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尹时威¹，张长春^1,2，唐路²，袁珩洲³（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；东南大学毫米波国家重点实验室；国防科技大学计算机学院）.CMOS毫米波低相噪级联双锁相环频率综合器设计[J].微电子学,2023,第4期杨蕊亦，罗俊，邱忠文，李胜玉（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.石墨烯基电磁屏蔽薄膜的研究进展[J].微电子学,2023,第4期唐新悦，洪敏，罗婷，陈仙，张静，王鹏，张培健，张正元（集成电路与微系统全国重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.应用于柔性电子的超薄硅基芯片研究进展[J].微电子学,2023,第4期陈继明¹，陈煌伟¹，陈智峰¹，吴浩然¹，陈译¹，张宇燕²，蒋见花²，陈铖颖¹（厦门理工学院光电与通信工程学院；北京大学电子学院碳基电子学研究中心）.中短波红外图像传感器读出电路研究进展[J].微电子学,2023,第4期赵利强¹，向星岩¹，王刚²，李威²，刘建钢²（北京化工大学信息科学与技术学院；汉威科技集团股份有限公司）.低功耗电阻型MEMS半导体气体传感器研究进展[J].微电子学,2023,第4期周敏，冯全源，文彦，陈晓培（西南交通大学微电子研究所）.一种P-GaN 栅结合混合帽层结构的HEMT器件[J].微电子学,2023,第4期候雪锋，张金灿，王德勇，张盼盼，王金婵（河南科技大学信息工程学院）.一种C波段E类GaN MMIC功率放大器设计[J].微电子学,2023,第4期周玉成¹，廖德阳¹，马磊²，桑磊¹，黄文¹（合肥工业大学微电子学院；昆山睿翔讯通通信技术有限公司）.一种具有瞬态增强的无片外电容型LDO[J].微电子学,2023,第4期曲直¹，曹海祥²，崔碧峰¹，陈芬¹，冯靖宇¹，李晋恒¹（北京工业大学微电子学院光电子技术省部共建教育部重点实验室；同源微半导体技术有限公司）.一种无片外电容的快速响应FVF-LDO[J].微电子学,2023,第4期王巍，童涛，赵汝法，吴浩，郭家成，丁辉，夏旭，袁军（重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院）.一种基于自适应峰值电流检测的模式切换电路[J].微电子学,2023,第4期王巍，李明波，赵汝法，马力，税绍林，刘斌政，罗宸彬，袁军（重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院）.采用分段式自适应PWM/PFM 调制的Buck型DC-DC转换器设计[J].微电子学,2023,第4期谢凌东¹，杨朔²，周宏辉¹，翁东雷¹，赵铁林³，蒋科若¹，徐帆⁴（国网浙江省电力有限公司宁波供电公司；宁波送变电建设有限公司；宁波送变电建设有限公司运维分公司；南京元感微电子有限公司）.高灵敏度网状石墨烯微弱压力传感器的研究[J].微电子学,2023,第4期黄立朝¹，芮小军¹，章宇新¹，樊华^2,3,4，王煜楠⁵，冯全源⁶（中国电子科技集团公司第五十八研究所；电子科技大学重庆微电子产业技术研究院；电子科技大学广东电子信息工程研究院；电子科技大学集成电路科学与工程学院(示范性微电子学院)；电子科技大学(深圳)高等研究院；西南交通大学信息科学与技术学院）.一种前后台结合的SAR ADC的校准算法[J].微电子学,2023,第4期王巍，马力，赵汝法，李明波，刘斌政，税绍林，罗宸彬，袁军（重庆邮电大学光电工程学院/国际半导体学院）.增量型Σ-Δ调制器优化设计算法研究[J].微电子学,2023,第4期范柚攸^1,2，王仕祯²，翁勋维²，张龙²，权海洋²（北京大学集成电路学院；北京微电子技术研究所）.基于FC-AB结构的运放标准化设计流程研究[J].微电子学,2023,第4期范江涛，高兴瑞，方玉明，邓丽城（南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.鞋式能量收集器的研究现状及发展趋势[J].微电子学,2023,第4期胡巍然，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.磷砷注入对沟槽MOSFET静态参数的影响[J].微电子学,2023,第4期杨文杰，尹勇生，朱武，孟煦（合肥工业大学微电子学院）.一种宽电源范围时钟IP设计[J].微电子学,2023,第4期史世昕，虞致国，孙一，王雨桐，顾晓峰（江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心）.面向电荷泵的占空比可调四相时钟发生电路[J].微电子学,2023,第4期郭俊杰，徐申，常昌远，孙祎轩，叶佳玲（东南大学微电子学院）.一种具有抗dV/dt噪声能力的600 V HVIC[J].微电子学,2023,第4期熊进，明鑫，王卓，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种应用于双相峰值电流模Buck的轻载模式[J].微电子学,2023,第4期陈志艺¹，韦保林¹，宣艳²，韦雪明¹，徐卫林¹，李海鸥¹（桂林电子科技大学广西无线宽带通信与信号处理重点实验室；国电南瑞科技股份有限公司）.一种宽负载范围低纹波高效率能量收集系统[J].微电子学,2023,第4期张丙可，李旭晗，王锐，董佳俊，常树丞，孙俊敏，白雪，李哲洋，金锐（北京智慧能源研究院先进输变电技术国家重点实验室）.一种JFET区域具有N 型重掺杂的1 200 V碳化硅浅槽平面MOSFET器件的设计与优化[J].微电子学,2023,第4期王为民^1,2，姚小江^1,2，方志明³，马若愚³，谭小媛³，郑子龙^1,2（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；中科芯集成电路有限公司；镇江南京邮电大学研究院）.基于GaN 工艺的3.3～3.6 GHz Doherty功率放大器MMIC设计[J].微电子学,2023,第4期王鹏^1,2，徐庆²，张展豪²，王泽彬²，金志威^1,2（民航航空器适航审定技术重点实验室；中国民航大学安全科学与工程学院）.基于结构优化的环形振荡器硬件木马检测[J].微电子学,2023,第3期韩文涛，明平文，肖航，张中，李靖，于奇（电子科技大学电子科学与工程学院）.一种可校正的12位C2C电容阵列混合结构SAR ADC[J].微电子学,2023,第3期葛彬杰^1,2，李琰¹，俞航¹，马四光³，谢庆国^4,5（深圳大学计算机与软件学院；深圳北理莫斯科大学电子与计算机工程系；季华实验室；中国科学技术大学电子工程和信息科学学院；华中科技大学生物医学工程学院）.一种具有采样时间扩展功能的异步SAR ADC[J].微电子学,2023,第3期臧剑栋^1,2，杨卫东^1,2，李静²，张世莉²，刘军^1,2（模拟集成电路国家级重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种基于SiGe工艺的高速宽带D/A转换器[J].微电子学,2023,第3期崔华锐¹，蒲林¹，唐光庆²，李涛²，陈浩¹，廖鹏飞¹（中国电子科技集团公司第二十四研究所；中国人民解放军93147部队）.一种基于开关电容的高精度低温度系数振荡器[J].微电子学,2023,第3期张俊安，肖怡，徐金贵，李新星，李铁虎（重庆理工大学两江人工智能学院）.一种电阻串加内插结构的16位D/A转换器[J].微电子学,2023,第3期首页上一页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有6页，转到页

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