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杨颖¹，张志浩^1,2，袁丹丹³，章国豪^1,2（广东工业大学集成电路学院；河源广工大协同创新研究院；广东工业大学信息工程学院）.基于滤波器设计方法的GaN-on-Si 毫米波单刀双掷开关[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期王子轩，殷允金，张一驰，王山虎，王鑫（南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.一种基于占空比检测技术的快速启动晶体振荡器[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期许晨晨，段铸（南京信息工程大学应用电磁学研究中心）.基于混合结构的多模圆极化智能天线[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期郁鑫鑫，周建军，李忠辉，陶然，吴云，张凯，孔月婵，陈堂胜（南京电子器件研究所，中国电子科技集团公司碳基电子重点实验室；南京电子器件研究所，固态微波器件与电路全国重点实验室）.研究简讯：高耐压氧化镓射频场效应晶体管[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期喻晶¹，缪爱林¹，徐亮¹，朱鸿¹，陈敦军²（中天宽带技术有限公司；南京大学电子科学与工程学院）.横向增强型双侧栅结构GaN JFET 优化设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期刘丽珍（郑州联睿电子科技有限公司）.小型化窄条形宽带柔性天线[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期 Wu Y.，Huang Q.，Du L.，Wang T.，Chen Z.，Xu J.，Zhang B.Research and Design of High-attenuation-accuracy Variable Gain Amplifier[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期师勇阁¹，胡勇华^1,2，高秋辰¹（郑州大学国家超级计算郑州中心；湖南科技大学计算机科学与工程学院）.一种低噪声全差分电荷泵型锁相环的实现^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期张国桢，王聪，张宏立（新疆大学电气工程学院）.一种含隐藏吸引子的新型忆阻超混沌系统^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期赖桂森¹，谢桂泉¹，郭卫明¹，王晨涛¹，焦石¹，洪波²，张磊³（中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局；许继电气股份有限公司；西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司）.高压二极管阻断I-V特性研究^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期张超^1,2，王彩琳^1,2，刘园园¹，杨武华^1,2，苏乐¹（西安理工大学，电子工程系；西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室）.一种具有n型隐埋载流子存储层的BRT新结构^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期方宗华，黄磊磊，刘博晓，石春琦，张润曦（华东师范大学微电子电路与系统研究所）.级联PA的效率优化策略及其在55 nm CMOS E波段PA中的应用^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期郭静静¹，赵东敏¹，蔡志匡^1,2（南京邮电大学，集成电路科学与工程学院；南京邮电大学，射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室）.统计静态时序分析方法综述^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期贝斌斌，乐程毅（国网浙江省电力有限公司宁波供电公司）.Si/SiC混合并联功率器件开关模式优化及特性分析^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期邱一武，马艺珂，张平威，殷亚楠，周昕杰（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.增强型AlGaN/GaN HEMT器件中子位移损伤效应研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期杜勇，汤一铭，章博（南京邮电大学，电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院）.低成本高性能背腔缝隙阵列天线[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期廖龙忠，周国，毕胜赢，付兴中，张力江（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种用于砷化镓晶圆级堆叠的工艺技术[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期孙俊峰¹，姜理利¹，刘水平¹，郁元卫¹，朱健¹，黎明¹，陈章余²（南京电子器件研究所；江苏联合职业技术学院南京工程分院）.一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期李光超，蒋乐，豆兴昆，于天新，褚水清（中科芯集成电路有限公司）.0.3~3.0 GHz超宽带高精度数控移相器的设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期贺琪¹，赵晓松¹，张庆东¹，顾祥¹，赵杨婧²（中国电子科技集团公司第五十八研究所；南京信息工程大学电子与信息工程学院）.栅控二极管ESD工艺优化方法研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期张君直¹，凌显宝¹，袁汉钦²，田飞飞¹（南京电子器件研究所；海军装备部驻合肥地区军事代表室）.Pb₉₀Sn₁₀焊点硅基器件与PCB板组装的温循可靠性研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期张凯^1,2，朱广润^1,2，房柏彤^1,2，王伟凡^1,2，汪流^1,2，陈堂胜^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.低压硅基GaN 射频器件[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期斛彦生，黄旭，王毅，李剑锋，倪涛，银军，郭艳敏（中国电子科技集团公司第十三研究所）.X波段GaN千瓦级功率放大器的设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期曹敏华（本刊编辑部）.金刚石衬底异质集成GaN HEMT ——新一代固态微波功率器件——专访中国电科集团有限公司制造工艺领域首席科学家陈堂胜[J].固体电子学研究与进展,2023,第4期张圆¹，尉升升¹，丁攀¹，苏艳²，王德君¹（大连理工大学，电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院；大连理工大学，物理学院）.偏压应力下SiC/SiO₂界面间隙碳缺陷的结构和电学性质演变[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期万求真，马婧，计文奎，杨巧，陈思邈（湖南师范大学信息科学与工程学院）.无平衡点忆阻超混沌系统的动力学分析及电路实现[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期首页上一页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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