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彭浩^1,2，李伟³，周晓黎^1,2，桂明洋^1,2，宋瑛⁴（中国电子科技集团公司第十三研究所；国家半导体器件质量监督检验中心；空军装备部驻石家庄地区军事代表室；河北工业职业技术学院环境与化学工程系）.分布式老炼试验电源监视系统的研制[J].半导体技术,2021,第12期何志刚，张玉兴，艾凯旋，梁栋程（中国工程物理研究院计量测试中心）.基于异质金属接触电化学腐蚀的MMIC阻性衰减器失效分析[J].半导体技术,2021,第12期余秋萍，赵志斌，赵斌，孙鹏（新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)）.多芯片SiC功率模块布局优化[J].半导体技术,2021,第12期胡鲲，翟爱平，冯琳，石林林，冀婷，李国辉，崔艳霞（太原理工大学物理与光电工程学院）.基于ALD技术的高性能光电探测器研究进展[J].半导体技术,2021,第12期吴会旺^1,2，刘建军²，米姣¹，薛宏伟¹，袁肇耿¹（河北普兴电子科技股份有限公司；河北师范大学物理学院）.300 mm直径硅外延片均匀性控制方法[J].半导体技术,2021,第12期韩博，李进，安百俊，石星宇，徐尊豪（宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室）.定向凝固法生长多晶硅中位错密度降低的研究进展[J].半导体技术,2021,第12期卢萍，侯荣国，吕哲，王湘田，王瑞（山东理工大学机械工程学院）.基于灰度值评估法制备纳米CeO₂胶体射流抛光液[J].半导体技术,2021,第12期陈威，王河，党景涛（中国电子科技集团公司第四十五研究所）.方形基片喷雾涂胶工艺的优化[J].半导体技术,2021,第12期刘启军^1,2，李诚瞻^1,2，罗海辉^1,2，卢吴越^1,2，龚芷玉^1,2，郑昌伟^1,2，李乐乐^1,2（株洲中车时代半导体有限公司；新型功率半导体器件国家重点实验室）.SiC JBS二极管衬底减薄与激光退火工艺[J].半导体技术,2021,第12期齐志华，谢媛媛（中国电子科技集团公司第十三研究所）.GaN MMIC六位数字衰减器的设计[J].半导体技术,2021,第12期李明昊¹，杨拥军^1,2，任臣¹，付迪²（中国电子科技集团公司第十三研究所；河北美泰电子科技有限公司）.应用于MEMS惯性器件的高精度Σ-Δ调制器[J].半导体技术,2021,第12期冯玉昆^1,2，于国浩²，吴冬东²，杜仲凯³，张炳良³，李新宇¹，张宝顺²（桂林理工大学理学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；苏州能屋电子科技有限公司）.干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性[J].半导体技术,2021,第12期《半导体技术》编辑部（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2021,第12期袁敏民¹，孔令韬²，毛成烈¹，常昌远²，郭鹏宇²（无锡力芯微电子股份有限公司；东南大学微电子学院）.采用高性能负压电荷泵的AMOLED驱动DC-DC转换器[J].半导体技术,2021,第11期王蕤^1,2，骆健^1,2，姚二现^1,2，董长城^1,2，刘旭光^1,2，杨阳³（南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司；南瑞联研半导体有限责任公司；国网山西省电力公司检修分公司）.基于Anand模型的柔性直流输电用IGBT模块焊接应力变形分析[J].半导体技术,2021,第11期高秀秀，邱乐山，戴小平（湖南国芯半导体科技有限公司）.氮退火对SiC MOSFET栅源电压漂移的影响[J].半导体技术,2021,第11期杜成林^1,2，蔡小龙^1,2，叶然^1,2，刘海军²，张煜²，段向阳²，祝杰杰³（移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室；中兴通讯股份有限公司；西安电子科技大学微电子学院）.GaN HEMT外延材料表征技术研究进展[J].半导体技术,2021,第11期余秋萍，赵志斌，孙鹏，赵斌（新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)）.基于分段拟合的SiC MOSFET模型优化方法[J].半导体技术,2021,第11期刘鹏浩¹，江弘胜²，张明丹¹，张晓琴¹，陈胜²，王文樑²，李国强²（中国电子科技集团重庆声光电有限公司；华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室）.Si衬底上Ge外延薄膜与器件研究进展[J].半导体技术,2021,第11期刘怡^1,2，张灏杰¹，柳炀¹，龚臻¹，张月升¹，宋大悦³（江苏长电科技股份有限公司；星科金朋半导体(江阴)有限公司；苏州住友电木有限公司）.混合烧结高散热导电胶的封装应用及性能[J].半导体技术,2021,第11期谢媛媛，吴洪江，赵子润 (中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051)（The 13 th Research Institute）.基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器[J].半导体技术,2021,第11期梁佳琦，权海洋，张佃伟，杨立（北京微电子技术研究所）.一款集成VCO宽带频率合成器[J].半导体技术,2021,第11期杨燎^1,2，陈宏¹，郑昌伟³，白云¹，杨成樾¹（中国科学院微电子研究所；中国科学院大学微电子学院；株洲中车时代半导体有限公司）.6.5 kV SiC光控晶闸管的研制[J].半导体技术,2021,第11期米姣¹，张涵琪²，薛宏伟¹，袁肇耿¹，吴会旺¹（河北普兴电子科技股份有限公司河北省硅基外延材料工程技术创新中心；中北大学理学院）.衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响[J].半导体技术,2021,第11期李涛¹，徐江涛¹，彭宇²（天津大学微电子学院；天津理工大学电气电子工程学院）.一种衬底电位自调整电源反向保护电路[J].半导体技术,2021,第11期潘奥霖^1,2,3，杜爱民^1,2,3（中国科学院地质与地球物理研究所地球与行星物理重点实验室；中国科学院地球科学研究院；中国科学院大学地球与行星科学学院）.氧化铪基铁电场效应晶体管存储器研究进展[J].半导体技术,2021,第10期白利娟^1,2，郑奇²，何慧敏²，李德健³，关媛³，韩顺枫³，曹立强²（中国科学技术大学微电子学院；中国科学院微电子研究所；北京智芯微电子科技有限公司）.电力高端控制芯片封装协同设计、仿真与验证[J].半导体技术,2021,第10期首页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有6页，转到页

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