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黄森1,2，张寒1,2，郭富强1,2，王鑫华1,2，蒋其梦1,2，魏珂1,2，刘新宇1,2（中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心；中国科学院大学集成电路学院）.面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件[J].电子与封装,2023,第1期
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徐嘉悦1,2，王茂俊1,2，魏进1,2，解冰1,2，郝一龙1,2，沈波3（北京大学集成电路学院；集成电路高精尖创新中心；北京大学物理学院）.GaN垂直结构器件结终端设计[J].电子与封装,2023,第1期
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何云龙，洪悦华，王羲琛，章舟宁，张方，李园，陆小力，郑雪峰，马晓华（西安电子科技大学微电子学院）.氧化镓材料与功率器件的研究进展[J].电子与封装,2023,第1期
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孙培元1，孙立杰1，薛哲1，佘晓亮1，韩若麟1，吴宇薇1，王来利1，张峰2（西安交通大学电气工程学院；厦门大学物理科学与技术学院）.高压SiC MOSFET研究现状与展望[J].电子与封装,2023,第1期
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汪正鹏，叶建东，郝景刚，张贻俊，况悦，巩贺贺，任芳芳，顾书林，张荣（南京大学电子科学与工程学院）.亚稳相Ga2O3异质外延的研究进展[J].电子与封装,2023,第1期
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陈万军（电子科技大学）.“宽禁带功率半导体器件”专题前言[J].电子与封装,2023,第1期
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鞠久贵，成爱强（中国电子科技集团公司第五十五研究所）.基于负载牵引的S波段130 W硅LDMOS功率放大器研制[J].电子与封装,2023,第1期
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彭洋，陈明祥，QIU J Y，MIN X H（华中科技大学）.三维结构石英透镜提高DUV-LED的发光效率[J].电子与封装,2023,第1期
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