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单光宝，郑彦文，章圣长（西安电子科技大学微电子学院）.射频微系统集成技术[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期赵冉冉¹，张玉明¹，吕红亮¹，程伟²（西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体技术国防重点学科实验室；南京电子器件研究所）.异质互连通孔等效电路模型及其特性分析[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期王磊¹，惠科晴²，薛恺³，姜峰³，于大全³（江苏省专用集成电路设计重点实验室(无锡)；吉姆西半导体科技(无锡)有限公司；厦门云天半导体科技有限公司）.基于玻璃衬底的三维电感器件的仿真与实现[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期黄昊，贺威，利健，杨嘉颖，郑子阳，吴建华（深圳大学电子与信息工程学院）.增强型垂直氮化镓场效应管的设计与仿真[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期李雨航^1,2，张德海¹，孟进¹（中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室；中国科学院大学）.基于肖特基二极管的275 GHz三倍频器研制[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期曹喜涛，郭仲杰，韩晓，刘申，苏昌勖，李晨（西安理工大学自动化与信息工程学院）.应用于BUCK-BOOST的低功耗高精度欠压锁定设计研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期姚冰^1,2，杨吟野³，岑伟富³，吕林²（贵州民族大学机械电子与工程学院；贵州民族大学工程实训中心；贵州民族大学材料科学与工程学院）.N₂在Fe₂Ge高对称晶面的吸附特性研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期薛舫时，杨乃彬，陈堂胜，孔月婵（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制（续）[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期王瑞荣^1,2，郭浩²，唐军²，刘金萍²，刘丽双²（太原工业学院电子工程系；中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室）.GaAs基HEMT力敏结构伽马辐照损伤研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期范国亮，何峥嵘，黄治华，王成鹤，周远杰，杨阳，徐佳丽（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种高增益高精度三级运算放大器设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期陈晓青，平培力，董一鸣，戈硕（南京电子器件研究所）.基于缓冲环结构的功率模块气密性优化设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期张有涛^1,2，程伟¹，赵莹莹²（微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所；南京国博电子股份有限公司）.26.5 GHz InP宽带梳谱单片[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期成海峰¹，朱翔¹，沈丽君²，吉小莹³，魏翔¹（南京电子器件研究所；南京信息工程大学；东南大学）.基于MEMS硅基波导的W波段大功率倍频源设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期史良俊，叶宗祥（无锡力芯微电子股份有限公司）.高精度低V_drop可调式恒流驱动设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期邵国键，陈正廉，林罡，张茗川，王云燕，刘柱，陈韬（南京电子器件研究所）.失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第6期杨嘉颖，利健，黄昊，郑子阳，吴健华，贺威（深圳大学电子与信息工程学院）.垂直氮化镓鳍式功率场效应晶体管优化设计[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期廖杨芳¹，谢泉²（贵州师范大学物理与电子科学学院；贵州大学大数据与信息工程学院）.Si（111）衬底上Mg₂Si薄膜的XRD和拉曼光谱研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期徐锐^1,2，周东¹，刘炳凯^1,2，李豫东¹，蔡娇¹，刘海涛¹，文林¹，郭旗¹（中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院大学）.NCP6324B型集成式DC-DC电源变换器总剂量效应研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期郭仲杰，韩晓，何帅，曹喜涛，苏昌勖，刘申，李晨（西安理工大学自动化与信息工程学院）.无带隙基准的超低功耗欠压检测技术研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期张博，贺城峰（西安邮电大学电子工程学院）.一款0.1～2.0 GHz的高线性度低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期薛舫时，杨乃彬，陈堂胜，孔月婵（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.GaN异质结场效应管中栅、漏电压对电子气的控制[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期钟成¹，李静²，龙强²，李津¹，叶刘婷³（国网河北省电力有限公司雄安供电公司；国网思极神往位置服务(北京)有限公司研发中心；东南大学信息科学与工程学院）.SG-Long Rang SOC芯片中低功耗宽分频比分频器的设计与实现[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期李尧^1,2，伍莹¹，冯加贵¹，熊康林¹（中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所；中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院）.GaN（0001）表面台阶结构的第一性原理研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期孟媛¹，蔡志匡¹，徐彬彬²，王子轩¹，孙海燕³，郭宇锋¹（南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室电子与光学工程学院微电子学院；南京邮电大学南通研究院有限公司；南通大学专用集成电路设计重点实验室）.倒装芯片封装电迁移失效仿真研究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期吴云，孙岩，曹正义（南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室）.柔性石墨烯放大器MMIC[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期余国栋，汪珍胜，王储君，王维波，陶洪琪（南京电子器件研究所）.一种改进的高频GaN HEMT器件模型[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期王乔楠，王生明，邓世雄（中国电子科技集团公司第十三研究所）.PIN二极管限幅器线性度探究[J].固体电子学研究与进展,2021,第5期首页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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