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汪瀛豪¹，聂伟²（联合微电子中心有限责任公司；重庆邮电大学）.具有谐波抑制特性的小型化分支线耦合器[J].微电子学,2022,第5期王俊（中芯国际集成电路制造(上海)有限公司设计服务部）.14 nm FinFET工艺下栅隔离型二极管的ESD防护性能研究[J].微电子学,2022,第5期吴东铭¹，李柯宇¹，谢泽亚¹，杨涛¹，甄少伟¹，罗萍^1,2，张波¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学广东电子信息工程研究院）.一种车用恒流/恒压模式的四开关Buck-Boost变换器控制策略研究[J].微电子学,2022,第5期罗萍¹，朱樟明^2,3，钱利波²，甄少伟¹（电子科技大学；西安电子科技大学；西安电子科技大学集成电路研究院）.前言[J].微电子学,2022,第5期王熠炜，孙江，叶文霞，陈宁锴，雷新宇，县文琦（西南交通大学信息科学与技术学院）.一种高输入电压高PSRR 的带隙基准电路设计[J].微电子学,2022,第4期姚俊杰，张长春，张宇，张瑛，袁丰（南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院）.宽带低相噪低杂散Σ-Δ小数分频频率综合器[J].微电子学,2022,第4期臧仕平，许可敬，胡毅，杜鹏程，高鹰（北京智芯微电子科技有限公司）.高安全高性能RSA协处理器的设计与实现[J].微电子学,2022,第4期朱浠文¹，姜庆²，秦鹏²，胥凯旋¹，张宇峰¹（哈尔滨工业大学航天学院；联合微电子中心有限责任公司）.带有MPPT功能的高效率光伏电池升压转换器芯片[J].微电子学,2022,第4期南亚琪^1,2，雷鑫^1,2，范超³，桂小琰^1,2（西安交通大学微电子学院；广东顺德西安交通大学研究院；成都振芯科技股份有限公司）.一种6～18 GHz宽带高精度有源移相器[J].微电子学,2022,第4期常承¹，韦保林¹，韦雪明¹，侯伶俐²，徐卫林¹（桂林电子科技大学广西无线宽带通信与信号处理重点实验室；成都华微电子科技有限公司）.一种环路带宽自适应调整的时钟数据恢复电路[J].微电子学,2022,第4期周晓丹^1,2，苏晨²，刘涛²，李曦²，付东兵²，李强¹（电子科技大学电子科学与工程学院；重庆吉芯科技有限公司）.一种14位85 MS/s流水线型ADC[J].微电子学,2022,第4期王忠焰，胡永菲，髙炜祺（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种四通道高压抗辐射12位DAC[J].微电子学,2022,第4期李霄¹，李潇然²，张浩²，杨佳衡²，张蕾²（中国电子科技集团公司信息科学研究院；北京理工大学集成电路与电子学院）.一种10位高速Pipeline-SAR 混合型ADC设计[J].微电子学,2022,第4期张皓然¹，焦子豪²，盛炜¹，章宇新¹，曹燕杰¹，陈旻琦¹（中国电子科技集团公司第五十八研究所；西安交通大学微电子学院）.一种16位高精度分段式电阻型DAC设计[J].微电子学,2022,第4期刘逸群¹，张宏伟²，戴风伟^2,3（清华大学材料学院；华进半导体封装先导技术研发中心有限公司；复旦大学微电子学院）.面向三维集成应用的Cu/SiO₂ 晶圆级混合键合技术研究进展[J].微电子学,2022,第4期周佳成，薛至诚，王德波（南京邮电大学电子与光学工程学院）.一种直角螺旋悬臂梁结构的压电能量收集器[J].微电子学,2022,第4期刘建伟，姜俊逸，叶雅倩，杨曼琳，王鹏，王育新，付晓君，李儒章（模拟集成电路国家级重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种基于时间域的4倍插值高能效Flash ADC[J].微电子学,2022,第4期彭帅，石星晨，张杰，齐欢欢，张鸿（西安交通大学微电子学院）.用于传感器信号获取的模数转换器研究进展[J].微电子学,2022,第4期陈玺，付东兵，刘璐，李飞（中国电子科技集团公司第二十四研究所；模拟集成电路国家级重点实验室）.一种四通道16位250 MS/s A/D转换器[J].微电子学,2022,第4期周前能¹，李恒¹，李红娟²，张红升¹，杨虹¹，唐政维¹（重庆邮电大学光电工程学院；重庆邮电大学计算机科学与技术学院）.一种用于模数转换器时钟管理电路的电荷泵[J].微电子学,2022,第4期李琨，叶明远，万书芹，何秋秀（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.基于流水线ADC的MDAC电容失配校准研究[J].微电子学,2022,第4期王巍，刘博文，赵汝法，张定冬，张珊，熊德宇（重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院）.一种SAR ADC电容失配自测量与数字校准技术[J].微电子学,2022,第4期申泽生¹，刘云涛^1,2，方硕^1,2，王云³（哈尔滨工程大学；先进船舶通信与信息技术工业和信息化部重点实验室；广东省大湾区集成电路与系统应用研究院）.一种超低功耗小面积的Σ-ΔADC数字抽取滤波器[J].微电子学,2022,第4期胡永菲，王忠焰，杨洋，杜宇彬，刘虹宏（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种抗总剂量辐射带隙基准电压源[J].微电子学,2022,第4期黄柯月¹，吴中华²，周淼³，陈伟中¹，王钊²，周锌²（重庆邮电大学光电工程学院；电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.高压SOI p LDMOS总剂量辐射致BV 退化研究[J].微电子学,2022,第4期肖力，金湘亮，杨健，黄诗诗（湖南师范大学物理与电子科学学院）.一种高性能二阶荷控忆阻器电路设计与验证[J].微电子学,2022,第4期雷郎成，罗雁心，刘虹宏，杜宇彬，高炜褀，张俊，吴秋霞，付东兵（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种四象限14位乘法型D/A转换器设计[J].微电子学,2022,第4期雷郎成，王忠焰，詹勇，刘虹宏，胡永菲，杜宇彬，付东兵（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.采用分段平移技术校正流水线A/D转换器级间增益的方法[J].微电子学,2022,第4期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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