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林少鑫，张志浩，刘子林，蔡颖斌，章国豪（广东工业大学信息工程学院）.2.5～5 GHz宽带高增益驱动放大器[J].半导体技术,2021,第10期李蓉，杨非凡，周毅坚，彭文博，梅梦岩，赵洋，王辉（河南科技大学物理工程学院；河南省光电储能材料与应用重点实验室）.溅射温度对Ga₂O₃薄膜物理特性的影响[J].半导体技术,2021,第10期季鹏，杨乐，陈鲁，李成敏，张嵩（中科飞测科技股份有限公司）.聚焦位置对光谱椭偏仪膜厚测量的影响[J].半导体技术,2021,第10期谢露红¹，赵雨山¹，常桂钦²，邓二平¹，陈杰¹，黄永章¹（新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)；株洲中车时代半导体有限公司）.DC功率循环与PWM功率循环的差异对比分析[J].半导体技术,2021,第10期徐辉¹，孙聪¹，周乐¹，梁华国²，黄正峰²，李丹青²（安徽理工大学计算机科学与工程学院；合肥工业大学微电子学院）.基于双模互锁的抗三节点翻转锁存器设计[J].半导体技术,2021,第10期马平洋，饶留铭，高海军（杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室）.基于2 μm GaAs HBT工艺的宽频带多模分频器[J].半导体技术,2021,第10期索开南，张伟才，杨洪星，郑万超（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.硅溶胶抛光液对硅单晶抛光片表面质量的影响[J].半导体技术,2021,第10期张在涌^1,2,3，师翔^1,2,3，赵永瑞^1,2,3，谭小燕^1,3，邓嘉霖^1,3，史亚盼^1,3（河北新华北集成电路有限公司；中国电子科技集团公司第十三研究所；河北省移动通信用射频集成电路重点实验室）.应用于DC-DC转换器的电流采样电路[J].半导体技术,2021,第10期刘恩达¹，贺萌²，赵永志¹，李光福¹，赵宇¹，吴洪江¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；火箭军装备部驻北京地区第六军事代表室）.硅基MEMS高性能发夹型交叉耦合滤波器[J].半导体技术,2021,第10期张皓¹，王英民²，陈建丽¹，孟大磊¹（中国电子科技集团公司第四十六研究所；山西烁科晶体有限公司）.高纯度α-SiC粉料的合成[J].半导体技术,2021,第10期杨振涛，于斐，刘林杰，高岭（中国电子科技集团公司第十三研究所）.0.40 mm节距的CQFP设计与可靠性[J].半导体技术,2021,第10期周勇^1,2，蔡潇雨²，魏佳斯²（上海计测信息科技有限公司；上海市计量测试技术研究院）.白光干涉测量控制系统的集成化设计[J].半导体技术,2021,第9期林雪梅^1,2，李蒙蒙^2,3，龙世兵¹，李泠²（中国科学技术大学微电子学院；中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室；中国科学院大学）.基于降低有机场效应晶体管泄漏电流的研究进展[J].半导体技术,2021,第9期唐晓柯¹，李振国¹，郭海兵²，王源²（北京智芯微电子科技有限公司；北京大学微纳电子学系）.一种用于继电保护的电源钳位静电放电电路[J].半导体技术,2021,第9期翟世崇^1,2，李文昌^1,2，吴鸿昊^1,2，刘剑^1,2，鉴海防^1,2（中国科学院半导体研究所；中国科学院大学）.具有寄生电阻消除功能的远端测温芯片[J].半导体技术,2021,第9期乌李瑛，瞿敏妮，沈赟靓，田苗，马玲，王英，程秀兰（上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台）.等离子体增强原子层沉积制备压电AlN薄膜[J].半导体技术,2021,第9期高森，武娴，肖磊，王敬（清华大学微电子研究所）.基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性[J].半导体技术,2021,第9期陈飞，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT[J].半导体技术,2021,第9期周威，谭海军，黎燕，王家钰，钟福新（桂林理工大学化学与生物工程学院广西电磁化学功能物质重点实验室）.Ce掺杂Bi₂S₃/Fe₂O₃异质结的制备及其光电性能[J].半导体技术,2021,第9期姚婉青^1,2，刘红辉^1,2，柳月波^1,2，张佰君^1,2（中山大学电子与信息工程学院；中山大学光电材料与技术国家重点实验室）.低电阻GaN基太赫兹空气桥结构平面肖特基二极管[J].半导体技术,2021,第9期朱梓悦¹，秦海鸿²，潘国威¹，陈迪克¹（常州大学华罗庚学院机器人产业学院；南京航空航天大学自动化学院）.SiC MOSFET并联动态电流不均衡的无源补偿策略[J].半导体技术,2021,第9期武艳青¹，车相辉¹，张磊²，赵润¹，曹晨涛¹，董风鑫¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；石家庄市机械技工学校）.1 550 nm大功率低噪声分布反馈激光器芯片设计[J].半导体技术,2021,第9期刘武广¹，王增双²（中国电子科技集团公司第二十九研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种低相位噪声的毫米波压控振荡器[J].半导体技术,2021,第9期武伯贤，杨振涛，高岭，段强，余希猛（中国电子科技集团公司第十三研究所）.键合类陶瓷外壳结构对高频信号传输性能的影响[J].半导体技术,2021,第9期关潇男¹，谢志辉¹，南刚¹，冯辉君¹，戈延林^2,3（海军工程大学动力工程学院；武汉工程大学热科学与动力工程研究所；武汉工程大学机电工程学院）.3D堆叠芯片硅通孔的电-热-力耦合构形设计[J].半导体技术,2021,第8期赵媛媛^1,2，郑英奎²，康玄武²，孙跃²，吴昊²，魏珂²，刘新宇²（中国科学院大学微电子学院；中国科学院微电子研究所）.Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管[J].半导体技术,2021,第8期严贤雍，翟爱平，石林林，王文艳，冯琳，李国辉，郝玉英，崔艳霞（太原理工大学物理与光电工程学院）.基于表面等离激元热载流子效应的光解水研究进展[J].半导体技术,2021,第8期李珣，朱松冉，姜霞（河北工业大学电子信息工程学院）.小切角衬底上4H-SiC同质外延薄膜的形貌[J].半导体技术,2021,第8期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有6页，转到页

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