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高奇1,2,周国云1,2,何为1,朱永康3,陈先明4(电子科技大学材料与能源学院;江西电子电路研究中心;奈电软性科技电子(珠海)有限公司;珠海越亚半导体股份有限公司).印制电路板集成螺线管型磁芯电感的制作[J].电子元件与材料,2022,第12期
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徐昊铭,张正丽,李军丽(贵州大学大数据与信息工程学院).基于非富勒烯受体的有机太阳能电池阴极界面工程研究进展[J].电子元件与材料,2022,第12期
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朴林华,佟嘉程,李备,张严(北京信息科技大学北京市传感器重点实验室).动热源摆式双轴MEMS 热加速度计敏感机理的研究[J].电子元件与材料,2022,第12期
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李子豪1,2,周建伟1,2,王辰伟1,2,马慧萍1,2,张月1,2(河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室).新型抑制剂对铜膜CMP 后碟形坑与蚀坑的影响[J].电子元件与材料,2022,第12期
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刘维红,关东阳,黄倩,张璇(西安邮电大学电子工程学院).多层LCP 基板中宽带槽线耦合结构的设计与实现[J].电子元件与材料,2022,第12期
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李蕾,张舜,季红妍,南敬昌(辽宁工程技术大学电子与信息工程学院).小型化双频圆极化天线设计[J].电子元件与材料,2022,第12期
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关文博,吕红亮,张玉明,张义门(西安电子科技大学微电子学院).一种基于三维集成电路的多位碳纳米管硅通孔[J].电子元件与材料,2022,第12期
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盛艳婷,蒋品群,宋树祥,岑明灿,蔡超波(广西师范大学电子工程学院).高增益差分无源N 通道带通滤波器的设计[J].电子元件与材料,2022,第12期
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樊瑞祥1,2,王伟1,2,刘姗1,2,杨玉帅1,2,王凯1,2(河北工业大学电子信息工程学院;天津市电子材料与器件重点实验室).HfO2 薄膜的亲疏水性对石墨烯沉积的影响[J].电子元件与材料,2022,第12期
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束长青1,2,姚正军1,2,杜文博1,2,龙漫1,2,张莎莎1,2(南京航空航天大学材料科学与技术学院;工业和信息化部面向苛刻环境的材料制备与防护技术重点实验室).Sn 复合Ag@Cu 低温固化导电浆料的制备与性能研究[J].电子元件与材料,2022,第12期
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梁栋程,王淑杰,季航(中国工程物理研究院计量测试中心).多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析[J].电子元件与材料,2022,第12期
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汤寅,熊威,王霄,杨勇(南京电子器件研究所).基于玻璃钝化结构的梁式引线肖特基T 型对管芯片的研制[J].电子元件与材料,2022,第12期
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季鸣童1,陈雷2,刘亭亭1,2(东北石油大学秦皇岛校区;东北石油大学化学化工学院).自组装NiO/还原氧化石墨烯复合材料及其超级电容性能研究[J].电子元件与材料,2022,第12期
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韦炳吕1,秦海青1,2,3,刘文平2,3,庞兴志1,4,雷晓旭2,3(广西大学资源环境与材料学院;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司广西超硬材料重点实验室;广西大学广西有色金属及特色材料加工重点实验室;中国有色桂林矿产地质研究院有限公司国家特种矿物材料工程技术研究中心).聚吡咯对锂离子电池硅/石墨复合负极材料性能的影响[J].电子元件与材料,2022,第12期
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罗捷宇,高秀华,翟宇,冯丽娜(成都宏明电子股份有限公司).高压瓷介电容器脉冲开裂失效问题及材料选择[J].电子元件与材料,2022,第12期
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苏东来1,2,韦孟宇3,高跃明1,阴亚东1,2(福州大学物理与信息工程学院;澳门大学科技学院电机及电脑工程系;福州大学专用芯片与智能微系统研发中心).负压DC-DC 变换器中新型功率管驱动电路[J].电子元件与材料,2022,第12期
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刘洋志1,卢盛辉2,吴丽娟1,宋宣廷1,李良良2(长沙理工大学湖南省柔性电子材料基因组工程重点实验室;南宁职业技术学院人工智能学院).钼缓冲层对SiC功率器件封装可靠性的影响[J].电子元件与材料,2022,第11期
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郑伟文1,2,李晓伟2,熊康林2,3,冯加贵2,3(量子科技长三角产业创新中心;材料科学姑苏实验室;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米真空互联实验站).超导量子芯片集成技术概述[J].电子元件与材料,2022,第11期
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高于珺1,2,冯静静1,刘峰1,张发强1,马名生1,刘志甫1,2(中国科学院上海硅酸盐研究所 信息功能陶瓷材料与器件研究中心;中国科学院大学材料科学与光电工程中心).低温共烧陶瓷(LTCC)用电极银浆研究进展[J].电子元件与材料,2022,第11期
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王浩1,2,塔力哈尔·夏依木拉提1,2,徐晓洁1,2,吐尔迪·吾买尔1,2(伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构实验室;新疆工程学院自治区教育厅新能源材料研究重点实验室).基于二硫化钼纳米片的高性能湿度传感器[J].电子元件与材料,2022,第11期
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张尧,张旭,陈佳,高伍禹,刘思佳(南开大学电子信息与光学工程学院).基于多模谐振器的三宽带滤波器设计[J].电子元件与材料,2022,第11期
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焦凌彬,姚凤薇(上海电机学院电子信息学院).基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计[J].电子元件与材料,2022,第11期
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朱熙铖,陶正壮,肖凌峰(南京信息工程大学电子与信息工程学院雷达技术研究所).一种宽带圆极化环形天线[J].电子元件与材料,2022,第11期
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陈昶1,刘斌2,张志浩1,章国豪1(广东工业大学信息工程学院;广州穗源微电子科技有限公司).基于有源反馈补偿的快速瞬态响应LDO设计[J].电子元件与材料,2022,第11期
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雷博程1,刘晨曦1,张丽丽1,赵旭才1,黄以能1,2(伊犁师范大学物理科学与技术学院新疆凝聚态相变与微结构重点实验室;南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室).过渡金属(Mo, Ru, Rh, Pd)掺杂SnO2磁学性质的第一性原理研究[J].电子元件与材料,2022,第11期
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徐文博1,陈振华1,张恒2(南京信息工程大学电子与信息工程学院;南京航天工业科技有限公司).基于混合多层介质的E波段微带-波导过渡设计[J].电子元件与材料,2022,第11期
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鹿宁,陈向红,王妮,党丽萍,殷美(西安宏星电子浆料股份有限责任公司).导电电极对电阻浆料阻值的影响[J].电子元件与材料,2022,第11期
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牟舜禹,李瑞江,李少奎,熊文,林广(成都宏科电子科技有限公司).Al2O3/HfO2复合薄膜的介电性能研究[J].电子元件与材料,2022,第11期
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