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吴硕¹，徐康¹，洪孟¹，吕麒鹏²，蒲茜³，戴家赟⁴，吴超群¹，郭敏¹（武汉理工大学机电工程学院；中国电子科技集团公司第二研究所；北京交通大学机械与电子控制工程学院；南京电子器件研究所）.晶圆直接键合预处理关键技术研究进展[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期谢克南¹，李英杰¹，张浩²，王科平¹（天津大学微电子学院；南京电子器件研究所）.硅基太赫兹功率放大器研究进展[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期王帅，安万通，李晓明，刘仁创，李鑫（河南理工大学，电气工程与自动化学院）.应用于5G 通信的三频F 类功率放大器设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期曹正州，单悦尔，张艳飞，涂波（中国电子科技集团公司第五十八研究所）.一种用于FPGA 的低功耗系统监控电路设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期黄靓文¹，吕世涛¹，孙海燕^1,2，赵继聪^1,2，陶玉娟³（南通大学信息与科学技术学院；南通大学专用集成电路设计重点实验室江苏；通富微电子股份有限公司）.基于掺钪氮化铝FBAR 的滤波器设计研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期郭艳敏^1,2，张立森^1,2，顾国栋^1,2，宋旭波^1,2，郝晓林^1,2（中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄；固态微波器件与电路全国重点实验室）.基于单片集成电路的180 GHz 大功率倍频器[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期马奔^1,2，于海龙^1,2，戴姜平¹，王伟^1,2，高汉超^1,2，李忠辉^1,2（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路全国重点实验室）.0.25 μm发射极InP DHBT材料生长与器件性能研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期姚德贵¹，董曼玲¹，宋伟²，张嘉涛²，鲁一苇¹，肖超¹，杨武华³（国网河南省电力公司电力科学研究院；国网河南省电力公司郑州；西安理工大学）.大面积IGCT 的关断失效机理研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期张键¹，胡辉勇¹，周远杰²，何峥嵘²（西安电子科技大学；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种高压精密低输入偏置电流JFET 型放大器[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期陆宇（中国电子科技集团公司第十研究所）.一种超宽带硅基MEMS 射频收发组件[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期张洪泽，焦宗磊，袁克强，刘尧，潘晓枫，郁元卫，黄旼，朱健（南京电子器件研究所；固态微波器件与电路安全全国重点实验室）.研究简讯：基于硅基埋置异构集成工艺的 V 波段收发芯片[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期赵杨婧¹，禹胜林¹，赵晓松²，洪根深²，顾祥²（南京信息工程大学电子与信息工程学院；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.150 nm FDSOI 器件的背栅NBTI 效应研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期赵飞^1,2，何素珍^1,2，于辰伟^1,2，张玉君¹（中国电子科技集团公司第四十三研究所；合肥圣达电子科技实业有限公司）.Ag72Cu 钎焊阻焊技术研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期郝张伟，汤飞鸿，李大伟，沈宏昌，靳赛赛（南京国博电子股份有限公司）.一款高精度宽带多功能芯片的设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期施尚¹，王帅²，季子路¹，戈硕¹，李宇超¹（南京电子器件研究所；南京大学电子科学与工程学院）.金刚石/铝复合材料的GaN HEMT 器件热特性试验研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期《固体电子学研究与进展》编辑部.《固体电子学研究与进展》关于启用投审稿系统的公告[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期《固体电子学研究与进展》编辑部（《固体电子学研究与进展》编辑部）.撤稿声明[J].固体电子学研究与进展,2023,第6期李曼^1,2，张淳棠^1,2，刘安琪^1,2，姚佳飞^1,2，张珺^1,2，郭宇锋^1,2（南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室；南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.UTBB SOI MOSFETs 短沟道效应抑制技术[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期余德水¹，杨发顺^1,2,3，马奎^1,2,3（贵州大学大数据与信息工程学院；贵州省微纳电子与软件技术重点实验室；半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心）.一种峰值电流模式DC-DC 转换器控制电路设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期肖凯¹，邵震¹，陈潜²，王振¹，严喜林¹，刘平³，卢继武³（中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院；中国南方电网有限责任公司超高压输电公司；湖南大学电气与信息工程学院）.弹簧式压接IGBT 模块内部应力及温度仿真分析[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期吴奕蓬，黄晴，杜琳，王涛，陈仲谋，徐建辉，张博（西安博瑞集信电子科技有限公司）.高精度可变增益放大器的研究与设计[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期梁子彤，陈鹏，徐儒，殷鑫燕，谢自力，陈敦军，赵红（南京大学电子科学与工程学院，江苏省光电信息功能材料重点实验室）.准垂直肖特基二极管电极间距对耐压的影响[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期刘丹璐¹，董杰¹，许唐¹，徐跃^1,2（南京邮电大学集成电路科学与工程学院；射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室）.一种宽光谱响应的双结单光子雪崩二极管[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期郭丽娜^1,2，蒋璧有¹，陈平¹，田春回³，牛德青²（中北大学信息与通信工程学院，电子测试技术国家重点实验室；电子科技大学光电科学与工程学院；中国兵器装备集团自动化研究所有限公司，智能测控事业部）.CsI∶Tl 余辉产生和抑制机理的第一性原理研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期李潇^1,2,3，崔江维^1,2,3，郑齐文^1,2,3，李鹏伟⁴，崔旭^1,2,3，李豫东^1,2,3，郭旗^1,2,3（中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学；中国空间技术研究院）.硅基N 沟道VDMOS 不同偏置下总剂量效应研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期陈选龙^1,2，邝贤军^1,2，陈兰^1,2，林晓玲¹，刘丽媛¹（工业和信息化部电子第五研究所；中国赛宝实验室可靠性研究分析中心）.基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期王家怡^1,2，朱熙铖¹，顾林²，王梦雅²（南京信息工程大学电子与信息工程学院；中国电子科技集团公司第五十八研究所）.晶上系统电源分配网络建模及IR-drop 研究[J].固体电子学研究与进展,2023,第5期首页 1 2 3 4 下一页尾页共有4页，转到页

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