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施建磊，孔祥艺，章宇新，韩前磊，吴舒桐（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种低功耗、高精度四象限模拟乘法器电路[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期王青松，彭宏伟，黄天，杨正东，朱少立，徐大为（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.SOI器件的kink效应研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期严可，杨扬，霍帅，张勇，王元，李忠辉（中国电科碳基电子重点实验室，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京电子器件研究所）.基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期戴姜平，常龙，李征，王学鹏，林浩，程伟（南京电子器件研究所）.4英寸f_max=620 GHz的0.25 μm InP DHBT[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期姚露露，刘尧，潘晓枫，程伟，王学鹏（南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.基于InP HBT工艺的C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期王磊，白锐，魏少伟，张韶华（中国电子科技集团公司第十三研究所）.小型化滤波放大器三维集成设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期马奔，沈逸凡，王伟，于海龙，尹志军，高汉超，李忠辉（微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京电子器件研究所）.分子束外延GaAs基M-HEMT与Si基HEMT材料研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期邵国键，陈正廉，林罡，俞勇，沈杰，陈韬，刘柱（南京电子器件研究所）.栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第3期高东岳^1,2，叶枫叶^1,2，张大华^1,2，骆健^1,2，高晋文³（南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司；南瑞联研半导体有限责任公司；国网山西省电力公司检修分公司）.漏电低短路能力强的3300 V IGBT模块[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期刘保军，张爽，李闯（空军工程大学航空机务士官学校）.14 nm SOI FinFET器件单粒子瞬态的复合双指数电流源模型[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期王宗辉¹，田志明¹，李明星¹，严静¹，方玉明^1,2，李若舟^1,2，于映^1,2（电子与光学工程学院微电子学院南京邮电大学；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学）.基于喷墨打印银基无颗粒油墨的柔性电极[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期刘丽媛¹，郑林挺^1,2，石高明^1,2，林晓玲¹，来萍¹，陈选龙^1,2（工业和信息化部电子第五研究所；中国赛宝实验室可靠性研究分析中心）.GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期沈睿，李传皓，李忠辉，彭大青，张东国，杨乾坤，罗伟科（南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成电路与模块技术重点实验室）.正晶向SiC衬底上表面光滑的N极性GaN薄膜材料的生长[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期杨飞，殷康，于洪喜，刘瑞竹（中国空间技术研究院西安分院）.基于F类和逆F类的双模式双频带功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期王登贵，周建军，张凯，胡壮壮，孔月婵，陈堂胜（南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期李茂^1,2，孙岩^1,2，陆海燕^1,2，周浩^1,2，程伟^1,2，戴姜平²，王学鹏²，陈堂胜^1,2（微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室；南京电子器件研究所）.基于0.25μm InP DHBT工艺的340 GHz放大器[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期牛连生¹，陆倩¹，花磊¹，于映^1,2（南京邮电大学电子与光学工程学院微电子学院；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学）.基于PIN管的波束可重构双频反射阵列天线[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期施超，叶强，罗昌桅（中国计量大学信息工程学院）.C波段超宽带微型LTCC带通滤波器设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期李昱坤，钱兴成，潘碑，葛振霆，宋俊欣（中国电子科技集团公司第五十五研究所）.基于三维集成技术的X波段下变频模块电路的研制[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期韩前磊，时晨杰，孔祥艺，黄立朝（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种低压音频放大器的设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期梁雄，单淑萍（龙岩学院物理与机电工程学院）.三角量子阱中磁极化子的Zeeman效应和Rashba效应[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期许鑫东，郭润楠，张斌（南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期单春燕¹，卢新民²，蒋东铭²，钱峰²，周猛²（南京电子器件研究所；南京国博电子股份有限公司）.基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期何玉娟^1,2，雷志锋²，张战刚²，章晓文²，杨银堂¹（西安电子科技大学微电子学院；工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室）.重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析[J].固体电子学研究与进展,2022,第2期郭仲杰，苏昌勖，许睿明，李晨，程新齐（西安理工大学自动化与信息工程学院）.应用于CMOS图像传感器的高速列级ADC设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第1期王子轩^1,2，王鑫¹，黄康琪¹，杜逸飞¹，王乾宇¹，姚佳飞^1,2（电子与光学工程学院微电子学院南京邮电大学；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京邮电大学）.一种高速高能效时域温度传感器[J].固体电子学研究与进展,2022,第1期宋恩敏¹，卞达^1,2，徐浩¹，赵永武^1,2（江南大学机械工程学院；江南大学江苏省先进食品制造装备技术重点实验室）.碳酸胍和聚乙二醇对单晶硅片CMP的影响[J].固体电子学研究与进展,2022,第1期代鲲鹏¹，张凯^1,2，李传皓²，范道雨¹，步绍姜¹，吴少兵^1,2，林罡^1,2，陈堂胜^1,2（南京电子器件研究所；微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.截止频率0.8 THz的GaN肖特基二极管及其设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第1期贾涛¹，易兆¹，董锎云¹，郭琪富²，廖丹¹（中国石油西南油气田公司；重庆邮电大学）.一种基于DGS和EBG混合结构的毫米波滤波器设计[J].固体电子学研究与进展,2022,第1期张胜，谢振江，徐聪，仝梦寒，王俊（中国矿业大学信息与控制工程学院）.基于人工表面等离子激元传输线的宽带圆极化频率扫描天线[J].固体电子学研究与进展,2022,第1期首页上一页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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