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万书芹¹，陈婷婷²，陶建中^1,2，蒋颖丹¹，朱夏冰¹（中国电子科技集团公司第五十八研究所；江南大学物联网工程学院）.基于JESD204B协议高速并行8 bit/10 bit解码电路设计[J].半导体技术,2021,第8期康杰¹，丁紫阳¹，孙为云¹，焦璨¹，王晓燕¹，宋月鹏²（郑州职业技术学院材料工程系；山东农业大学机械与电子工程学院）.溶液浓度对SiC量子点光学性能的影响及表面修饰[J].半导体技术,2021,第8期姜剑¹，孙聂枫^1,2，孙同年¹，王书杰^1,2，邵会民¹，刘惠生¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化[J].半导体技术,2021,第8期王国庆^1,2，张晋敏¹，吴次南¹，谢泉¹，刘凡宇²，李博²，杨静琦³（贵州大学大数据与信息工程学院；中国科学院微电子研究所；中国航天科工二院未来实验室）.0.20 μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应[J].半导体技术,2021,第8期蒲恩强，方倪，沈凡，高超嵩，孙向明，刘军，赵聪，陈强军（华中师范大学物理科学与技术学院夸克与轻子物理教育部重点实验室）.一款像素级开关电容阵列波形采样芯片[J].半导体技术,2021,第8期张化福，景强，孙艳（山东理工大学物理与光电工程学院）.二氧化钒薄膜的反常热色性能和热滞回线[J].半导体技术,2021,第8期刘如青，刘帅，高学邦，付兴中（中国电子科技集团公司第十三研究所）.V波段3 W GaN功率放大器MMIC[J].半导体技术,2021,第8期王强，李丽，张仕强（中国电子科技集团公司第十三研究所）.宽带FBAR滤波器的研制[J].半导体技术,2021,第8期王占奎，方修成，刘兰坤（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于反熔丝技术的抗辐照数控校频专用集成电路[J].半导体技术,2021,第8期刘健^1,2，王旭^1,2，姚中辉^1,2，蒋成²，王顺²，张子旸^1,2（中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所）.基于ZnO可饱和吸收体的超快激光器[J].半导体技术,2021,第7期柳鸣¹，郭伟玲¹，孙捷²（北京工业大学光电子技术教育部重点实验室；福州大学物理与信息工程学院）.MOCVD法生长二维范德华材料的研究进展[J].半导体技术,2021,第7期徐鹏鹏，赵一默，彭仁苗，李成（厦门大学物理科学与技术学院）.聚乙烯醇掺杂对二维MoS₂晶体管电学性能的影响[J].半导体技术,2021,第7期蒋伟杰，姚兴军（华东理工大学机械与动力工程学院）.球形焊点三角形排列倒装芯片底部填充的能量法研究[J].半导体技术,2021,第7期欧琳^1,2,3,4，王静^1,2,3,4，林兴^1,2,3,4，赵勇^1,2,3,4，惠一恒^1,2,3,4，胡鹏飞^1,2,3,4，王广才^1,2,3,4（南开大学光电子薄膜器件与技术研究所；南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室；南开大学薄膜光电子技术教育部工程研究中心；南开大学天津市中欧太阳能光伏发电技术联合研究中心）.温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响[J].半导体技术,2021,第7期倪涛¹，赵永瑞^1,2,3，高业腾^2,3，赵光璞^2,3，谭小燕^2,3，师翔^1,2,3（中国电子科技集团公司第十三研究所；河北新华北集成电路有限公司；河北省移动通信用射频集成电路重点实验室）.用于36 V、500 W GaN功率放大器的电源调制器[J].半导体技术,2021,第7期吴林枫^1,2，唐文婷²，陈宝^1,3，易翰翔⁴，李玉珠⁴，王保兴³，蔡勇^1,2,3（杭州电子科技大学电子信息学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；宁波天炬光电科技有限公司；广东德力光电有限公司）.大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术[J].半导体技术,2021,第7期刘如青¹，张力江¹，魏碧华¹，何健²（中国电子科技集团公司第十三研究所；成都天箭科技股份有限公司）.W波段三路合成GaN功率放大器MMIC[J].半导体技术,2021,第7期张义政，张崤君，张金利，吴亚光，刘旭，鲍禹希，张腾（中国电子科技集团公司第十三研究所）.Si₃N₄覆铜基板的界面空洞控制技术[J].半导体技术,2021,第7期郭浩¹，朱慧珑²，黄伟兴²（中国科学技术大学微电子学院；中国科学院微电子研究所）.具有夹层的垂直U型栅极TFET的设计[J].半导体技术,2021,第7期徐润，张春雷，胡锦龙，梁科，李国峰（南开大学电子信息与光学工程学院天津市光电传感器与传感网络重点实验室）.一种用于TCOCXO的数据修调电路[J].半导体技术,2021,第7期张欢^1,2，张昭阳¹，张晓朋^1,2，高博^1,2（河北新华北集成电路有限公司；中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种700 MHz频段的高线性驱动放大器MMIC[J].半导体技术,2021,第7期涂睿，刘宏宇，孙润光，厉凯，艾世乐，汤昊（南昌大学材料科学与工程学院）.基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展[J].半导体技术,2021,第6期王洪培^1,2，王旭¹，王顺^1,2，刘健¹，蒋成¹，张子旸¹（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；中国科学技术大学纳米科学技术学院）.基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器[J].半导体技术,2021,第6期张发智，张岩，彭海涛，宁吉丰，王彦照，王英顺，陈宏泰（中国电子科技集团公司第十三研究所）.高可靠性大功率808 nm半导体激光器[J].半导体技术,2021,第6期朱彦旭，李锜轩，谭张杨，李建伟，魏昭，王猜（北京工业大学光电子技术教育部重点实验室）.GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)[J].半导体技术,2021,第6期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有6页，转到页

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