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邹锐恒¹，邝建军¹，熊进¹，明鑫^1,2，王卓¹，张波¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学重庆微电子产业技术研究院）.一种快速瞬态响应的低压差线性稳压器设计[J].微电子学,2022,第6期程铭，邹华昌，张纯亚，罗丁（中国电子科技集团公司第二十四研究所）.基于0.35 μm BiCMOS控制器的DC/DC变换器瞬时电离剂量率效应研究[J].微电子学,2022,第6期徐雷钧，孟少伟，白雪（江苏大学电气信息工程学院）.基于40 nm CMOS工艺的高效率功率放大器设计[J].微电子学,2022,第6期张琴¹，艾尔肯·阿不都瓦衣提¹，尹华²，张炜楠¹，邓芳¹，龙涛²，李左翰²（云南师范大学能源与环境科学学院；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.基于GaN 的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究[J].微电子学,2022,第6期张宇轩，薛至诚，王德波（南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.新型组合螺旋压电能量收集器的设计与研究[J].微电子学,2022,第6期崔旭，崔江维，郑齐文，魏莹，李豫东，郭旗（中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室；中国科学院新疆理化技术研究所新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院大学）.22 nm 体硅nFinFET总剂量辐射效应研究[J].微电子学,2022,第6期师航波¹，李逵¹，周育保¹，赵迟¹，葛坚定¹，曹欣²（西安微电子技术研究所；西安电子科技大学机电工程学院）.温循条件下电源模块的瞬态热力耦合研究及优化[J].微电子学,2022,第6期马俊祥¹，梁华国¹，李丹青¹，易茂祥¹，鲁迎春¹，蒋翠云²（合肥工业大学微电子学院；合肥工业大学数学学院）.一种低开销的旁路重构RO 的片上老化测量方案[J].微电子学,2022,第6期滕海林，孟煦，王晓蕾（合肥工业大学微电子设计研究所教育部IC设计网上合作研发中心）.一种高性能小数级联型锁相环电路[J].微电子学,2022,第6期毛帅¹，张杰¹，明鑫^1,2，张波¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学重庆微电子产业技术研究院）.适用于高频开关芯片的快速瞬态响应LDO 设计[J].微电子学,2022,第6期刘媛媛，林治屹，秦尧，吴之久，明鑫，张波（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；电子科技大学重庆微电子产业技术研究院）.一种高速高可靠性低功耗的电平位移电路[J].微电子学,2022,第6期杨卫东^1,2，刘军^1,2，刘彦彤³，马世碧²，温显超²（模拟集成电路国家级重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所；合肥工业大学仪器科学与光电工程学院）.一种跟踪温度的电流源失配前台校准技术[J].微电子学,2022,第6期武皓岩^1,2，李志强^1,2，王显泰^2,3（中国科学院大学；中国科学院微电子研究所；北京昂瑞微电子技术有限公司）.基于GaAs HBT工艺的高增益宽带Doherty功率放大器设计[J].微电子学,2022,第6期陈宇星¹，徐永佳¹，孔谋夫¹，廖希异²，吴克军¹，徐开凯¹（电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；中国电子科技集团公司第二十四研究所）.一种基于SiGe BiCMOS工艺的单片集成光接收机前端放大电路[J].微电子学,2022,第6期邱鑫，姚思远，刘智，葛梅（西安微电子技术研究所；中国航天科技集团有限公司抗辐射集成电路技术实验室）.一种LDO 自适应电流频率补偿技术[J].微电子学,2022,第6期胡兴盛，徐皓，易茂祥，梁华国，鲁迎春（合肥工业大学微电子学院）.融入环形振荡器木马特征的无监督硬件木马检测[J].微电子学,2022,第6期谭翊鑫^1,2，何慧凯¹（中国电子科技南湖研究院；中国科学技术大学先进技术研究院）.忆阻器堆叠交叉阵列漏电流问题研究进展[J].微电子学,2022,第6期单月晖¹，连潞文²，高媛¹，魏佳男³，杜翔⁴，唐新悦³，罗婷³，谭开洲³，张培健³（军委装备发展部；中国人民解放军海军八O七厂；中国电子科技集团公司第二十四研究所；中国电子科技集团公司第二十九研究所）.Nb∶SrTiO₃ 阻变单元及1T1R 复合结构的电离辐射总剂量效应研究[J].微电子学,2022,第6期孙浩楠，李浩亮，杨潇楠（郑州大学信息工程学院）.一种高维持电压的新型闩锁免疫双向可控硅[J].微电子学,2022,第6期冯慧玮，荣玉，叶斯灿，刘震，卢澳，李金晓，闫大为（江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心）.氮化镓基LED结温测量方法研究[J].微电子学,2022,第6期王想军，刘博，王琳，邓智耀，张文飞，向菲（河南科技大学电气工程学院）.一种可编程调频的L频段高性能电荷泵锁相环[J].微电子学,2022,第6期杜高明，任宇翔，王晓蕾，李桢旻，倪伟（合肥工业大学微电子设计研究所）.一种基于费马模数的RLWE加解密电路及其FPGA实现[J].微电子学,2022,第6期张盼盼，王德勇，张金灿，王金婵，刘敏，刘博（河南科技大学电气工程学院）.C波段高效率逆F类GaN MMIC功率放大器[J].微电子学,2022,第6期赵云龙^1,2，陈洪雷¹，丁瑞军¹（中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室；上海科技大学信息科学与技术学院）.基于HgCdTe-APD的32×32主被动成像读出电路[J].微电子学,2022,第6期梁硕，李海华（上海交通大学电子信息与电气工程学院）.基于深度学习的布线违例预测方法[J].微电子学,2022,第6期陈培仓，朱赛宁，潘建华，陈慧蓉（无锡中微晶园电子有限公司）.NJFET器件饱和电流影响因子及工艺优化研究[J].微电子学,2022,第6期刘坤（合肥芯谷微电子股份有限公司）.小型化L波段1 000 W GaN 内匹配功率管研制[J].微电子学,2022,第6期任青颖，于文婷，王德波（南京邮电大学集成电路科学与工程学院）.热电式MEMS微波功率传感器的优化设计[J].微电子学,2022,第6期秦谋¹，袁波²，陈罡子¹，李家祎²，万天才²（中国电子科技集团公司第二十四研究所；重庆西南集成电路设计有限责任公司）.一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器[J].微电子学,2022,第6期首页 1 2 3 4 5 下一页尾页共有7页，转到页

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