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马林东1，孔泽斌1，刘元1，琚安安1，汪波1，秦林生1，陈凡1，陈卓俊2，王昆黍1（上海精密计量测试研究所；湖南大学物理与微电子科学学院）.屏蔽栅沟槽MOSFET单粒子微剂量效应研究[J].半导体技术,2023,第12期
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曹晓鹏1,2，贾文博1，陆晓伟1，姜鹏1（中国科学院大连化学物理研究所催化基础国家重点实验室中国科学院纳米科学卓越中心；中国科学院大学）.基于碲化铋纳米线的长波红外光热电探测器[J].半导体技术,2023,第12期
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汪炯1，马毅超1，蒋俊国1，庄建2,3，滕海云2（陕西科技大学电气与控制工程学院；散裂中子源科学中心；中国科学院高能物理研究所）.基于SMIC 180 nm工艺的内插延时链型TDC芯片[J].半导体技术,2023,第12期
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张弘鹏1，贾仁需2，陈铖颖1，元磊2，张宏怡1，彭博2（厦门理工学院光电与通信工程学院；西安电子科技大学微电子学院）.Ga2O3器件表面钝化技术研究进展[J].半导体技术,2023,第12期
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阳治雄，曾荣周，吴振珲，廖淋圆，李中启（湖南工业大学轨道交通学院）.Si/SiC超结LDMOSFET的短路和温度特性[J].半导体技术,2023,第12期
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赵鹏飞，林倩（青海民族大学物理与电子信息工程学院）.多芯片模块互连可靠性预测分析[J].半导体技术,2023,第12期
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屈云鹏1，张小龙2，李逵1，覃拓1，栗凡1，李雪1，陈轶龙1（西安微电子技术研究所；空军装备部驻西安地区第八军事代表室）.温循与振动条件下三种加固方式的BGA焊点可靠性评估[J].半导体技术,2023,第12期
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姚兆辉1，李德建1,2，关媛1，李博夫1，李大猛1，杨宝斌1（北京智芯微电子科技有限公司；清华大学集成电路学院）.特殊离子注入工艺对集成电路漏电流的影响及优化[J].半导体技术,2023,第12期
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魏赛，王鹏，吴剑潇，陆斌，邢志昂（上海大学计算机工程与科学学院）.基于JESD204B协议的智能信号处理SoC中自适应缓冲结构[J].半导体技术,2023,第12期
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余长敏，罗志永，刘宇（上海华虹宏力半导体制造有限公司）.屏蔽栅沟槽MOSFET源-漏极间的漏电流优化[J].半导体技术,2023,第12期
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高渊1,2，宋洁晶2，李亮2，赵洋2，吕鑫2，冀子武1（山东大学微电子学院；中国电子科技集团公司第十三研究所）.FBAR电极和压电薄膜制备工艺研究[J].半导体技术,2023,第12期
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