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周虹阳^1,2，刘强^1,2，赵兰天^1,2，陈锦^1,2，俞文杰^1,2（中国科学院上海微系统与信息技术研究所；中国科学院大学）.基于内嵌空腔绝缘体上硅的GAA器件电学表征与分析[J].半导体技术,2023,第7期徐敏航^1,2，张振伟¹，郎莉莉¹，刘海静¹，单毅¹，董业民^1,3,4（中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室；中国科学院大学；上海芯炽科技集团有限公司；中国科学院大学材料与光电工程研究中心）.一种低噪声高电源抑制比的带隙基准源[J].半导体技术,2023,第7期柯鸣岗¹，阮文州¹，夏侯海¹，杨卅男²（中国电子科技集团公司第十四研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所）.用于毫米波相控阵的U波段10 W GaN功率放大器MMIC[J].半导体技术,2023,第7期曹正州，单悦尔，张艳飞（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.Flash型FPGA的编程及干扰抑制技术[J].半导体技术,2023,第7期高颖（中国电子科技集团公司第十三研究所）.0.2 THz平衡式二倍频器两路功率合成技术[J].半导体技术,2023,第7期刘健（中国电子科技集团公司第十三研究所）.一种用于微惯性测量单元的橡胶减振器[J].半导体技术,2023,第7期王锦任^1,2,3，王家佳^2,3，赵晨阳^1,2,3，刘海南^2,3，李多力^2,3（中国科学院大学集成电路学院；中国科学院微电子研究所；中国科学院硅器件技术重点实验室）.eFuse器件的电迁移三维有限元仿真[J].半导体技术,2023,第7期刘先婷¹，刘伟景¹，李清华²（上海电力大学电子与信息工程学院；深圳锐越微技术有限公司）.不同温度下JLNT-FET和IMNT-FET的模拟/射频特性[J].半导体技术,2023,第7期刘兆慧，尉升升，于洪权，尹志鹏，王德君（大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院）.栅氧化层及界面电荷对SiC MOSFET阈值电压稳定性的影响[J].半导体技术,2023,第6期黄未霖，蔡孟冶，姜岩峰（江南大学物联网工程学院电子工程系先进技术研究院）.一种宽带CMOS低噪声放大器[J].半导体技术,2023,第6期孟庭伟^1,2，谢锐^1,2，梁高^1,2（中北大学电气与控制工程学院；中北大学电子测试技术重点实验室）.用于微弱信号及扭矩检测的容栅式扭矩传感器[J].半导体技术,2023,第6期韦雪明¹，梁东梅¹，谢镭僮²，尹仁川²，李力锋²（桂林电子科技大学广西无线宽带通信与信号处理重点实验室；桂林电子科技大学广西高校微电子器件与集成电路重点实验室）.一种电流失配自适应补偿宽带锁相环设计[J].半导体技术,2023,第6期李云鹏¹，陈波²，何玲平²，吕鹏³（中国刑事警察学院公安信息技术与情报学院；中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；江苏大学材料科学与工程学院）.月基极紫外相机光子计数成像探测器Ge膜的空间质子辐照稳定性[J].半导体技术,2023,第6期陈春阳，唐正霞，孙孪鸿，王威，赵毅杰（金陵科技学院材料工程学院）.Cr应力缓释层对柔性Cu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜太阳电池性能的影响[J].半导体技术,2023,第6期郭跃伟，孔令旭，卢啸，段磊，崔健（河北博威集成电路有限公司）.面向窄引脚功率器件的负载牵引去嵌方法[J].半导体技术,2023,第6期黄旭，银军，余若祺，斛彦生，倪涛，许春良（中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于GaAs IPD的X波段200 W GaN宽带功率放大器[J].半导体技术,2023,第6期杨栋，赵宇（中国电子科集团公司第十三研究所）.基于硅基MEMS工艺的Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统[J].半导体技术,2023,第6期赵正平（中国电子科技集团公司；固态微波器件与电路全国重点实验室）.超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展(续)[J].半导体技术,2023,第6期刘中梦雪¹，黄伟²，刘垚¹，张海峰¹，段懿晨¹，丁继洪¹，赵建强¹（华东光电集成器件研究所；复旦大学微电子学院）.低导通压降MOS控制晶闸管的研制[J].半导体技术,2023,第6期厉志强，柳溪溪，张震，赵永志（中国电子科技集团公司第十三研究所）.GaAs芯片上倒装Si芯片的金凸点高度与键合工艺参数优化[J].半导体技术,2023,第6期刘慧滢¹，焦晓亮¹，王江¹，高艳红²，岳超¹，岳琦²（北京华航无线电测量研究所；中国电子科技集团公司第十三研究所）.基于硅基集成工艺的基板堆叠传输结构设计[J].半导体技术,2023,第6期《半导体技术》编辑部（《半导体技术》编辑部）.《半导体技术》征稿启事[J].半导体技术,2023,第6期《微处理机》编辑部（中国电子科技集团公司第四十七研究所；《微处理机》编辑部）.《微处理机》征稿启事[J].半导体技术,2023,第6期彭博^1,2，高岭²，刘林杰²，淦作腾²，王明阳²，杜平安¹，郑镔²（电子科技大学机械与电气工程学院；中国电子科技集团公司第十三研究所）.高温共烧陶瓷微流道工艺特性[J].半导体技术,2023,第5期马金龙^1,2，于宗光²，赵桂林²，朱岱寅¹（南京航空航天大学电子信息工程学院雷达与微波光子技术教育部重点实验室；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种适用于反熔丝FPGA的高效电荷泵电路[J].半导体技术,2023,第5期郭艳敏^1,2，杨玉章¹，冯志红^1,2，王元刚^1,2，刘宏宇¹，韩静文¹（中国电子科技集团公司第十三研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.阳极刻蚀提升Ga₂O₃肖特基势垒二极管击穿特性[J].半导体技术,2023,第5期于洪权，尉升升，刘兆慧，尹志鹏，白娇，谢威威，王德君（大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院）.SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性[J].半导体技术,2023,第5期徐雷钧，汪附凯，白雪，张子宇，赵心可，姜高峰（江苏大学电气信息工程学院）.基于0.18 μm CMOS 工艺的300 GHz高响应度探测器[J].半导体技术,2023,第5期田世鹏，任宇，谭羽辰，田明玉（太原理工大学电气与动力工程学院）.SiC MOSFET模块化直流固态断路器的集成化封装[J].半导体技术,2023,第5期首页上一页 5 6 7 8 9 下一页尾页共有11页，转到页

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