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赵柯臣1，赵继文1，代兵1，张旭2，郭怀新3，孙华锐2，朱嘉琦1（哈尔滨工业大学特种环境复合材料技术国防科技重点实验室；哈尔滨工业大学工业和信息化部微纳光电信息系统重点实验室；南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.导热金刚石同大尺寸芯片的低温烧结银连接工艺[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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牛利刚1,2，金晓行1,2，刘杰1,2，杨阳2，李丹2（中国电子科技集团公司第五十五研究所；扬州国扬电子有限公司）.三相桥功率模块振动失效分析[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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徐志梁，栗文斌，胡鹏，王向华（合肥工业大学光电技术研究院特种显示与成像技术安徽省技术创新中心）.Pr3+掺杂铯铅卤钙钛矿量子点的稳定可调色蓝光发射[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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朱海霞（盐城师范学院物理与电子工程学院）.CH3NH3PbI3和CH3NH3MnI3的电子结构和光学性质研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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张亦斌1，吴少兵1,2，李建平1，韩方彬1，李忠辉2，陈堂胜1,2（南京电子器件研究所；微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.基于AlN/GaN异质结的Ka波段GaN低噪声放大器研制[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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施尚，林罡，孙军，邵国健，周书同，陈堂胜（南京电子器件研究所）.GaN HEMT器件稳态热特性试验研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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刘尧，潘晓枫，程伟，王学鹏，姚靖懿，陶洪琪（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.基于InP HBT工艺的高功率高谐波抑制W波段宽带八倍频器MMIC[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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蔡传涛，周潇潇，赵磊，张硕，杨清愉，刘鹏飞，李健康（南京电子器件研究所）.高集成度X波段1W单通道硅基三维集成器件[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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（《固体电子学研究与进展》编辑部）.新春寄语[J].固体电子学研究与进展,2021,第1期
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