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韩存地¹，刘安强¹，张碧川¹，刘航²，李幸²，边帅²，陈婕³（重庆梅安森科技股份有限公司；重庆邮电大学创新创业教育学院）.基于物联网平台的智慧园区设计与应用[J].微电子学,2021,第1期韩路路^1,2,3,4，吴倩楠^1,3,4,5，王姗姗^1,2,3,4，范丽娜^1,3,4,6，李孟委^1,2,3,4（中北大学南通智能光机电研究院；中北大学仪器与电子学院；中北大学前沿交叉科学研究院；中北大学微系统集成研究中心；中北大学理学院；中北大学信息与通信工程学院）.基于RF MEMS开关的交指型可切换带通滤波器设计[J].微电子学,2021,第1期杨晗，侯晨琛，钟泽，谢家志，廖书丹（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.基于65nm CMOS工艺的2阶温度补偿全CMOS电压基准源[J].微电子学,2021,第1期梁怀天，方舟，罗攀，易子皓，甄少伟，乔明，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种高侧功率开关的输出短路保护电路[J].微电子学,2021,第1期章玉飞，甄少伟，杨明宇，罗攀，易子皓，方舟，罗萍，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种采用SCOVP技术的高频率稳定度Buck变换器[J].微电子学,2021,第1期成松林，向乾尹，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.一种GaN半桥驱动器电平移位电路设计[J].微电子学,2021,第1期武昕，甄少伟，陈思远，白正杨，胡怀志，罗萍，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种多相DC-DC数字控制器的设计[J].微电子学,2021,第1期钱希琛，邓红辉，陈尚存，张俊（合肥工业大学微电子设计研究所教育部IC设计网上合作研究中心）.一种高精度滞环控制恒流LED驱动电路[J].微电子学,2021,第1期潘高，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.一种2阶小阻尼系数负载的快速补偿驱动法[J].微电子学,2021,第1期胡敏，冯全源（西南交通大学微电子研究所）.一种新颖的多值基准输出缓冲器设计[J].微电子学,2021,第1期李捷，韦保林，岳宏卫，韦雪明，徐卫林，段吉海（桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室）.具备谐波抑制的高阶有源N路径带通滤波器[J].微电子学,2021,第1期吴伟，邸志雄，陈锦炜，冯全源（西南交通大学信息科学与技术学院；西南交通大学微电子研究所）.一种基于溢出值的局部拥塞消除技术[J].微电子学,2021,第1期郗登笛，代国定，武强，陈宇峰，姚如雪（西安电子科技大学超高速电路设计与电磁兼容教育部重点实验室）.一种无均流外环并联DC-DC变换器的设计[J].微电子学,2021,第1期邵刚，刘敏侠，田泽（集成电路与微系统设计航空科技重点实验室；中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所）.一种基于BCD工艺的宽压-宽温电流基准电路[J].微电子学,2021,第1期王晓蕾，林青，戴吴骏（合肥工业大学微电子设计研究所教育部IC网上合作研究中心）.一种低延迟极化码串行抵消译码器设计[J].微电子学,2021,第1期彭嘉豪^1,2，李儒章²，付东兵²，丁一²，杨虹¹（重庆邮电大学光电工程学院；模拟集成电路国家重点实验室）.基于差分编码技术的12.5Gbit/s高速SerDes发射机[J].微电子学,2021,第1期谯彬，陈万军，高吴昊，夏云，张柯楠，孙瑞泽（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.新型阶梯变掺杂SiC漂移阶跃恢复二极管[J].微电子学,2021,第1期李孟窈，刘云涛，蒋忠林（哈尔滨工程大学信息与通信工程学院）.一种抗总剂量辐照的新型PD SOI器件[J].微电子学,2021,第1期高闻浩，孙启明，冉晴月，简鹏，陈文锁（重庆大学电气工程学院输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室）.一种隐埋缓冲掺杂层高压SBD器件新结构[J].微电子学,2021,第1期贺泽^1,2，蔡畅^1,2，赵凯³，赵培雄^1,2，李东青^1,2，刘天奇¹，刘杰¹（中国科学院近代物理研究所；中国科学院大学；复旦微电子集团股份有限公司）.22nm FD-SOI 静态随机存储器的可靠性研究[J].微电子学,2021,第1期王新泽¹，毛海央^1,2，金海波³，龙克文⁴（中国科学院大学微电子学院；中国科学院微电子研究所；中芯国际集成电路制造有限公司；佛山市川东磁电股份有限公司）.静电注入对55nm MV/HV GGNMOS ESD性能的影响[J].微电子学,2021,第1期燕子鹏，赵光辉，谢廷明，周成彬（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.金丝球焊复合键合工艺可靠性研究[J].微电子学,2021,第1期孙雷，张育维，张沕琳，李冬梅（清华大学电子工程系）.用于神经刺激器的单电感双极性直流电压转换器[J].微电子学,2021,第1期秦冲¹，毛海央¹，陈险峰²，李义²（中国科学院大学；中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.28nm WLP封装中PBO结构对CPI可靠性的影响[J].微电子学,2021,第1期刘玉奎¹，殷万军¹，谭开洲^1,2，崔伟^1,2（中国电子科技集团公司第二十四研究所；模拟集成电路国家重点实验室）.强电场下亚微米ESD注入型NMOS I_DT-V_GS微分负阻现象研究[J].微电子学,2021,第1期朱紫兰，李文昌，杨文轩，刘剑（中国科学院大学；中国科学院半导体研究所）.一种可配置的电容-电压转换电路[J].微电子学,2021,第1期戴永红¹，赖凡¹，刘荣贵²（中国电子科技集团公司第二十四研究所；中国电子科技集团公司第二十六研究所）.硅基自旋量子比特技术研究进展[J].微电子学,2021,第1期仲崇慧¹，于晓权²（中国电子科技集团有限公司；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究[J].微电子学,2021,第1期首页上一页 4 5 6 7 下一页尾页共有7页，转到页

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