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王清源，吴洪江，赵宇，赵永志（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块[J].半导体技术,2021,第4期陶伟¹，汤文凯²，蒋小文²，张培勇²，黄凯²（南方电网数字电网研究院有限公司；浙江大学超大规模集成电路设计研究所）.一种电力专用SOC的低功耗小面积ADPLL设计[J].半导体技术,2021,第4期王志超（北京世纪金光半导体有限公司）.1 200 V/600 A SiC功率模块的设计与实现[J].半导体技术,2021,第4期米丹，周昕杰，周晓彬（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.基于130 nm SOI工艺数字ASIC ESD防护设计[J].半导体技术,2021,第4期张鸣一，朱春雨，刘文豹，要志宏（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于三维集成技术的Ku波段四通道T/R模块[J].半导体技术,2021,第4期李明智（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.水冷系统对直拉法生长大直径硅单晶拉速的影响[J].半导体技术,2021,第4期成立鑫，要志宏（中国电子科技集团公司第十三研究所）.6～18 GHz GaAs射频前端多功能MMIC[J].半导体技术,2021,第4期《半导体技术》编辑部（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2021,第4期熊恩毅¹，魏淑华¹，张兆浩²，魏千惠^3,4，张双¹，方敏¹，张青竹^2,5（北方工业大学信息学院；中国科学院微电子研究所先导工艺研发中心；有研科技集团有限公司智能传感功能材料国家重点实验室；有研工程技术研究院有限公司；中国科学院大学）.克服FET生物传感器德拜屏蔽效应的研究进展[J].半导体技术,2021,第3期王荣伟^1,2,3，范国芳¹，李博^2,3，刘凡宇^2,3（北京交通大学光波技术研究所全光网络与现代通信网教育部重点实验室；中国科学院微电子研究所；中国科学院硅器件技术重点实验室）.基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应[J].半导体技术,2021,第3期崔昊杨¹，滕佳杰¹，范煜辉¹，韩韬²（上海电力大学电子与信息工程学院；国网电力科学院研究院有限公司）.IGBT模块焊料老化状态监测方法及热网络模型优化[J].半导体技术,2021,第3期张楠¹，宿晓慧²，郭靖¹，李强¹（中北大学仪器与电子学院；中国科学院微电子研究所）.一种新型抗多节点翻转加固锁存器[J].半导体技术,2021,第3期何登洋¹，李丹阳²，韩旭²，卢景浩²，邢杰²（中国地质大学(北京)地球科学与资源学院；中国地质大学(北京)数理学院）.垂直型g-C₃N₄/p⁺⁺-Si异质结器件的光电性能[J].半导体技术,2021,第3期王加鑫^1,2,3，李晓静^1,2，赵发展^1,2，曾传滨^1,2，李博^1,2，韩郑生^1,2,3，罗家俊^1,2（中国科学院微电子研究所；中国科学院硅器件技术重点实验室；中国科学院大学）.用于ESD防护的PDSOI NMOS器件高温特性[J].半导体技术,2021,第3期叶枫叶，张大华，李伟邦，董长城（南瑞联研半导体有限责任公司）.高压IGBT线性变窄场限环终端设计[J].半导体技术,2021,第3期郑凯¹，周亦康¹，宋昌明²，蔡坚^2,3，高颖¹，张昕¹（北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司；清华大学微电子与纳电子学系；北京信息科学与技术国家研究中心）.晶圆级多层堆叠技术[J].半导体技术,2021,第3期梁家鹏^1,2，唐晓柯^1,2，关媛^1,2，李大猛^1,2，李秀全^1,2，王小曼^1,2（北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室；北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心）.SRAM版图布局方向对产品失效率的影响[J].半导体技术,2021,第3期刘海静，王正，单毅，董业民（中国科学院上海微系统与信息技术研究所）.基于FPGA的ASIC芯片抗辐射性能评估系统[J].半导体技术,2021,第3期师翔^1,2,3，崔玉旺^1,3，赵永瑞^1,2,3，谭小燕^1,3，张浩^1,3，贾东东^1,3（河北新华北集成电路有限公司；中国电子科技集团公司第十三研究所；河北省移动通信用射频集成电路重点实验室）.一种用于高压PMOSFET驱动器的电压跟随电路[J].半导体技术,2021,第3期孟范忠，薛昊东，方园（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于GaAs PHEMT工艺的60～90 GHz功率放大器MMIC[J].半导体技术,2021,第3期《半导体技术》编辑部（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》稿约[J].半导体技术,2021,第3期闫音蓓，赵志斌，杨艺烜，彭程（华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室）.IGBT芯片参数对瞬态均流特性的影响[J].半导体技术,2021,第2期王娟娟^1,2，曾传滨^1,2，李江江^1,2，倪涛^1,2，李晓静^1,2，李多力^1,2，罗家俊^1,2（中国科学院微电子研究所；中国科学院硅器件技术重点实验室）.SOI MOSFET自加热效应测试方法[J].半导体技术,2021,第2期白丽霞^1,2，祝运嵘^1,2，王晴雯^2,3，杨骏⁴，陈铖颖¹，祁楠²（厦门理工学院光电与通信工程学院；中国科学院半导体研究所；北京理工大学信息与电子学院；佛山科学技术学院机电工程与自动化学院）.一款25 Gibit/s低抖动大摆幅电压模逻辑发送器[J].半导体技术,2021,第2期郑晴平^1,2，王如^1,2，吴彤熙^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；河北工业大学微电子技术与材料研究所）.硅通孔抛光液的研究进展[J].半导体技术,2021,第2期刘锡锋^1,2，王津飞^1,2，林婵¹，居水荣^1,2（江苏信息职业技术学院微电子学院；江苏省专用集成电路重点实验室）.基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准[J].半导体技术,2021,第2期首页上一页 3 4 5 6 下一页尾页共有6页，转到页

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