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卫新发^1,2，梁国松^1,2，张育民^2,3，王建峰^1,2,3，徐科^1,2,3（中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院；中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室；苏州纳维科技有限公司）.氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性[J].半导体技术,2021,第6期乔明昌，刘恩达，赵永志，赵宇（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于异构集成技术的相控阵T/R组件微系统[J].半导体技术,2021,第6期李雨佳^1,2，唐建石^2,3，高滨^2,3，许峰²，李辛毅²，张万荣¹，吴华强^2,3，钱鹤^2,3（北京工业大学信息学部；清华大学北京信息科学与技术国家研究中心微电子研究所；清华大学北京未来芯片高精尖中心）.一种抑制选通器耐受性退化的两步写入方法[J].半导体技术,2021,第6期王贵德，范举胜（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一款GaAs PHEMT超宽带无源双平衡混频器MMIC[J].半导体技术,2021,第6期王彦楠，李铮，杨鹏飞，刘伟（北京智芯微电子科技有限公司）.考虑温度影响的SiC MOSFET动态性能分析与优化[J].半导体技术,2021,第6期陈家荣¹，王东辰²，陆明²，张弛²，张玉琼¹（贵州民族大学材料科学与工程学院；复旦大学信息科学与工程学院光科学与工程系）.高亮度硅纳米晶发光峰位的调制[J].半导体技术,2021,第6期郭佳兴，王进，曹林洪，符亚军（西南科技大学材料科学与工程学院）.PVA辅助生长大面积连续少层MoS₂薄膜[J].半导体技术,2021,第6期翟奇国，魏鲁，袁昊煜（成都振芯科技股份有限公司）.一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵[J].半导体技术,2021,第6期彭浩^1,2，桂明洋^1,2，迟雷^1,2，宋瑛³（中国电子科技集团公司第十三研究所；国家半导体器件质量监督检验中心；河北工业职业技术学院环境与化学工程系）.多通道T/R组件多热源耦合仿真模型[J].半导体技术,2021,第6期于波^1,2，史金超²，李锋²，王红芳²，陈俊玉²，刘克铭²，于威¹（河北大学物理科学与技术学院；英利能源(中国)有限公司光伏材料与技术国家重点实验室）.PEALD制备的Al₂O₃薄膜在n-TOPCon太阳电池上的钝化性能[J].半导体技术,2021,第5期张冠柔¹，傅实¹，彭程¹，李学宝¹，唐新灵²，赵志斌¹，崔翔¹（新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)；全球能源互联网研究院有限公司）.压接型IGBT内部栅极电压一致性影响因素及调控方法[J].半导体技术,2021,第5期瞿敏妮，乌李瑛，黄胜利，凌天宇，沈贇靓，权雪玲，王英（上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台）.聚焦离子束沉积铂纳米导线的电学失效机理[J].半导体技术,2021,第5期杨明德^1,2，李炳乾¹，梁胜华^1,2，温作杰¹，张荣荣¹，夏正浩²（五邑大学应用物理与材料学院；中山市光圣半导体科技有限公司）.UVC-LED芯片质量评价方法[J].半导体技术,2021,第5期朱彦旭，李锜轩，谭张杨，李建伟，魏昭，王猜（北京工业大学光电子技术教育部重点实验室）.GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展[J].半导体技术,2021,第5期刘芷诫^1,2，郑英奎^1,2，康玄武²，孙跃²，吴昊²，陈晓娟²，魏珂²（中国科学院大学；中国科学院微电子研究所）.AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模[J].半导体技术,2021,第5期冉红雷^1,2，韦婷³，张魁^1,2，黄杰^1,2，柳华光^1,2，赵海龙^1,2，尹丽晶^1,2（中国电子科技集团公司第十三研究所；国家半导体器件质量监督检验中心；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.堆叠结构BGA焊接可靠性评价方法[J].半导体技术,2021,第5期韩顺枫¹，唐晓柯¹，关媛¹，李博夫¹，吴坚¹，李大猛¹，杨道国²（北京智芯微电子科技有限公司；桂林电子科技大学机电工程学院）.DFN封装翘曲和应力分析与优化[J].半导体技术,2021,第5期师翔^1,2,3，张在涌^1,2,3，赵永瑞^1,2,3，谭小燕^1,3，邓嘉霖^1,3，史亚盼^1,3（河北新华北集成电路有限公司；中国电子科技集团公司第十三研究所；河北省移动通信用射频集成电路重点实验室）.一种用于DC-DC变换器中的斜坡补偿电路[J].半导体技术,2021,第5期赵永瑞^1,2,3，张浩^1,3，师翔^1,2,3，倪涛²，张在涌^1,2,3（河北新华北集成电路有限公司；中国电子科技集团公司第十三研究所；河北省移动通信用射频集成电路重点实验室）.电源调制驱动器的失效分析[J].半导体技术,2021,第5期《半导体技术》编辑部（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2021,第5期陆琪，刘英坤，乔志壮，刘林杰，高岭（中国电子科技集团公司第十三研究所）.陶瓷基板研究现状及新进展[J].半导体技术,2021,第4期葛建文，黄亦翔，陶智宇，刘成良（上海交通大学机械与动力工程学院）.基于Transformer模型的IGBT剩余寿命预测[J].半导体技术,2021,第4期杜泽晨^1,2，吴沛飞¹，桑玲¹，赵志斌²，杨霏¹，吴军民¹（全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室；华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室）.高温可靠性试验对SiC MOSFET特性参数的影响[J].半导体技术,2021,第4期李平，吴潇巍，周金清（贵州振华风光半导体有限公司）.硅基MOSFET功率放大器TO-3封装热性能研究[J].半导体技术,2021,第4期李娜，张立文，张金灿，李阳（河南科技大学电气工程学院）.T字型硅通孔不同位置界面裂纹扩展研究[J].半导体技术,2021,第4期钟易润^1,2，李杨³，谭庶欣¹，蒲涛飞²，罗向东¹，敖金平^3,2（南通大学信息科学技术学院；西安电子科技大学微电子学院；德岛大学理工学院）.高性能GaN微波整流肖特基二极管的设计和制作[J].半导体技术,2021,第4期首页上一页 2 3 4 5 6 下一页尾页共有6页，转到页

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