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王书杰1,2，孙聂枫1,2，徐森锋1，史艳磊1，邵会民1，姜剑1，张晓丹1（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展[J].半导体技术,2022,第8期
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李艳江1，王书杰1,2，孙聂枫1,2，陈春梅1，付莉杰1，姜剑1，张晓丹1（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备[J].半导体技术,2022,第8期
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马红娜1,2，李锋1,2，赵学玲1,2，史金超1,2，张伟1,2（英利能源(中国)有限公司；英利能源发展有限公司）.LPCVD制备多晶硅薄膜的性能[J].半导体技术,2022,第8期
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田苗，栾振兴，陈舒静，刘民，王凤丹，程秀兰（上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台）.基于通孔双面分步填充的TSV制备方法[J].半导体技术,2022,第8期
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