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周国，毕胜赢，陈卓，张力江（中国电子科技集团公司第十三研究所）.InP HEMT空腔栅结构器件制备及性能[J].半导体技术,2022,第6期
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陈文静，孙孪鸿，王威，赵毅杰，袁文栋，沈哲苇，毛梦洁（金陵科技学院材料工程学院）.Al2O3扩散阻挡层对柔性CZTSSe薄膜及其 太阳电池的性能影响[J].半导体技术,2022,第6期
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郑万超，李聪，冯旭，张伟才，王东兴（中国电子科技集团公司第四十六研究所）.线圈台阶数量对悬浮区熔炉内电磁场和热场的影响[J].半导体技术,2022,第6期
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余巨臣，彭龙新，刘昊，凌志健，贾晨阳，闫俊达，刘飞（南京电子器件研究所）.具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计[J].半导体技术,2022,第6期
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侯耀伟，王喆，乔志壮，杜勿默，周扬帆（中国电子科技集团公司第十三研究所）.超大尺寸芯片封装内应力的改善[J].半导体技术,2022,第6期
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白宇杰，尹晋超，杨建红（兰州大学物理科学与技术学院）.铜纳米颗粒有机浮栅存储器的制备与性能表征[J].半导体技术,2022,第6期
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李亮1,2，张仕强1，梁东升1，韩易1，付越东1，张玉明2（中国电子科技集团公司第十三研究所；西安电子科技大学微电子学院）.高抑制或低插损型卫星导航FBAR芯片设计[J].半导体技术,2022,第6期
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郭志愿1,2，邱飞龙1，倪金玉1，赵毅1,3（中国电子科技南湖研究院；中国科学技术大学先进技术研究院；浙江大学信息与电子工程学院）.高性能铪锆氧铁电材料与器件先进调控技术研究进展[J].半导体技术,2022,第5期
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冯威，徐尉宗，周峰，曾昶琨，任芳芳，陆海（南京大学电子科学与工程学院）.AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管抗浪涌电流特性与封装方案[J].半导体技术,2022,第5期
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张昊1，孟润泉1，李新宇1，曹锐2，郭卓燕1（太原理工大学电气与动力工程学院；太原市优特奥科电子科技有限公司）.双向Buck/Boost变换器中SiC MOSFET串扰分析与抑制[J].半导体技术,2022,第5期
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刘晓玲，王文豪，刘玲，张智，熊智，姜丹丹（成都信息工程大学通信工程学院）.一种用于北斗卫星导航的射频接收前端芯片[J].半导体技术,2022,第5期
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冯景彬1，胡伟波1，国千崧1，秦克凡1，胡毅2，李振国2，侯佳力2（南开大学电子信息与光学工程学院；北京智芯微电子科技有限公司）.一种带片上校准的16 bit两级逐次逼近型ADC[J].半导体技术,2022,第5期
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贡旭超，裘安萍，黄锦阳，施芹（南京理工大学机械工程学院）.硅微谐振式加速度计器件级封装应力辨识[J].半导体技术,2022,第5期
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王娟娟1,2，李江江1,2，曾传滨1,2，李逸帆1,2,3，倪涛1,2，罗家俊1,2，赵发展1,2（中国科学院微电子研究所；中国科学院硅器件技术重点实验室；中国科学院大学）.90 nm SOI nMOSFET自加热效应研究[J].半导体技术,2022,第5期
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刘佳霖，刘英坤（中国电子科技集团公司第十三研究所）.SiO2/SiC界面工艺技术研究现状及新进展[J].半导体技术,2022,第5期
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尤宇财1，童嘉俊1，卓宁泽2，王海波1（南京工业大学材料科学与工程学院；江苏长晶科技有限公司）.基于三基色LED的高精度色坐标偏差研究[J].半导体技术,2022,第5期
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房玉龙1，张志荣1，尹甲运1，王波1，芦伟立1，高楠1，陈秀芳2（中国电子科技集团公司第十三研究所；山东大学晶体材料国家重点实验室新一代半导体材料研究院）.6英寸SiC单晶质量对GaN外延薄膜的影响[J].半导体技术,2022,第5期
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范伟海（中芯国际集成电路制造(上海)有限公司）.掺杂硅和金属通孔结构电迁移对比研究[J].半导体技术,2022,第5期
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许春良，杨卅男，万悦（中国电子科技集团公司第十三研究所）.W波段5 W GaN四路合成功率放大器MMIC[J].半导体技术,2022,第5期
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杨领叶，史燕萍，段淑卿，陈强，蔡恩静，吕煜坤，高金德（上海华力集成电路制造有限公司）.先进集成电路超大测试结构的短路失效定位方法[J].半导体技术,2022,第5期
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