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杜建宇¹，唐睿¹，张晓宇²，杨宇驰¹，张铁宾¹，吕佩珏¹，郑德印¹，杨宇东¹，张驰¹，姬峰²，余怀强³，张锦文¹，王玮¹（北京大学集成电路学院；北京遥感设备研究所；中国电子科技集团公司第二十六研究所）.基于金刚石的先进热管理技术研究进展[J].电子与封装,2023,第3期马力，项敏，石磊，郑子企（通富微电子股份有限公司）.高端性能封装技术的某些特点与挑战[J].电子与封装,2023,第3期申九林^1,2，马书英²，郑凤霞²，王姣²，魏浩²（华中科技大学武汉光电国家研究中心；华天科技(昆山)电子有限公司）.基于硅基扇出（eSiFO^?）技术的先进指纹传感器晶圆级封装工艺开发[J].电子与封装,2023,第3期宫贺，毕地杰，文国欣，姚尧.烧结纳米银的压缩实验分析与本构模型[J].电子与封装,2023,第3期林源为，赵晋荣，曹泽京，袁仁志（北京北方华创微电子装备有限公司）.一种用于先进封装的圆台硅通孔的刻蚀方法[J].电子与封装,2023,第3期于大全（厦门大学）.“先进三维封装与异质集成”专题前言[J].电子与封装,2023,第3期何秋秀，李晓蓉，邵杰，卓琳（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.基于Python 的级联半带滤波器RTL 自动生成方法[J].电子与封装,2023,第2期陈煜海，余永涛，刘天照，刘焱，罗军，王小强（工业和信息化部电子第五研究所）.高带宽存储器的技术演进和测试挑战[J].电子与封装,2023,第2期卓宁泽，赖信彰，于世珩（江苏长晶科技股份有限公司）.多重场限环型终端结构的优化设计[J].电子与封装,2023,第2期王曦¹，张亮^1,2，李木兰¹，姜楠¹（江苏师范大学机电工程学院；哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室）.电子组装用Sn-Sb 系无铅钎料研究进展[J].电子与封装,2023,第2期张国光¹，田文超²，刘美君²，从昀昊²，陈思³，王永坤²（佛山市蓝箭电子股份有限公司；西安电子科技大学机电工程学院；工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室）.铜带缠绕型CCGA 的加固工艺参数优化[J].电子与封装,2023,第2期周宇¹，李巧¹，刘静²，王骏超³（中国信息通信研究院西部分院；联合微电子中心有限责任公司；重庆大学微电子与通信工程学院）.基于组合混沌的多精度流加密方案[J].电子与封装,2023,第2期鞠虎，高营，田青，周颖（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.基于RISC-V 的神经网络加速器硬件实现[J].电子与封装,2023,第2期罗阳¹，栾舰²，周磊²，武锦²（中电科思仪科技股份有限公司；中国科学院微电子研究所）.用于宽带任意波发生器的可变增益放大器[J].电子与封装,2023,第2期刘洋，杨振涛，刘林杰（中国电子科技集团公司第十三研究所）.高密度陶瓷外壳焊盘位置度的标注与测量方法[J].电子与封装,2023,第2期张文文，来鹏飞（无锡中微爱芯电子有限公司）.基于RISC-V 芯片的内置Flash 自编程实现方式[J].电子与封装,2023,第2期许超，吴叶，常伟，李珂（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种输出可调的高精度开关电容基准电压源[J].电子与封装,2023,第2期朱国灵，季振凯，纪萍，徐小明（无锡中微亿芯有限公司）.塑封倒装焊焊点开裂分析及改善研究[J].电子与封装,2023,第2期李剑焘，孙明，张海明，宁永成，蒋承志（中国航天宇航元器件工程中心）.基于过程控制和参数分布能力的元器件质量评价方法[J].电子与封装,2023,第2期李文，冯雪华，张信波，朱小会（中国电子科技集团公司第二十九研究所）.导电胶粘接片式器件的接触电阻试验研究[J].电子与封装,2023,第2期张松，杜斌.兼具高绝缘和耐热性能的环氧封装材料的设计及制备[J].电子与封装,2023,第2期牟草源^1,2，李根壮^1,2，谢文良^1,2，王启亮^1,2，吕宪义^1,2，李柳暗^1,2，邹广田^1,2（吉林大学物理学院超硬材料国家重点实验室；吉林大学深圳研究院）.微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展[J].电子与封装,2023,第1期徐嘉悦^1,2，王茂俊^1,2，魏进^1,2，解冰^1,2，郝一龙^1,2，沈波³（北京大学集成电路学院；集成电路高精尖创新中心；北京大学物理学院）.GaN垂直结构器件结终端设计[J].电子与封装,2023,第1期黄火林，孙楠（大连理工大学光电工程与仪器科学学院）.GaN基增强型HEMT器件的研究进展[J].电子与封装,2023,第1期秦尧，明鑫，叶自凯，庄春旺，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室）.GaN HEMT及GaN栅驱动电路在DToF激光雷达中的应用[J].电子与封装,2023,第1期黄森^1,2，张寒^1,2，郭富强^1,2，王鑫华^1,2，蒋其梦^1,2，魏珂^1,2，刘新宇^1,2（中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心；中国科学院大学集成电路学院）.面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件[J].电子与封装,2023,第1期张峰，张国良（厦门大学物理科学与技术学院）.宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻[J].电子与封装,2023,第1期首页上一页 4 5 6 7 下一页尾页共有7页，转到页

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