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张永锋^1,2，张淑芳¹，王森²，丛国涛²（大连海事大学信息科学与技术学院；大连东软信息学院智能与电子工程学院）.太赫兹辐射FET 功率探测器的分布式准静态模型[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期邵国键，赵玉峰，王金，周书同，陈韬，景少红，钟世昌（南京电子器件研究所）.GaN HEMT 器件⁶⁰Co-γ 辐照效应研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期任李贤^1,2，孙静¹，何承发¹，荀明珠^1,2（中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院大学）.浮栅晶体管的辐照响应及退火特性研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期范海宇^1,2，张国华^1,2，沈剑²，杨俊浩²，马瑞山²（江南大学物联网工程学院；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种应用于宽带锁相环的小数分频器[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期尹峰¹，钱兴成¹，王晟²，潘碑¹，陈静¹（南京电子器件研究所；中国电子科技集团公司第二十八研究所）.基于3D-SiP 技术的小型化混频锁相源的研制[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期朱岑鑫，段铸（南京信息工程大学应用电磁学研究中心）.三端口宽带极化可重构紧耦合天线阵列[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期李大伟，郝张伟，靳赛赛，沈宏昌，徐阳，汤飞鸿，钱峰（南京国博电子股份有限公司）.5G 毫米波GaN 收发前端芯片研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期王哲飞¹，张晋滔¹，曾庆生²，孙冬娇¹，宋明歆³（南京信息工程大学电子与信息工程学院；南京航天航空大学航天学院南京；海南大学应用技术学院）.大扫描角度下具有极化不敏感特性的超宽带频率选择吸收体[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期黄立朝¹，张淑慧²，章宇新¹，孔祥艺¹（中国电子科技集团公司第五十八研究所；西安电子科技大学微电子学院）.基于混合型ADC 的高精度温度传感器研制[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期杜明，赵亮，李鹏凯，胡大成，熊文毅（中国西南电子技术研究所）.大功率封装相控阵天线用金属封装外壳研制[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期梅云泉¹，陈志勇²，陈新宇²，祝超²，张振东²（南京电子器件研究所；南京国博电子股份有限公司）.350 W 双频带非对称Doherty 功率放大器设计与实现[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期田飞飞，凌显宝，张君直，叶育红，蔡传涛，赵磊，陶洪琪（南京电子器件研究所）.研究简讯：晶圆级异构集成 3D 芯片互连技术研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期芮召骏，朱健，黄镇，姜理利（南京电子器件研究所）.改进K 型单刀四掷射频MEMS 开关[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期孙亮^1,2,3，缪旻^1,2,3，李涛^1,2,3（北京信息科技大学信息与通信系统信息产业部重点实验室；北京信息科技大学光电测试技术及仪器教育部重点实验室北京；北京信息科技大学智能芯片与网络研究中心）.2.5D 系统封装中高速I/O 链路信号/电源完整性协同仿真[J].固体电子学研究与进展,2023,第3期王琛全^1,2，何晓舟³，王子彦³，钱坤³，顾晓文^1,2，唐杰^1,2，钱广^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室；空军装备部上海局）.多通道薄膜铌酸锂阵列波导光栅研制^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期戴家赟^1,2，陈鑫^1,2，王登贵^1,2，吴立枢^1,2，周建军^1,2，王飞^1,2，孔月婵^1,2，陈堂胜^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.晶圆级柔性高性能GaN HEMT及InP HBT器件^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期陈晓青，朱建彬，成爱强，顾黎明（南京电子器件研究所）.基于多物理场仿真的超宽带大功率电桥设计^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期赵志飞^1,2，王翼^1,2，周平^1,2，李士颜^1,2，陈谷然^1,2，李赟^1,2（南京电子器件研究所；宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室）.基于国产单晶衬底的150 mm 4H-SiC同质外延技术进展^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期陈堂胜^1,2，戴家赟^1,2，吴立枢^1,2，孔月婵^1,2，周书同^1,2，齐志央¹，钟世昌^1,2，凌志健¹（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.晶体管级异质集成技术及其典型应用^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期薛舫时¹，杨乃彬¹，陈堂胜^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.GaN HFET加应力后的虚栅和亚稳态能带^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期徐梦苑¹，刘麒²，汤君坦¹，韦逸²，魏紫东²（南京电子器件研究所；上海航天电子通讯设备研究所）.基于SIP模块的瓦片式有源阵列天线的一体化设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期刘新宇¹，郭润楠^1,2，张斌^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.X波段双模功率MMIC设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期朱健^1,2，郁元卫^1,2，刘鹏飞¹，黄旼¹，陈辰^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.射频三维微纳集成技术[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期彭龙新^1,2，邹文静¹，孔令峥¹，张占龙²（南京电子器件研究所；杭州致善微电子科技有限公司）.GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期罗宁，周猛，张有涛，叶庆国（南京国博电子股份有限公司）.一种40 GSa/s超宽带采样保持电路[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期林罡（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.GaN HEMTs微波器件的失效机理及宇航应用保障[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期罗伟科^1,2，李忠辉^1,2，李传皓^1,2，杨乾坤^1,2，李亮^1,2，董逊^1,2，彭大青^1,2，张东国^1,2（南京电子器件研究所南京；固态微波器件与电路全国重点实验室）.高迁移率AlN/GaN/AlN双异质结材料生长及特性研究^∗[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期唐杰^1,2，王琛全^1,2，钱广^1,2，孔月婵^1,2，陈堂胜^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.超薄多通道射频光接收组件[J].固体电子学研究与进展,2023,第2期首页上一页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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