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余国栋，汪珍胜，王储君，王维波，陶洪琪（南京电子器件研究所）.一种改进的高频GaN HEMT器件模型[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期王乔楠，王生明，邓世雄（中国电子科技集团公司第十三研究所）.PIN二极管限幅器线性度探究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期周洲¹，刘元¹，陈光胜²，石春琦¹，张润曦¹（华东师范大学微电子电路与系统研究所；上海东软载波微电子有限公司）.基于FPGA的毫米波雷达信号处理系统设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期徐潇迪^1,2，郭轩²，周磊²，季尔优²，武锦^1,2（中国科学院大学；中国科学院微电子研究所）.基于JESD204B的多通道数据同步传输设计与验证[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期吴维丽，刘奥，郭锐（南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室）.SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期王书晓^1,2，刘雨菲^1,2，孙嘉良^1,2，宋若谷^1,2，岳文成¹，余明斌¹，蔡艳¹（上海微系统与信息技术研究所；中国科学院大学）.基于TSV技术的硅光转接板器件的研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期潘传真，陈鹏，徐儒，丰建波，赵红，施毅，张荣，郑有炓（南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室）.表面电荷对GaN基HEMT器件输运特性影响的研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期王新军，杨勇，胡鹏，王向华（合肥工业大学光电技术研究院特种显示与成像技术安徽省技术创新中心）.热注入法制备的钕掺杂蓝光钙钛矿量子点[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期宁维莲¹，李玉霞¹，甘永进¹，覃斌毅¹，蔡文峰¹，杨瑞兆¹，蒋曲博²（玉林师范学院物理与电信工程学院；桂林电子科技大学广西光电信息处理重点实验室）.Ge基钙钛矿太阳能电池的数值模拟研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期薛海卫^1,2，沈婧¹，王进祥²，魏敬和¹（中国电子科技集团公司第五十八研究所；哈尔滨工业大学航天学院）.一种数字信号处理器的单粒子翻转加固设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期马飞¹，贵向泉²（无锡工艺职业技术学院机电与信息工程学院；兰州理工大学计算机与通信学院）.新型双层外延水平沟道恒流二极管结构的优化研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期杜晓松¹，沈秋华²（常州大学微电子与控制工程学院；中芯长电半导体(江阴)有限公司）.电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期吴焱，刘鹏飞，姜理利（南京电子器件研究所）.面向异质集成的Au-Sn、Au-In晶圆级键合[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期浦鈺钤，沈宏昌，童伟（南京国博电子有限公司）.基于SiGe BiCMOS工艺的宽带有源矢量合成移相器[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期蒲明臻¹，赵宏亮¹，鲜卓霖²，廖奎旭²，孙宝琛²，李旺²（辽宁大学物理学院；成都振芯科技股份有限公司）.低杂散、低相噪的电荷泵锁相环设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期王雷¹，王冬蕊¹，沈雁飞¹，姜理利¹，郁元卫^1,2，黄旼¹（南京电子器件研究所；微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期高汉超，王伟，于海龙，马奔，尹志军，李忠辉（微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所）.InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第4期刘小妮¹，刘斌²，张志浩^1,3，章国豪^1,3（广东工业大学信息工程学院；广州穗源微电子科技有限公司；3河源广工大协同创新研究院）.一种高电源电压抑制比的带隙基准电压源设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期戚永乐¹，王登贵¹，周建军¹，张凯¹，孔岑¹，孔月婵¹，于宏宇²，陈堂胜¹（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室；南方科技大学）.栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiN_x栅介质TDDB特性的影响[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期赵辉¹，刘太君¹，慕容灏鼎²，刘庆¹，周挺¹，代法亮¹（宁波大学信息科学与工程学院；深圳市检验检疫科学研究院）.高选择性5G毫米波SIW双频滤波器[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期张友俊，彭姚，吴国青（上海海事大学信息工程学院）.基于折叠短截线耦合理论的新型宽带带阻滤波器设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期刘波，崔洪波，余超（中国电子科技集团公司第55研究所）.CMOS芯片键合失效分析与研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期庞学满，周骏，梁秋实，刘世超（南京电子器件研究所）.基板堆叠型三维系统级封装技术[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期梁宸玮，钟世昌（南京电子器件研究所）.一种平衡式GaN内匹配宽带功率放大器设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期乔克¹，成海峰¹，王仁军¹，韩煦¹，马晓华²，喻先卫¹（南京电子器件研究所；火箭军装备部驻南京地区第二军事代表室）.6～18GHz超宽带功率放大器脊波导合成技术研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期丁勇，苏坪，夏新凡，张乐琦，刘永杰（上海无线电设备研究所）.用于无人机侦测的超宽带微波接收机研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期戴姜平，孙岩，李征，常龙，姚靖懿，程伟（南京电子器件研究所）.最高振荡频率为620GHz的0.25μm InP DHBT器件[J].固体电子学研究与进展,2021,第3期首页上一页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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