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王凤娟¹，陈佳俊¹，万辉²，高炜祺²，余宁梅¹，杨媛¹（西安理工大学自动化与信息工程学院；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.应用于三维IC的积累型NMOS变容二极管[J].微电子学,2021,第4期岳宏卫，肖鑫，翁浩然，杨俊，徐卫林，段吉海（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室）.一种适用于生物医学信号采集的高线性度VGA[J].微电子学,2021,第4期张子骥，贺雅娟，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种多电压高能效近似DCT设计[J].微电子学,2021,第4期廖建军，游富淋，徐国英（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种具有快速瞬态负载响应的DC-DC变换器[J].微电子学,2021,第4期杨潇雨^1,2，王永禄^2,3，孙伟^2,3（重庆邮电大学光电工程学院；模拟集成电路国家重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.基于0.13μm SiGe BJT工艺的25 GHz超宽带采样/保持电路[J].微电子学,2021,第4期李茂松，黄大志，朱虹姣，胡琼（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.金锡合金自动共晶焊接工艺参数优化研究[J].微电子学,2021,第3期饶晨光，肖瑞，桑庆华，邓红辉（合肥工业大学微电子设计研究所）.基于g_m/I_d方法的Pipelined-SAR ADC高性能余量放大器设计[J].微电子学,2021,第3期杨雪¹，张弛¹，单伟君¹，王立辉¹，李清^1,2，俞军^1,2（上海复旦微电子集团股份有限公司；复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室）.一种新型的密码芯片安全评估方法[J].微电子学,2021,第3期李杰，徐骅，吴炎辉，张孝勇，张真荣，刘永光，唐睿（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种可编程高速宽带分频器[J].微电子学,2021,第3期彭雄¹，徐骅²，刘韬²，陈昆²，乔哲¹，袁波²（中国电子科技集团重庆声光电有限公司；重庆西南集成电路设计有限责任公司）.射频电路ESD防护优化设计[J].微电子学,2021,第3期段文娟，刘博，张金灿，孟庆端（河南科技大学电气工程学院）.基于响应曲面建模的LS频段VCO优化设计[J].微电子学,2021,第3期曹馥源^1,2，刘杨¹，霍宗亮^1,2（中国科学院微电子研究所；中国科学院大学）.NAND闪存错误缓解技术综述[J].微电子学,2021,第3期吴昱操，罗萍，蒋鹏凯（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究[J].微电子学,2021,第3期熊力，黄鲁（中国科学技术大学微电子学院）.一种用于Flash的新型电荷泵调节技术[J].微电子学,2021,第3期崔鹏¹，韦保林¹，梁展荣¹，宣艳²，徐卫林¹，韦雪明¹，段吉海¹（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室；国电南瑞科技股份有限公司）.应用于热电能量收集的低压自启动电路[J].微电子学,2021,第3期黄继伟，朱嘉昕（福州大学福建省集成电路设计中心）.一种基于0.13μm SiGe工艺的77 GHz功率放大器[J].微电子学,2021,第3期梁展荣¹，韦保林¹，崔鹏¹，宣艳²，徐卫林¹，韦雪明¹，岳宏卫¹，段吉海¹（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室；国电南瑞科技股份有限公司）.适用于能量收集系统的低功耗迟滞比较器[J].微电子学,2021,第3期贺旭东，邓亚旭，陈勇屹（重庆西南集成电路设计有限责任公司）.一种新型的高效率高压同步整流电路设计[J].微电子学,2021,第3期韦雪明¹，熊晓惠¹，侯伶俐²（广西无线宽带通信与信号处理重点实验室；成都华微电子科技有限公司）.一种高精度片内电阻校准电路设计[J].微电子学,2021,第3期陈思远^1,2,3，于新^1,2，陆妩^1,2，王信^1,2，李小龙^1,2，刘默寒^1,2，孙静^1,2，郭旗^1,2（中国科学院新疆理化技术研究所特殊环境功能材料与器件重点实验室；中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学）.增强型氮化镓功率器件的总剂量效应[J].微电子学,2021,第3期朱浩^1,2，张静¹，李鹏飞¹，袁述²（北方工业大学信息学院；中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心）.SiC MOS器件界面钝化研究进展[J].微电子学,2021,第3期马婷¹，任芳¹，夏世琴¹，廖希异¹，张培健²（中国电子科技集团公司第二十四研究所；模拟集成电路国家重点实验室）.先进MOSFET中1/f噪声研究进展[J].微电子学,2021,第3期乔杰，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.一种P-GaN栅极结合槽栅技术的增强型HEMT[J].微电子学,2021,第3期姜桂军，杜飞波，刘继芝，刘志伟（电子科技大学电子科学与工程学院）.一种快速开启的低触发改进型DTSCR[J].微电子学,2021,第3期杨虹¹，雷鹏¹，彭洪¹，叶青松²，易胜宏¹（重庆邮电大学光电工程学院；深圳技术大学）.一种相位差和分配比同时可调的可重构功分器[J].微电子学,2021,第3期王菡滨^1,2，刘梦新¹，毕津顺^1,3，李伟²（中国科学院微电子研究所；西北工业大学微电子学院；中国科学院大学微电子学院）.Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管TCAD仿真研究[J].微电子学,2021,第3期韩春林¹，孙涛²，周建军¹（南京电子器件研究所；电子科技大学电子科学与工程学院）.一种具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管[J].微电子学,2021,第3期周熹，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.30 V UMOS中影响导通电阻平坦度的因素分析[J].微电子学,2021,第3期首页上一页 2 3 4 5 6 下一页尾页共有7页，转到页

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