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王歌1,2，杨帆1,2，王方圆1,2，杜浩毓1,2，王晓龙1,2，檀柏梅1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展[J].半导体技术,2022,第12期
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孙帅，陈中圆，崔梅婷，魏晓光（北京智慧能源研究院）.多芯片并联IGBT内部动态电流主动均匀分布机理[J].半导体技术,2022,第12期
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袁文迁1,2，胡应宏1,2，宋鹏1,2，季一润1,2，袁茜1,2，槐青1,2（国网冀北电力有限公司电力科学研究院；柔性直流输电运维检修技术国网冀北电力有限公司重点实验室）.MMC压接子模块动态特性测试及寄生参数分析[J].半导体技术,2022,第12期
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董杰1，刘丹璐1，许唐1，徐跃1,2（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室）.SPAD探测器深n阱保护环宽度对暗计数噪声的影响[J].半导体技术,2022,第12期
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王迎春1，马捷1，侯杰1，刘进松1，罗蕾2，任敏2，李泽宏2（济南市半导体元件实验所；电子科技大学电子科学与工程学院）.超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计[J].半导体技术,2022,第12期
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杜世远1,2，杨倩3,2（福建卫生职业技术学院；福州大学至诚学院；福州大学平板显示技术国家地方联合工程实验室）.激光照射对IDTBT突触晶体管突触权重的调控[J].半导体技术,2022,第12期
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胡兴欢，余纳，王书荣（云南师范大学云南省农村能源工程重点实验室）.真空法制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池的研究进展[J].半导体技术,2022,第12期
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钟岩1，张一鸣1，邓二平2，谢露红1，黄永章1（新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)；合肥工业大学电气与自动化工程学院）.压接型IGBT器件升温曲线测量方法[J].半导体技术,2022,第12期
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王生国1,2，高茂原1，边照科1，王彪1，韩雷1，刘帅1（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC[J].半导体技术,2022,第12期
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李静强1，赵哲言1，王生国1,2，付兴中1，魏碧华1（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.一种基于ASM-HEMT模型改进陷阱效应的GaN HEMT器件非线性模型[J].半导体技术,2022,第12期
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张胜男，王健，霍晓青，王英民，周金杰，程红娟（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.导模法生长的β-Ga2O3单晶的位错腐蚀坑显露面[J].半导体技术,2022,第12期
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陈湘锦，刘京亮，段雪，银军，吴洪江（中国电子科技集团公司第十三研究所）.超快响应GaN半导体光导开关的研制[J].半导体技术,2022,第12期
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（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》征稿启事[J].半导体技术,2022,第12期
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