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徐鸣远¹，付东兵²，朱璨¹，张磊¹，王妍¹，李梁¹（模拟集成电路国家级重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种低延迟折叠插值12位1.5 GS/s ADC[J].微电子学,2022,第4期单月晖¹，连潞文²，高媛¹，赖凡³（军委装备发展部某中心；中国人民解放军海军八〇七厂；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.GaN 技术发展新趋势[J].微电子学,2022,第4期唐蒙，于文婷，朱雨澄，孙丽露，华睿，王德波（南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院）.热电式MEMS微波功率传感器的封装研究[J].微电子学,2022,第4期李豪¹，熊平²，杨世红²，王晓婧²，耿莉¹，李丹¹（西安交通大学微电子学院；陕西亚成微电子股份有限公司）.用于高侧开关的短路限流及保护电路[J].微电子学,2022,第4期于文婷，唐姝婷，辛泽辉，王德波（南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院）.MEMS微波功率传感器的三维等效电路模型[J].微电子学,2022,第4期张玉兴，龚国虎，何志刚（中国工程物理研究院计量测试中心）.LTCC滤波器微分层的超声检测及有效性验证研究[J].微电子学,2022,第4期陈灿，吕果，杨柳青，庞佑兵，马朝骥（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种新颖的相位/转速混合电机控制结构[J].微电子学,2022,第4期沈洁^1,2，王倩¹，陈后鹏^1,3，倪圣兰^1,2，宋志棠¹（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室；中国科学院大学微电子学院；上海神经形态与人工智能SoC技术发展与创业平台）.一种瞬态增强的无片外电容LDO 设计[J].微电子学,2022,第3期桂小琰^1,2，赵振^1,2，常天海³，任志雄³，景磊³，王祥³（西安交通大学电信学院；西安交通大学微电子学院；华为技术有限公司）.一种5～6 GHz宽带全集成CMOS低噪声放大器[J].微电子学,2022,第3期唐蒙，辛泽辉，任青颖，王德波（南京邮电大学电子与光学工程学院、微电子学院）.一种5G 频段高性能宽频带缝隙天线的设计[J].微电子学,2022,第3期郑曦，尹华（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.反激变压器高频寄生参数的仿真分析研究[J].微电子学,2022,第3期王巍，张定冬，赵汝法，刘博文，张珊，熊德宇，黎淼（重庆邮电大学光电学院/国际半导体学院）.用于Cd ZnTe探测器的高速前端读出电路[J].微电子学,2022,第3期李濛，包蕾，胡毅，成嵩，胡晓波，高鹰（北京智芯微电子科技有限公司）.基于卡方检验的随机数在线检测方法的实现[J].微电子学,2022,第3期杨华光，徐燕萍，胡斯哲，周继东，岳宏卫（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室）.一种0.5～9.2 GHz超宽带低噪声放大器设计[J].微电子学,2022,第3期王媛，易文双，马敏舒（中国电子科技集团公司；第二十四研究所）.一种大尺寸CLCC器件CTE失配失效分析及优化研究[J].微电子学,2022,第3期吴倩楠^1,2,3，范丽娜^1,3,4，侯文⁴，李孟委^1,3（中北大学前沿交叉科学研究院；中北大学理学院；中北大学微系统集成研究中心；中北大学信息与通信工程学院）.Ka波段开关线型MEMS移相器的设计与研究[J].微电子学,2022,第3期江凯，朱虹姣，李金龙，王旭光，谈侃侃（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.硅基芯片金锡共晶焊工艺中金硅扩散机理研究[J].微电子学,2022,第3期贺从勇，李双江（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.粗铝丝超声键合的尾丝控制研究[J].微电子学,2022,第3期尚涛¹，甘朝晖¹，余磊¹，左自辉²（武汉科技大学信息科学与工程学院；中国铁道科学研究院集团有限公司）.分数阶记忆元件通用等效电路的设计[J].微电子学,2022,第3期唐晓柯¹，胡毅¹，侯佳力¹，邓恒²，孟昊²，汪宇怀³，李靖²（北京智芯微电子科技有限公司；电子科技大学电子科学与工程学院；国网浙江省电力有限公司）.基于前馈g _mf 的共模反馈稳定性增强电路[J].微电子学,2022,第3期李恺，王琳，张伟哲，刘博，张金灿，孟庆端（河南科技大学电气工程学院）.一种GHz高频应用的低失调高速CMOS动态比较器[J].微电子学,2022,第3期王舰¹，陈红梅^1,2，张昊哲¹，王兰雨¹，尹勇生^1,2（合肥工业大学微电子设计研究所；合肥工业大学教育部IC设计网上合作研发中心）.高速TIADC采集系统中数字下变频电路设计[J].微电子学,2022,第3期盛勇侠¹，梁华国¹，肖远¹，蒋翠云²，易茂祥¹，鲁迎春¹（合肥工业大学微电子学院；合肥工业大学数学学院）.基于新型压缩树的近似Booth乘法器[J].微电子学,2022,第3期曹钎龙^1,2,3，吴倩楠^1,3,4，朱光州^1,2,3，陈玉^1,2,3，王俊强^1,2,3，李孟委^1,2,3（中北大学仪器与电子学院；中北大学前沿交叉科学研究院；中北大学微系统集成研究中心；中北大学理学院）.一种基于RF MEMS开关的四端口电子校准件设计[J].微电子学,2022,第3期朱涛，焦倩倩，李玲（先进输电技术国家重点实验室；全球能源互联网研究院有限公司）.SiC-MOS界面优化的工艺验证及MOSFET电学特性仿真拟合[J].微电子学,2022,第3期周淼¹，倪晓东¹，何逸涛²，陈辰³，周锌^3,4（中国电子科技集团公团第五十八研究所；株洲中车时代半导体有限公司；电子科技大学功率集成技术实验室；电子科技大学广东电子信息工程研究院）.具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究[J].微电子学,2022,第3期成国栋^1,2，陆江^1,2，翟露青³，白云^1,2，田晓丽^1,2，左欣欣^1,2，杨成樾^1,2，汤益丹^1,2，陈宏^1,2，刘新宇^1,2（中国科学院大学微电子学院；中国科学院微电子研究所；淄博美林电子有限公司）.槽栅型SiC MOSFET器件单粒子响应特性研究[J].微电子学,2022,第3期孙浩楠，王军超，李浩亮，杨潇楠，张英韬（郑州大学信息工程学院）.用于高压ESD保护的双向LDMOS_SCR 结构[J].微电子学,2022,第3期王燕平，荣玉，陈雷雷，李金晓，冯慧玮，闫大为（江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心）.高功率条件下MOSFET栅电荷特性的测量方法[J].微电子学,2022,第3期首页上一页 2 3 4 5 6 下一页尾页共有7页，转到页

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