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吴玉舟^1,2，李泽宏¹，禹久赢²，潘嘉³，陈冲³，任敏¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；上海超致半导体科技有限公司；上海华虹宏力半导体制造有限公司）.浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计[J].半导体技术,2022,第8期王书杰^1,2，孙聂枫^1,2，徐森锋¹，史艳磊¹，邵会民¹，姜剑¹，张晓丹¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展[J].半导体技术,2022,第8期李艳江¹，王书杰^1,2，孙聂枫^1,2，陈春梅¹，付莉杰¹，姜剑¹，张晓丹¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；专用集成电路重点实验室）.InP的快速大容量注入合成机理分析及多晶制备[J].半导体技术,2022,第8期魏晓光¹，张文婷¹，申占伟²，田丽欣¹，孙国胜²，杨霏¹（先进输电技术国家重点实验室(国网智能电网研究院有限公司)；中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室）.6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性[J].半导体技术,2022,第8期咸粤飞，崔晓光，胡冰，邵春伟，赵栋，赵振华，闫青亮（中车青岛四方车辆研究所有限公司）.SiC MOSFET驱动与保护电路设计[J].半导体技术,2022,第8期孙海燕，张硕，张晓波，戴澜（北方工业大学信息学院）.一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法[J].半导体技术,2022,第8期周国¹，罗和平²，廖龙忠¹，陈卓¹，张力江¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；电子科技大学电子科学与工程学院）.一种基于新型片上变压器的数字隔离器设计[J].半导体技术,2022,第8期何远东，张伟才，杨洪星，韩焕鹏（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.氧化态对锗衬底表面质量的影响[J].半导体技术,2022,第8期李亮^1,2，李扬¹，彭海涛¹，王彦照¹，王爽¹，付越东¹，张玉明²（中国电子科技集团公司第十三研究所；西安电子科技大学微电子学院）.激光雷达用大功率小发散角脉冲激光器[J].半导体技术,2022,第8期王帅康¹，吴仲¹，董杰¹，徐跃^1,2（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室）.一种用于单光子探测器的高速门控淬灭电路[J].半导体技术,2022,第7期张乐，李陶，耿文平，何剑，崔浩然，穆继亮（中北大学电子测试技术重点实验室）.电压调控Pt/Fe₃O₄异质结构磁性能研究[J].半导体技术,2022,第7期黄瑞锐¹，苏丽云¹，杨志军¹，陈森²（广东工业大学省部共建精密电子制造技术与装备国家重点实验室；陕西师范大学数学与统计学院）.刚柔耦合定位平台设计及其增益调度控制[J].半导体技术,2022,第7期周国¹，罗和平²，廖龙忠¹，陈卓¹，张力江¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；电子科技大学电子科学与工程学院）.一种采用苯并环丁烯介质隔离的片上变压器工艺[J].半导体技术,2022,第7期王万斌，张小玲，谢雪松，王俊浩（北京工业大学信息学部）.SiC功率MOSFET在直流脉冲条件下的热不稳定性[J].半导体技术,2022,第7期田明玉，任宇，田世鹏，谭羽辰（太原理工大学电气与动力工程学院）.SiC MOSFET直流固态断路器短路特性及保护电路[J].半导体技术,2022,第7期王磊，王鑫，王绍权，闫维高，齐贺飞（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种用于图像加速的DMA2D控制器[J].半导体技术,2022,第7期吴家锋，赵夕彬，徐守利，陈鹏，银军，默江辉（中国电子科技集团公司第十三研究所）.高可靠GaN内匹配功率器件降额研究[J].半导体技术,2022,第7期周晓丹^1,2，刘涛²，付东兵²，李强¹，刘杰³，郭刚⁴（电子科技大学电子科学与工程学院；重庆吉芯科技有限公司；中国科学院近代物理研究所；中国原子能科学研究院）.一种抗辐射的低功耗14 bit 20 MS/s流水线型ADC[J].半导体技术,2022,第7期程海娟，郭伟玲，马琦璟，郭浩，秦亚龙（北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室）.GaN基肖特基势垒二极管的结构优化研究进展[J].半导体技术,2022,第7期陈达华¹，陆杨¹，张雨雷¹，侯晓雅^1,2，张婕^1,2（江南大学机械工程学院；江苏省食品先进技术装备重点实验室）.基于ZnO表面修饰的P3HT∶PC₆₁BM倒置结构有机太阳电池[J].半导体技术,2022,第7期李亮^1,2，刘青林¹，付越东¹，梁东升¹，韩易¹，张玉明²（中国电子科技集团公司第十三研究所；西安电子科技大学微电子学院）.6 GHz高频率FBAR滤波器[J].半导体技术,2022,第7期谢顺帆^1,2，赵群^1,2，梅旭鲲^1,2，杨露瑶^1,2，何彦刚^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化[J].半导体技术,2022,第7期许怡红¹，陈松岩²，李成²（厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室；厦门大学物理科学与技术学院半导体光子学研究中心）.Au纳米颗粒结构参数优化制备高性能纳米晶存储器[J].半导体技术,2022,第6期赵立仕^1,2，孙鸣^1,2，李梦琦^1,2，马忠臣^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.阻挡层抛光液对铜点蚀电化学行为的影响[J].半导体技术,2022,第6期刘彬^1,2，王如^1,2，何彦刚^1,2，郑晴平^1,2，王帅^1,2，赵群^1,2，谢顺帆^1,2（河北工业大学电子信息工程学院；天津市电子材料与器件重点实验室）.硅通孔阻挡层抛光液的研究现状和发展趋势[J].半导体技术,2022,第6期王悦，高代法，陈铖颖（厦门理工学院光电与通信工程学院）.40 Gibit/s有源终端型可均衡激光驱动电路[J].半导体技术,2022,第6期黄轶愚¹，谭会生^1,2，吴义伯³，戴小平⁴（湖南工业大学轨道交通学院；长沙理工大学近地空间电磁环境监测与建模湖南省普通高校重点实验室；武汉大学微电子学院；湖南国芯半导体科技有限公司）.SiC MOSFET功率模块的并联均流研究[J].半导体技术,2022,第6期郝斌^1,2,3，张建新^1,2,3（天津工业大学电子与信息工程学院；天津工业大学天津市光电检测技术与系统重点实验室；天津工业大学大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心）.3ω法表征热导率研究进展[J].半导体技术,2022,第6期首页上一页 4 5 6 7 8 下一页尾页共有11页，转到页

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