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戴扬1，叶青松1，党江涛1，卢昭阳1，张为伟2，雷晓艺1，张云尧1，廖晨光1，赵胜雷3，赵武1（西北大学信息科学与技术学院；上海精密计量测试研究所；西安电子科技大学微电子学院）.SiC/GaN IMPATT二极管的交流性能研究[J].微电子学,2022,第1期
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何素荣，赵程，李晨媛，邓丽城，王德波（南京邮电大学电子与光学工程学院.微电子学院）.基于多层石墨烯的声表面波放大器的研究[J].微电子学,2022,第1期
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陈龙1，李健儿2，廖楠3，徐银森4，冯勇2，刘继芝1，徐开凯1，赵建明1（电子科技大学电子科学与工程学院；四川上特科技有限公司；四川蓝彩电子科技有限公司；四川遂宁市利普芯微电子有限公司）.一种高维持电压的LVTSCR[J].微电子学,2022,第1期
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侯佳力1，胡毅1，贺俊敏2，王源2,3（北京智芯微电子科技有限公司；北京大学集成电路学院；北京大学微电子器件与电路教育部重点实验室）.一种防闩锁的多嵌入阱SCR ESD器件[J].微电子学,2022,第1期
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李伟东，刘登学，庞佑兵（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种杂波中提取弱小脉冲信号的设计方法[J].微电子学,2022,第1期
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杨洋，雷郎成，高炜祺，胡永菲，刘虹宏，付东兵（重庆吉芯科技有限公司）.多晶硅电阻线性度补偿方法研究[J].微电子学,2022,第1期
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