰彩虹^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；河北工业大学微电子研究所）.新型碱性抛光液各组分对铜化学机械平坦化性能的影响[J].半导体技术,2017,第12期张翀，谢晶，谢泉（贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所）.MgO缓冲层对Si衬底上制备Fe₃Si薄膜性能的影响[J].半导体技术,2017,第12期俞德军，孙明远，宁宁，刘洋（电子科技大学微电子与固体电子学院）.一款高精度低电流的两级高电压电源调整电路[J].半导体技术,2017,第12期徐辉¹，董文祥²，易茂祥³（安徽理工大学计算机科学与工程学院；安徽理工大学电气与信息工程学院；合肥工业大学）.一种抗老化消除浮空点并自锁存的老化预测传感器[J].半导体技术,2017,第12期方俊杰，姚兴军，杨家辉（华东理工大学机械与动力工程学院）.焊球正六边形排布倒装芯片的下填充毛细压研究[J].半导体技术,2017,第12期吴嵘，刘雪红，许文祥，张恒波（武汉理工大学机电工程学院湖北省数字制造重点实验室）.基于.NET平台的LED光电参数测量系统设计与实现[J].半导体技术,2017,第12期王永涛，赵而敬，尚锐刚，李明飞，鲁进军，张建，蔡丽艳（有研半导体材料有限公司）.抛光工艺对硅片表面Haze值的影响[J].半导体技术,2017,第12期罗超^1,2，张保国^1,2，孙强³，张启明³，张礼^1,2，缪玉欣^1,2，韩丽楠^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室；中国电子科技集团公司第十八研究所）.晶圆键合技术在LED应用中的研究进展[J].半导体技术,2017,第12期腰彩红^1,2，牛新环^1,2，赵欣^1,2，王辰伟^1,2，刘玉岭^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究[J].半导体技术,2017,第12期张凯^1,2，刘玉岭^1,2，王辰伟^1,2，张文倩^1,2，韩丽楠^1,2，任利鹏^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.硅衬底CMP过程中抛光雾的控制[J].半导体技术,2017,第12期董大年¹，汪毓铎¹，吕杭炳²，姚志宏²，冯雪²，余兆安²（北京信息科技大学信息与通信工程学院；中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室）.阻变存储阵列的自动化测试系统[J].半导体技术,2017,第12期郭春生，孟菊，廖之恒，冯士维，王勋，罗琳（北京工业大学信息学部微电子学院）.热源尺寸对AlGaN/GaN HEMT器件热阻的影响机理[J].半导体技术,2017,第12期薛喆¹，何进¹，陈婷¹，王豪¹，常胜¹，黄启俊¹，许仕龙²（武汉大学物理科学与技术学院；中国电子科技集团公司第五十四研究所）.基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计[J].半导体技术,2017,第12期胡建强，仇圣棻（中芯国际集成电路制造有限公司）.栅侧壁隔离层对45 nm NOR闪存栅极干扰的影响[J].半导体技术,2017,第12期高楠¹，房玉龙²，尹甲运²，刘沛³，王波¹，张志荣¹，郭艳敏²，顾国栋¹，王元刚¹，冯志红²，蔡树军²（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室；航天科技集团公司标准化研究院）.基于AlN和GaN形核层的AlGaN/GaN HEMT外延材料和器件对比[J].半导体技术,2017,第12期（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2017,第12期李淑萍¹，张志利²，付凯²，于国浩²，蔡勇²，张宝顺²（苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.标准氟离子注入实现增强型GaN基功率器件[J].半导体技术,2017,第11期王彦^1,2，王胜利^1,2，王辰伟^1,2，田胜骏^1,2，腰彩红^1,2，田骐源^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.碱性铜精抛液中表面活性剂ADS对平坦化效果的影响[J].半导体技术,2017,第11期刘锡锋，居水荣，石径，瞿长俊（江苏信息职业技术学院微电子学院）.一款高精度低功耗电压基准的设计与实现[J].半导体技术,2017,第11期陈新伟¹，于海洋²，徐华超²（福建省信息处理与智能控制重点实验室福州市机器人技术应用联合实验室；南开大学电子信息与光学工程学院）.应用于TCXO的新型五次方电压发生器的设计[J].半导体技术,2017,第11期徐卓^1,2，王红芳¹，王英超¹，李锋¹，史金超¹，张伟¹（光伏材料与技术国家重点实验室；英利能源(中国)有限公司）.高效单晶硅PERC局部背表面场及接触的优化[J].半导体技术,2017,第11期高立¹，廖之恒²，李世伟²，郭春生²（中国电子技术标准化研究院；北京工业大学微电子学院）.小尺寸栅极HEMT器件结温测量[J].半导体技术,2017,第11期刘江^1,2，高明超^1,2，朱涛^1,2，冷国庆^1,2，王耀华^1,2，金锐^1,2，温家良^1,2，潘艳^1,2（全球能源互联网研究院功率半导体研究所；先进输电技术国家重点实验室）.3300 V沟槽栅IGBT的衬底材料的优化设计[J].半导体技术,2017,第11期尚玉玲¹，于浩¹，李春泉²，谈敏¹（桂林电子科技大学电子工程与自动化学院；桂林电子科技大学机电工程学院）.基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法[J].半导体技术,2017,第11期张文倩^1,2，刘玉岭^1,2，王辰伟^1,2，季军^1,2，杜义琛^1,2，韩丽楠^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估[J].半导体技术,2017,第11期秦典成，李保忠，黄奕钊，肖永龙，张军杰（乐健科技(珠海)有限公司广东省LED封装散热基板工程技术研究中心）.陶瓷复合FR4结构界面形貌与导热性能[J].半导体技术,2017,第11期窦金龙^1,2，彭军华^1,2，邹平^1,2，刘栋^1,2（新型功率半导体器件国家重点实验室；株洲中车时代电气股份有限公司）.一种新颖的晶闸管串联均压的检验方法[J].半导体技术,2017,第11期马文静¹，杨瑞霞¹，郭艳敏²，王波³，房玉龙²，冯志红²（河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室；专用集成电路重点实验室；中国电子科技集团公司第十三研究所）.GaN外延用蓝宝石衬底的图形化研究进展[J].半导体技术,2017,第11期肖祥江，惠峰，董汝昆，吕春富（云南鑫耀半导体材料有限公司）.用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究[J].半导体技术,2017,第11期首页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有6页，转到页

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