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陈晓娟^1,2，张一川²，袁静²，高润华²，殷海波^2,3，李艳奎²，刘新宇²，魏珂²（西安电子科技大学；中国科学院微电子研究所；天津市滨海新区微电子研究院）.低压应用的毫米波AlN/GaN MIS-HEMT器件研制[J].微电子学,2023,第5期李伟业^1,2，李文昌^1,2，鉴海防^1,2，阮为²，刘剑^1,2，尹韬^1,2（中国科学院大学；中国科学院半导体研究所）.一种高精度低噪声运算放大器设计[J].微电子学,2023,第5期卢正威^1,2，苏永波^1,2，甄文祥^1,2，丁武昌^1,2，魏浩淼²，曹书睿^1,2，丁健君^1,2，金智^1,2（中国科学院大学；中国科学院微电子研究所）.一种基于InP DHBT的CB Stack功率放大器设计[J].微电子学,2023,第5期李瑛楠，成建兵，张效俊，吴家旭，孙旸（南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院）.一种新型小电容ESD箝位电路[J].微电子学,2023,第5期陈卓¹，陈羿多¹，田春生²，邱培熠³，邸志雄¹（西南交通大学信息科学与技术学院；北京微电子技术研究所；中国铁道科学研究院集团有限公司）.一种面向ZynqNet硬件加速器的缓存优化结构设计[J].微电子学,2023,第5期龚号，王晓蕾，周敏，孟煦（合肥工业大学微电子设计研究所教育部IC设计网上合作研发中心）.一种用于TDC的低功耗多相时钟生成电路[J].微电子学,2023,第5期陈容¹，肖玲²，陆科¹，罗驰²，廖希异²，胡彦斌²，张颖²，崔伟¹（模拟集成电路国家级重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.镀Ni管壳侧壁硅橡胶粘接开裂机理研究[J].微电子学,2023,第5期董艺，卜刚，董伟华（南京航空航天大学电子信息工程学院）.一种低交调单电感三输出升压型DC-DC变换器[J].微电子学,2023,第5期闫容赫¹，张丙可²，常兴宏¹，王彬¹，孔谋夫¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；北京智慧能源研究院先进输电技术国家重点实验室）.一种片上多电压输出LDO 电路[J].微电子学,2023,第5期黄志祥，马艳华，熊波涛，卢宏斌，区万林，常玉春（大连理工大学微电子学院）.一种基于摆率增强的快速瞬态响应LDO 电路[J].微电子学,2023,第5期湛涛，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.浮动电极对屏蔽栅沟槽型MOSFET特性的影响[J].微电子学,2023,第5期解汉君^1,2，王妍^2,3，付晓君^2,3（重庆邮电大学光电工程学院；集成电路与微系统全国重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种三阶混合结构的噪声整形SAR ADC[J].微电子学,2023,第5期肖远，梁华国，汪玉传，鲁迎春，易茂祥，姚亮（合肥工业大学微电子学院）.非线性优化的时间数字转换器设计[J].微电子学,2023,第5期张杰，党莹，张鸿（西安交通大学微电子学院）.一种具有高阶温度补偿的低温漂高PSRR带隙基准[J].微电子学,2023,第5期张俊安¹，张传道¹，杨法明²，李超¹，李丹¹，李铁虎¹（重庆理工大学两江人工智能学院；重庆中科渝芯电子有限公司）.一种基于0.6μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器[J].微电子学,2023,第5期邵雪璠¹，刘珂²，尹飞飞¹，刘兴辉¹（辽宁大学；山东芯慧微电子科技有限公司）.适用于Ser Des接收器DFE的高速动态比较器[J].微电子学,2023,第5期侯博文，彭泽阳，贺雅娟（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种基于静态分段补偿的近似乘法器设计[J].微电子学,2023,第5期彭泽阳，侯博文，贺雅娟（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.基于新型4-1压缩器的低功耗近似乘法器[J].微电子学,2023,第5期周波，韩欣媛，丁宇阳（北京理工大学）.一种基于斜率-电阻相位插值的低功耗十倍频电路[J].微电子学,2023,第5期王德波，孙浩宇（南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.MEMS微波功率传感器的悬臂梁弯曲模型研究[J].微电子学,2023,第5期李金龙，江凯，朱虹姣，邱盛（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.K1-5型外壳共晶贴片热应力研究[J].微电子学,2023,第5期刘浩，闫亭亭，邓红辉，杨悦，尹勇生（合肥工业大学微电子学院）.一种低功耗宽电源电压范围的电机驱动器[J].微电子学,2023,第5期刘先婷¹，刘伟景¹，李清华²（上海电力大学电子与信息工程学院；深圳锐越微技术有限公司）.JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究[J].微电子学,2023,第5期杨松，段吉海，李冀，尹仁川（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室）.一种具有分段式DEM 的二阶噪声整形SAR ADC[J].微电子学,2023,第5期王巍¹，税绍林¹，戴佳洪¹，赵汝法¹，刘斌政¹，袁军¹，马力¹，王育新²，王妍²（重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种用于Pipeline ADC的高线性度栅压自举开关[J].微电子学,2023,第5期许婷^1,2，闫珍珍^1,2，刘海南^1,2，李博^1,2，乔树山¹，韩郑生^1,2,3，卜建辉^1,2（中国科学院微电子研究所；中国科学院抗辐照器件技术重点实验室；中国科学院大学）.亚阈值电路单元延时波动统计建模方法[J].微电子学,2023,第5期范佳航¹，罗萍^1,2，张致远¹，龚正¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学广东电子信息工程研究院）.一种71 dB动态范围的低噪声可编程增益放大器[J].微电子学,2023,第4期武志为¹，张长春^1,2（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；东南大学毫米波国家重点实验室）.402～405 MHz CMOS低功耗射频收发机[J].微电子学,2023,第4期罗丹¹，徐卫林²，韦保林²，韦雪明²，李海鸥¹（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室；桂林电子科技大学广西高校微电子器件与集成电路重点实验室）.一种低信号衰减的三阶噪声整形SAR ADC[J].微电子学,2023,第4期金高哲¹，张长春^1,2，袁丰¹，张瑛¹，张翼¹（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；东南大学毫米波国家重点实验室）.25～28 Gbit/s CMOS高灵敏度光接收机电路设计[J].微电子学,2023,第4期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有6页，转到页

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