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夏志坚，蔡潇，文舸一（南京信息工程大学应用电磁学研究中心）.金属柜环境中的均匀场分布赋形阵列天线[J].固体电子学研究与进展,2022,第5期潘碑，葛振霆，陈鹏鹏，柳超，陈静，邵登云，刘霆，李宇轩（南京电子器件研究所）.基于3D-SiP集成技术的新型微波模块[J].固体电子学研究与进展,2022,第5期章军云¹，齐志央¹，凌志健¹，尹志军¹，王溯源¹，李信¹，王学鹏¹，陈堂胜^1,2（南京电子器件研究所；微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关[J].固体电子学研究与进展,2022,第5期许永康¹，鲍嘉明¹，陈瑞隆²，戴澜¹（北方工业大学；厦门工研院）.一种新型阻变存储器1T2R存储单元[J].固体电子学研究与进展,2022,第5期刘平^1,2，刘叶春²，苗轶如²（江苏省输配电装备技术重点实验室；湖南大学电气与信息工程学院）.基于瞬时功耗检测的SiC MOSFET短路保护策略[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期张友俊，马宗芳（上海海事大学信息工程学院）.基于阶梯阻抗谐振器的双模带通滤波器设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期马金龙^1,2，于宗光²，赵桂林²，刘国柱²，朱岱寅¹（南京航空航天大学电子信息工程学院雷达与微波光子技术教育部重点实验室；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.用于反熔丝FPGA的片上闭环电荷泵电路[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期周昕杰¹，张黎莉¹，王韬¹，郭刚²，陈启明²（中国电子科技集团公司第五十八研究所；中国原子能科学研究院抗辐射应用技术创新中心）.基于28nm体硅CMOS工艺位交织型抗辐射触发器加固结构[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期张红¹，张国成²，宁宇¹（福州大学物理与信息工程学院；福建工程学院微电子技术研究中心）.TiO₂缓冲层在SnS薄膜太阳能电池中的数值仿真研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期李玉霞¹，甘永进¹，覃斌毅¹，李清流¹，蒋曲博²，毕雪光¹，李璞¹，蔡文峰¹（玉林师范学院物理与电信工程学院；桂林电子科技大学广西光电信息处理重点实验室）.同质结钙钛矿太阳能电池性能优化研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期薛舫时，杨乃彬，陈堂胜（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌（续）[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期李峥¹，田志明¹，蔡滕¹，李若舟^1,2，于映^1,2，方玉明^1,2（集成电路科学与工程学院南京邮电大学；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学）.基于扁针头直写的银纳米线排列及图案化方法[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期吴浩¹，季渊^1,2，郑志杰¹，穆廷洲²（上海大学微电子研究与开发中心；上海大学机电工程与自动化学院）.面向超高清微显示器的20Gbps低抖动CDR设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期祝庆霖，胡炳坤，王仁军，成海峰（南京电子器件研究所）.2～18GHz超宽带固态功放合成技术的研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期朱臣伟¹，刘娟¹，唐昊²，赵逸涵¹，葛振霆¹，魏然¹，铁清木³（南京电子器件研究所；电子科技大学；云南大学）.基于协同仿真技术的超宽带射频微系统热电设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期王婕，李姣，严川，褚红军（南京电子器件研究所）.基于微波多层板的三维集成Ka波段馈电网络[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期王翼，周平，赵志飞，李赟（南京电子器件研究所）.使用3C/4H-SiC异质外延薄膜制备石墨烯[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期陶洪琪，张君直，张皓，蔡传涛，黄旼，张洪泽，焦宗磊，朱健（南京电子器件研究所）.超宽带硅基三维集成四通道收发微模组[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期陈鹏，李鹏，张斌（大连海事大学信息科学技术学院）.基于双面平行带线的小型化谐波抑制混合环[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期周远杰，罗寻，何峥嵘，王成鹤，范国亮，杨阳，徐佳丽（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种基于BIFET工艺的采样保持电路[J].固体电子学研究与进展,2022,第4期董志华¹，刘辉^1,2，曾春红²，张璇²，孙玉华²，崔奇²，程知群¹，张宝顺²（杭州电子科技大学电子信息学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期李聪成^1,2，王刚明^1,2，牛利刚^1,2，刘杰^1,2，高俊开^1,2（中国电子科技集团公司第五十五研究所；扬州国扬电子有限公司）.IGBT模块超声检测缺陷判据研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期陕宇皓，刘延飞，郑浩，彭征（西安高新技术研究所）.基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期刘涛，刘燚，王冯涛（曲靖师范学院物理与电子工程学院）.InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期夏晓娟^1,2，庄玉成^1,2，易磊^1,2，杨琨³（南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院；南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室；南京微盟电子有限公司）.一种大电流DDR终端线性稳压器的设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期薛舫时，杨乃彬，陈堂胜（南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期吉小莹^1,2，朱翔¹，孙健健¹，成海峰¹（南京电子器件研究所；东南大学毫米波国家重点实验室）.基于EBG封装技术的E波段功率合成放大器研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期杨阳，徐佳丽，黄治华（中国电科集团第二十四研究所）.一种超高速宽带运算放大器的设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期首页上一页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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