期刊的影响因子--文章列表

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郑晴平^1,2，王如^1,2，吴彤熙^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；河北工业大学微电子技术与材料研究所）.硅通孔抛光液的研究进展[J].半导体技术,2021,第2期刘锡锋^1,2，王津飞^1,2，林婵¹，居水荣^1,2（江苏信息职业技术学院微电子学院；江苏省专用集成电路重点实验室）.基于MOSFET ZTC工作点的高阶曲率补偿电压基准[J].半导体技术,2021,第2期乔明昌¹，张志国¹，王衡²（中国电子科技集团公司第十三研究所；空装驻合肥地区第一军代室）.C波段高效率高线性GaN MMIC功率放大器[J].半导体技术,2021,第2期李鹏飞^1,2，魏淑华¹，康玄武²，张静¹，吴昊²，孙跃²，郑英奎²（北方工业大学信息学院；中国科学院微电子研究所）.氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的影响[J].半导体技术,2021,第2期孟锡俊，王晓东，闫建昌，曾一平，李晋闽（山西中科潞安紫外光电科技有限公司；北京中科优唯科技有限公司；中国科学院半导体研究所）.电子阻挡层对UV LED芯片老化后反向漏电的影响[J].半导体技术,2021,第2期潘大力^1,2,3，杨瑞霞¹，张嵩^2,3，董增印^2,3（河北工业大学电子信息工程学院；中国电子科技集团公司第四十六研究所；中国电子科技集团公司新型半导体晶体材料技术重点实验室）.NH₃流量调控Ⅴ/Ⅲ比对HVPE生长GaN薄膜的影响[J].半导体技术,2021,第2期杨振涛，彭博，刘林杰，高岭（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种应用于12 GHz的AlN多层陶瓷外壳[J].半导体技术,2021,第2期丁有源^1,2，王青松¹，牛伟东³（石家庄军代室；国防大学联合勤务学院；中国电子科技集团公司第十三研究所）.0.5～2.7 GHz GaAs超宽带多功能MMIC芯片设计[J].半导体技术,2021,第2期赵正平（中国电子科技集团有限公司；专用集成电路重点实验室）.超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)[J].半导体技术,2021,第2期章婷婷¹，刘军¹，夏颖¹，张志国²（杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室；北京国联万众半导体科技有限公司）.一种考虑端口引线趋肤效应的GaAs PHEMT器件小信号模型[J].半导体技术,2021,第1期王鹏飞，刘博，段文娟，张立文，张金灿（河南科技大学电气工程学院）.一种阵列式版图布局的低温度系数CMOS带隙基准电压源[J].半导体技术,2021,第1期徐永贵¹，韩锴¹，高建峰²（潍坊学院物理与光电工程学院；中国科学院微电子研究所）.不同退火氛围对TiN/HfO₂/SiO₂/Si结构电荷分布的影响[J].半导体技术,2021,第1期刘雨雨，熊艳（长江大学物理与光电工程学院）.纳米氧化锌传感器的研究进展[J].半导体技术,2021,第1期吴頔，汤乃云（上海电力大学电子与信息工程学院）.一种新型高性能FinFET的设计与特性分析[J].半导体技术,2021,第1期赵正平（中国电子科技集团有限公司；专用集成电路重点实验室）.超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展[J].半导体技术,2021,第1期曾志，李远鹏，陈长友（中国电子科技集团公司第十三研究所）.具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器[J].半导体技术,2021,第1期文惠东，胡会献，张代刚，谢晓辰，林鹏荣（北京微电子技术研究所）.陶瓷封装倒装焊器件Sn-Pb微焊点的电迁移行为[J].半导体技术,2021,第1期卜庆增¹，张玲²，于宗光²，陈振娇²，徐新宇²（江南大学物联网工程学院；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种基于滑窗回溯多标准Viterbi译码器[J].半导体技术,2021,第1期高永辉，徐守利，银军，赵夕彬，陈欣华，黄雒光，崔玉兴（中国电子科技集团公司第十三研究所）.P波段3 kW GaN 功率器件的研制[J].半导体技术,2021,第1期方绍明，李照华（深圳市明微电子股份有限公司）.晶圆级导通电阻测试精度的改进方法[J].半导体技术,2021,第1期高晓强，张加程，王增双，孙高勇（中国电子科技集团公司第十三研究所）.低电调电压全集成10～20 GHz VCO的设计与实现[J].半导体技术,2021,第1期首页上一页 4 5 6 尾页共有6页，转到页

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